Kapila mpanelanelana wafer voarakotra silikônina karbida

Sary nasongadina momba ny kapila Wafer voarakotra silikônina karbida

Famaritana fohy:

Ny kapila wafer voarakotra silicon carbide VET Energy dia vokatra avo lenta natao hanomezana fahombiazana tsy tapaka sy azo ianteherana mandritra ny fotoana maharitra. Manana fanoherana hafanana sy fitoviana mafana tena tsara izy io, fahadiovana avo lenta, ary fanoherana ny fahasimbana, ka mahatonga azy io ho vahaolana tonga lafatra amin'ny fampiharana fanodinana wafer.

Alefaso mailaka aminay Sintomy amin'ny endrika PDF

Antsipirian'ny vokatra

Marika vokatra

Singa fototra ampiasaina amin'ny famokarana semiconductor isan-karazany ny kapila Wafer Silicon Carbide. Mampiasa ny teknolojia manana patanty izahay mba hahatonga ny kapila silicon carbide ho azo antoka kokoa miaraka amin'ny fahadiovana avo lenta, fitoviana tsara amin'ny coating ary faharetan'ny fampiasana tsara, ary koa fanoherana simika avo lenta sy fahamarinan-toerana mafana.

Ny VET Energy no tena mpanamboatra vokatra grafita sy karbida silikônina namboarina manokana miaraka amin'ny sosona samihafa toy ny SiC, TaC, karbônina pyrolytika, karbônina glassy, sns., afaka mamatsy kojakoja namboarina manokana isan-karazany ho an'ny indostrian'ny semiconductor sy photovoltaic. Avy amin'ny andrim-pikarohana ambony ao an-toerana ny ekipanay ara-teknika, afaka manome vahaolana ara-pitaovana matihanina kokoa ho anao.

Mamolavola hatrany fomba fiasa mandroso izahay mba hanomezana fitaovana mandroso kokoa, ary efa namorona teknolojia manokana manana patanty, izay afaka manamafy orina kokoa ny fifamatorana misy eo amin'ny coating sy ny substrate ary tsy mora misaraka loatra.

Fendri-javatra amin'ny vokatra atolotray:

1. Fanoherana ny oksidasiona amin'ny mari-pana avo hatramin'ny 1700℃.
2. Fahadiovana avo lenta syfitoviana ara-hafanana
3. Fanoherana harafesina tsara dia tsara: asidra, alkali, sira ary akora organika.
4. Hamafin'ny tany, velarana matevina, poti-javatra madinika.
5. Faharetana maharitra kokoa ary maharitra kokoa

CVD SiC薄膜基本物理性能 Toetra ara-batana fototra an'ny CVD SiCfanosotra
性质 / Fananana	典型数值 / Sanda mahazatra
晶体结构 / Rafitra Kristaly	Dingana FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 / Hakitroky	3.21 g/sm³
硬度 / Fahamafisana	2500 维氏硬度（500g entana）
晶粒大小 / Haben'ny voamaina	2~10μm
纯度 / Fahadiovana simika	99.99995%
热容 / Fahafahana mafana	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Hafanana Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Tanjaka miolikolika	415 MPa RT 4-teboka
杨氏模量 / Modulus an'i Young	430 Gpa 4pt miolikolika, 1300℃
导热系数 / ThermalFitondran-tena	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Fanitarana ny hafanana (CTE)	4.5×10^-6K^-1