Wafer Epitaxial Silisyòm Carbide (SiC)

Wafer epitaksiyal VET Energy Silisyòm kabid (SiC) a se yon materyèl semi-kondiktè ki gen gwo espas bann ak pèfòmans segondè, ki gen ekselan rezistans tanperati ki wo, karakteristik frekans ki wo ak gwo puisans. Li se yon substra ideyal pou nouvo jenerasyon aparèy elektwonik puisans. VET Energy itilize teknoloji epitaksiyal MOCVD avanse pou fè kouch epitaksiyal SiC ki gen kalite siperyè grandi sou substra SiC yo, sa ki asire pèfòmans ak konsistans ekselan wafer la.

Wafer Epitaxial Silisyòm Karbid (SiC) nou an ofri ekselan konpatibilite ak yon varyete materyèl semi-kondiktè tankou Wafer Si, Substra SiC, Wafer SOI, ak Substra SiN. Avèk kouch epitaxial solid li a, li sipòte pwosesis avanse tankou kwasans Wafer Epi ak entegrasyon ak materyèl tankou Oksid Galyòm Ga2O3 ak Wafer AlN, sa ki asire yon itilizasyon versatile atravè diferan teknoloji. Ki fèt pou konpatib ak sistèm manyen kasèt estanda endistri yo, li asire operasyon efikas ak senplifye nan anviwònman fabrikasyon semi-kondiktè.

Liy pwodwi VET Energy a pa limite a wafer epitaksyal SiC sèlman. Nou ofri tou yon pakèt materyèl substrat semi-kondiktè, tankou Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye. Anplis de sa, nou ap devlope aktivman nouvo materyèl semi-kondiktè ak gwo espas bann, tankou Galyòm Oksid Ga2O3 ak AlN Wafer, pou satisfè demann endistri elektwonik pouvwa a nan lavni pou aparèy ki gen pi gwo pèfòmans.