د قضیې مطالعه: د N-ډول سیلیکون ودې کې د 32 انچ مونوکریسټالین حرارتي ساحو لپاره د لوړ پاکوالي ګرافایټ اجزا
لیکوال:ډاکټر سټیون کیو، د VET انرژۍ کې د سیمیکمډکټر موادو لوړ پوړی انجینر او تخنیکي رییس
خپور شوی:اګست ۲۰۲۶ | د تخنیکي ساحې راپور او انجینرۍ تحلیل
اجرایوي لنډیز او د پروژې عمومي کتنه
- صنعت:د سولر PV او سیمیکمډکټر سیلیکون ویفر تولید
- پروسه:کوزوکرالسکي (CZ) N-ډول (TOPCon/HJT) مونوکریسټالین انګوټ کشول
- وسایل:د ۳۲ انچه لوی قطر حرارتي ساحې کوټې (۵۰ واحدونه ارزول شوي)
- حل:ژور هالوجن پاک شوي ایزوسټاټیک ګرافایټ اجزا (ایش ≤ 2-5 ppm) + CVD SiC کوټینګ
- کمي اغېز:د اقلیتي کیریر ژوند موده له <100 μs څخه >380 μs ته لوړه شوه؛ د انګوټ حاصلات +18٪؛ د تودوخې ساحې ژوند موده +30٪.
سریزه: د لوړ موثریت N-ډول سیلیکون ودې کې د 32 انچه تودوخې ساحې ننګونه
لکه څنګه چې د فوتوولټیک صنعت په چټکۍ سره د P-ډول PERC څخه N-ډول TOPCon او Heterojunction (HJT) سولر سیلونو ته لیږدوي، د لوړ پاکوالي سیلیکون ویفرونو غوښتنه اسمان ته رسیدلې ده. د N-ډول سیلیکون سبسټریټونه خورا لوړ اقلیتي کیریر ژوند (معمولا> 300 μs) او نږدې صفر لیږد فلزي ناپاکۍ ککړتیا ته اړتیا لري.
د تولید د زیاتوالي لپاره، د سیلیکون ویفر جوړونکي د کروسیبل اندازې 32 انچو او له هغې څخه پورته پراخوي. په هرصورت، په 32 انچه حرارتي ساحه کې د 1,450 درجو سانتي ګراد څخه ډیر تودوخې کې کار کول د انجینرۍ جدي ننګونې معرفي کوي:
- د تودوخې تخریب او نا متناسب والی:په معیاري ګرافایټ هیټرونو او پیډسټالونو کې د تودوخې ډېر لوړ تدریجي بدلونونه د جوړښتي خرابوالي او درزونو لامل کیږي.
- بې ثباته فلزات ککړتیا:د دودیز ګرافایټ دننه د ناپاکۍ عناصر (Fe، Ni، Cu، V) د اوږدې مودې کرسټال کشولو په جریان کې بخار کیږي، په مستقیم ډول په پړسوب شوي سیلیکون کې مهاجرت کوي او د شدید اقلیتي کیریر ژوند تخریب لامل کیږي.
د انجینرۍ حل: الټرا پاک شوی اسوسټیټیک ګرافیټ او د CVD SiC شیلډینګ
د دې تخنیکي خنډونو د لرې کولو لپاره، ویټیک سیمیکمډکټر د ټول 32 انچه تودوخې ساحې اسمبلۍ کې د موادو جامع اپ گریڈ ځای په ځای کړ، چې د لوړ کثافت ایزوسټاټیک ګرافایټ څخه جوړ دی چې د لوړ تودوخې هالوجن پاکولو او محافظتي CVD سیلیکون کاربایډ (SiC) کوټینګونو سره مخ دی.
۱. د هالوجن ژوره تصفیه (د ایش مقدار ≤ ۲-۵ ppm)
معیاري صنعتي ګرافایټ د 50 ppm او 200 ppm ترمنځ د ایش مقدار لري. د خلا لاندې په 1,450 ° C کې، دا ټریس عناصر بې ثباته کیږي. زموږ ملکیت د لوړ تودوخې هالوجن ګاز پاکولو پروسه فلزي ناپاکۍ د 2,400 ° C څخه پورته تودوخې کې په بې ثباته هالوجن مرکباتو (کلورایډونه / فلورایډونه) بدلوي.
- د ګلو ډیسچارج ماس سپیکٹرومیټري (GDMS) ازموینهتاییدوي چې ټول فلزي ناپاکۍ (Fe، Cr، Ni، Cu، V) د 0.5 ppm څخه کمې شوي، چې د ≤ 2 ppm ټولیز ایش مواد ترلاسه کوي.
- پایله:د شاليد د فلزي ګاز ارتقا له منځه وړي، د 120+ ساعتونو دوامداره کشولو دورې په جریان کې د ویلې شوي سیلیکون حوض د ککړتیا څخه ساتي.
2. د تودوخې ثبات لپاره د لوړ کثافت ایزوسټاټیک ګرافایټ جوړښت
د ګرافایټ هیټر، کروسیبل سسپټر، او انسولیشن بیرل په ګډون اجزا د لوړ کثافت (1.85 g/cm³)، نفیس غلې (د غلې اندازه <10 μm) ایزوسټاټیک ګرافایټ څخه ماشین شوي دي. ایزوسټاټیک فشار ورکول یونیفورم ایزوسټاریک حرارتي توسع (CTE) تضمینوي، د تکراري حرارتي دورو لاندې د ځایی تودوخې فشار، وارپینګ او میخانیکي درزونو مخه نیسي.
۳. د CVD سیلیکون کاربایډ (SiC) محافظتي پوښښ
هغه مهم اجزا چې د سیلیکون بخار او زنګ وهونکي پاکونکي ګازونو سره مخ کیږي د کیمیاوي بخار زیرمو (CVD) سیلیکون کاربایډ (SiC) د 50-80 μm کثافت طبقې سره پوښل شوي.
- د زنګ وهلو خنډ:د بې ثباته سیلیکون بخار (SiO) او ګرافایټ سبسټریټ (SiO + 2C → SiC + CO) ترمنځ مستقیم کیمیاوي تعامل مخه نیسي، د سطحې تخریب او د کاربن دوړو تولید له منځه وړي.
- د هندسي دقت:د 30٪ اوږد خدمت وقفو څخه ډیر دقیق حرارتي ساحې جیومیټري ساتي.
د اندازه شوي فعالیت معلومات او د ساحې آزموینې اعتبار
د ټیر-۱ TOPCon سیلیکون ویفر تولیدي تاسیساتو کې د ۵۰ تولیدي کچې ۳۲ انچه CZ فرنسونو کې د ۶ میاشتو پرتلیزه ساحه آزموینه ترسره شوه. لاندې د ویټیک سیمیکمډکټر پاک شوي حرارتي ساحې حل سره د معیاري ګرافایټ اجزاو پرتله کولو فعالیت معیار دی:
| د فعالیت اندازه کول | د معیاري ګرافایټ حرارتي ساحه | د VeTek پاک شوي ګرافیت حل |
|---|---|---|
| د ګریفائټ بلک ایش مواد | ۵۰ - ۱۰۰ پی پی ایم | ≤ ۲ – ۵ ppm (هالوجن پاک شوی) |
| د فلزي ټول ناپاکۍ (GDMS) | ~۱۵ – ۳۰ ppm (Fe, Ni, V) | < ۰.۵ ppm |
| د اقلیتونو د اوسط ژوند موده | ۸۵ - ۱۲۰ μs (لوړ توپیر) | ۳۸۰ - ۴۵۰ μs (په دوامداره توګه لوړ) |
| د تودوخې ساحې اجزاو د ژوند موده | ۶۰ - ۷۵ د کشولو دورې | ۹۰ - ۱۰۵ د کشولو دورې (+۳۰٪) |
| د A- درجې N- ډوله انګوټ حاصلاتو کچه | ۷۴.۵٪ | ۹۲.۵٪ (+۱۸٪ د حاصلاتو ښه والی) |
ډیری پوښتل شوي پوښتنې (FAQ)
لومړۍ پوښتنه: د ۳۲ انچه N-ډول مونوکریسټالین سیلیکون په کشولو کې د حاصلاتو د ضایع کیدو اصلي لامل څه دی؟
الف ۱:د حاصلاتو ضایع په عمده توګه د فلزي ناپاکۍ ککړتیا (د لږکیو کیریر ژوند کمول) او د لوی قطر ګرافایټ هیټرونو ساختماني حرارتي خرابوالي له امله رامینځته کیږي، کوم چې د جامد مایع کرسټال انٹرفیس ګډوډوي.
دوهمه پوښتنه: د هالوجن پاکول څنګه د ایش محتوا د 5 ppm څخه ښکته ترلاسه کوي؟
A2:د هالوجن پاکول د ګرافایټ برخو ته د کلورین او فلورین ګازونو د داخلولو پرمهال د لوړې تودوخې (>2,400 °C) تابع کوي. دا ګازونه د ژورو فلزي عناصرو سره تعامل کوي، دوی په بې ثباته فلزي هالایډونو بدلوي چې بهر ته ځي، او خورا خالص ګرافایټ پریږدي.
۳ پوښتنه: ایا د CVD SiC کوټینګ بیا پوښل کیدی شي یا په ټولو ګرافایټ حرارتي ساحې برخو کې پلي کیدی شي؟
A3:د CVD SiC کوټینګ په مثالي ډول د لوړ اغوستلو اجزاو لکه ګرافایټ کروسیبلونو، جریان لارښودونو، هیټرونو، او موصلیت بیرلونو لپاره پلي کیږي. د سبسټریټ اغوستلو پورې اړه لري، غوره شوي اجزا بیا ماشین کیدی شي او بیا پوښل کیدی شي، چې ټول عملیاتي لګښتونه کموي.
پایله او تخنیکي مشوره
د CVD SiC محافظت سره د الټرا پاک شوي اسوسټیټیک ګرافایټ اجزاو ته لوړول د 32 انچ N-ډول مونوکریسټالین سیلیکون ودې کې د حاصلاتو او ناپاکۍ خنډونو حل کولو لپاره مستقیم، د اندازه کولو وړ لاره چمتو کوي. د لومړني حاصلاتو کې د 18٪ ښه والي او د 30٪ غزیدلي تودوخې ساحې عمر سره، د سولر ویفر جوړونکي کولی شي د پام وړ ROI ترلاسه کړي.
نن ورځ خپل مونوکریسټالین حرارتي ساحه غوره کړئ
د تخنیکي معلوماتو بشپړ پاڼه (TDS) ډاونلوډ کړئ یا د دودیز نرخ لپاره زموږ د انجینرۍ متخصصینو سره اړیکه ونیسئ.
نن ورځ خپل مونوکریسټالین حرارتي ساحه غوره کړئ
د تخنیکي معلوماتو بشپړ پاڼه (TDS) ډاونلوډ کړئ یا د دودیز نرخ لپاره زموږ د انجینرۍ متخصصینو سره اړیکه ونیسئ.
د پوسټ وخت: اګست-۱۵-۲۰۲۶