Oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC)

A oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) de VET Energy é un material semicondutor de alto rendemento e banda prohibida ampla con excelentes características de resistencia a altas temperaturas, alta frecuencia e alta potencia. É un substrato ideal para a nova xeración de dispositivos electrónicos de potencia. VET Energy emprega tecnoloxía epitaxial MOCVD avanzada para cultivar capas epitaxiais de SiC de alta calidade sobre substratos de SiC, garantindo o excelente rendemento e a consistencia da oblea.

A nosa oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) ofrece unha excelente compatibilidade cunha variedade de materiais semicondutores, incluíndo obleas de Si, substratos de SiC, obleas de SOI e substratos de SiN. Coa súa robusta capa epitaxial, admite procesos avanzados como o crecemento de obleas Epi e a integración con materiais como o óxido de galio Ga2O3 e a oblea de AlN, o que garante un uso versátil en diferentes tecnoloxías. Deseñada para ser compatible cos sistemas de manexo de casetes estándar da industria, garante operacións eficientes e optimizadas en entornos de fabricación de semicondutores.

A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas epitaxiais de SiC. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutores, incluíndo obleas de Si, substratos de SiC, obleas de SOI, substratos de SiN, obleas de Epi, etc. Ademais, tamén estamos a desenvolver activamente novos materiais semicondutores de banda prohibida ampla, como o óxido de galio Ga2O3 e a oblea de AlN, para satisfacer a futura demanda da industria da electrónica de potencia de dispositivos de maior rendemento.