Peza e montaxe de media lúa de grafito revestido de SiC para epitaxia de SiC

Peza de media lúa de grafito revestida de SiCé un compoñente clave empregado nos procesos de fabricación de semicondutores, especialmente para equipos epitaxiais de SiC. O seu deseño estrutural e as propiedades do material determinan directamente a calidade e a eficiencia da produción das obleas epitaxiais.

Construción da cámara de reacción:
A parte de media lúa está composta por dúas partes, a superior e a inferior, que están unidas para formar unha cámara de crecemento pechada, que aloxa o substrato de carburo de silicio (xeralmente 4H-SiC ou 6H-SiC) e consegue o crecemento da capa epitaxial controlando con precisión o campo de fluxo de gas (como unha mestura de SiH₄, C₃H₈ e H₂).
Regulación do campo de temperatura:
A base de grafito de alta pureza combinada coa bobina de quecemento por indución pode manter a uniformidade da temperatura da cámara (dentro de ±5 °C) a unha temperatura alta de 1500-1700 °C para garantir a consistencia do grosor da capa epitaxial.
Guía do fluxo de aire:
Ao deseña-la posición da entrada e saída de aire (como a entrada de aire lateral e a saída de aire superior do corpo horizontal do forno), o fluxo laminar de gas de reacción guíase a través da superficie do substrato para reducir os defectos de crecemento causados ​​pola turbulencia.

Material base: grafito de alta pureza
Requisitos de pureza:contido de carbono ≥99,99 %, contido de cinzas ≤5 ppm, para garantir que non se precipiten impurezas que contaminen a capa epitaxial a altas temperaturas.
Vantaxes de rendemento:
Alta condutividade térmica:A condutividade térmica á temperatura ambiente alcanza os 150 W/(m·K), o que é próximo ao nivel do cobre e pode transferir calor rapidamente.
Baixo coeficiente de expansión:5×10^-6/℃ (25-1000℃), coincidindo co substrato de carburo de silicio (4,2 × 10^-6/℃), reducindo o rachado do revestimento causado pola tensión térmica.
Precisión do procesamento:Mediante o mecanizado CNC conséguese unha tolerancia dimensional de ±0,05 mm para garantir a selaxe da cámara.

Aplicacións diferenciadas de SiC por CVD e TaC por CVD