炭化ケイ素ウェハーディスクは、様々な半導体製造プロセスで使用される重要な部品です。当社は特許技術を用いて、極めて高い純度、優れたコーティング均一性、長寿命、そして高い耐薬品性と耐熱性を備えた炭化ケイ素ウェハーディスクを製造しています。
VET Energyは、SiC、TaC、熱分解炭素、ガラス状炭素など、さまざまなコーティングを施したカスタムグラファイトおよび炭化ケイ素製品の真のメーカーであり、半導体および太陽光発電業界向けに多様なカスタム部品を提供できます。当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関出身者で構成されており、より専門的な材料ソリューションを提供できます。
当社は、より高度な材料を提供するために、常に先進的なプロセスを開発しており、コーティングと基材との結合をより強固にし、剥離しにくくする独自の特許技術を開発しました。
F当社製品の特徴：
1. 1700℃までの高温酸化耐性C.
2. 高純度で熱均一性
3. 優れた耐食性：酸、アルカリ、塩、有機試薬。
4. 高硬度、緻密な表面、微細粒子。
5. より長い耐用年数とより耐久性
| CVD SiC膜の基本物理性能 CVD SiCの基本的な物理的特性コーティング | |
| 性质 / 財産 | 典型的な数値 標準値 |
| 結晶構造 結晶構造 | FCC β相多結晶、主に（111）取向 |
| 密度 / 密度 | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 硬度 | 2500维度硬度（500g荷重） |
| 結晶粒大小 / 粒の大きさ | 2～10μm |
| 度 化学的純度 | 99.99995% |
| 熱容 熱容量 | 640 J・kg-1・K-1 |
| 昇华温度 昇華温度 | 2700℃ |
| 抗强度 曲げ強度 | 415 MPa RT 4点 |
| 杨氏模量 ヤング率 | 430 GPa 4点曲げ、1300℃ |
| 导熱系数 / テルマl導電率 | 300W・m-1・K-1 |
| 熱膨張胀系数 熱膨張係数（CTE） | 4.5×10-6K-1 |
ぜひ当社の工場にお越しください。さらに詳しく話し合いましょう！
