Siliziumkarbidbeschichtete Wafer-Suszeptorscheibe

Abbildung einer mit Siliziumkarbid beschichteten Wafer-Susceptor-Scheibe

Kurzbeschreibung:

Die mit Siliziumkarbid beschichtete Wafer-Suszeptorscheibe von VET Energy ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine gleichbleibende und zuverlässige Leistung über einen langen Zeitraum entwickelt wurde. Sie zeichnet sich durch hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit, hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist somit die ideale Lösung für die Waferbearbeitung.

Senden Sie uns eine E-Mail. Als PDF herunterladen

Produktdetails

Produkt-Tags

Siliziumkarbid-Waferscheiben sind eine Schlüsselkomponente in verschiedenen Halbleiterfertigungsprozessen. Mithilfe unserer patentierten Technologie fertigen wir Siliziumkarbidscheiben mit extrem hoher Reinheit, gleichmäßiger Beschichtung, langer Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.

VET Energy ist ein führender Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC, TaC, pyrolytischem Kohlenstoff, Glaskohlenstoff usw. Wir liefern diverse kundenspezifische Bauteile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt aus renommierten inländischen Forschungseinrichtungen und bietet Ihnen professionelle Materiallösungen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die eine festere Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat ermöglicht und die Ablösung verringert.

FEigenschaften unserer Produkte:

1. Hohe Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit undthermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und höhere Widerstandsfähigkeit

CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β-Phase多晶, 主要为（111）取向
密度 / Dichte	3,21 g/cm³
硬度 / Härte	2500 U/min (500 g Ladung)
晶粒大小 / Korngröße	2–10 μm
纯度 Chemische Reinheit	99,99995 %
热容 / Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimationstemperatur	2700℃
抗弯强度 / Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Elastizitätsmodul	430 GPA 4pt Biegung, 1300℃
导热系数 / ThermelLeitfähigkeit	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1