Disk Sisèpteur Wafer Kouvwi ak Silisyòm Carbide

Imaj prezante disk sisèpteur wafer kouvri ak carbure silikon

Deskripsyon kout:

Disk sisèpteur wafer VET Energy ki kouvri ak carbure silikon se yon pwodwi pèfòmans wo ki fèt pou bay pèfòmans konsistan ak serye sou yon peryòd pwolonje. Li gen yon rezistans chalè ak inifòmite tèmik super bon, pite segondè, rezistans ewozyon, sa ki fè li solisyon pafè a pou aplikasyon pou pwosesis wafer.

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Disk wafer Silisyòm Karbid la se yon eleman kle yo itilize nan divès pwosesis fabrikasyon semikondiktè. Nou itilize teknoloji patante nou an pou fè disk Silisyòm Karbid la pi an sekirite ak yon pite trè wo, bon inifòmite kouch ak yon lavi sèvis ekselan, osi byen ke pwopriyete rezistans chimik ak estabilite tèmik ki wo.

VET Energy se yon vrè manifakti pwodwi grafit ak carbure Silisyòm Customized ak diferan kouch tankou SiC, TaC, kabòn pirolitik, kabòn vitrifye, elatriye, ka founi divès kalite pyès Customized pou endistri semi-kondiktè ak fotovoltaik. Ekip teknik nou an soti nan pi gwo enstitisyon rechèch lokal yo, ka bay solisyon materyèl ki pi pwofesyonèl pou ou.

Nou kontinye devlope pwosesis avanse pou bay materyèl ki pi avanse, epi nou te travay sou yon teknoloji patante eksklizif, ki ka fè lyezon ant kouch la ak substrat la pi sere epi mwens tandans pou dekole.

Fkarakteristik pwodwi nou yo:

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo jiska 1700℃.
2. Segondè pite akinifòmite tèmik
3. Ekselan rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
4. Segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
5. Pi long lavi sèvis ak plis dirab

Maladi Kadyovaskilè (MKV) SiC薄膜基本物理性能 Pwopriyete fizik debaz nan CVD SiCkouch
性质 / Pwopriyete	典型数值 / Valè tipik
晶体结构 / Estrikti Kristal	Faz FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 Dansite	3.21 g/cm³
硬度 Dite	2500 维氏硬度（500g chaj）
晶粒大小 Gwosè grenn	2 ~ 10μm
纯度 / Pite Chimik	99.99995%
热容 / Kapasite Chalè	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Tanperati Siblimasyon	2700℃
抗弯强度 / Fòs fleksyon	415 MPa RT 4 pwen
杨氏模量 / Modil Young lan	430 Gpa 4pt koube, 1300 ℃
导热系数 / TèmlKonduktivite	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 Ekspansyon tèmik (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1