Neiegkeeten

BCD-Prozess
vum Admin den 24-09-18
Wat ass de BCD-Prozess? De BCD-Prozess ass eng integréiert Prozesstechnologie mat engem eenzege Chip, déi fir d'éischt vun ST am Joer 1986 agefouert gouf. Dës Technologie kann bipolar, CMOS- an DMOS-Geräter um selwechte Chip erstellen. Säin Optrëtt reduzéiert d'Fläch vum Chip staark. Et kann ee soen, datt de BCD-Prozess déi voll...
Liest méi
BJT, CMOS, DMOS an aner Halbleiterprozesstechnologien
vum Admin den 24-09-10
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Wärend d'Produktiounsprozesser fir Hallefleeder weider Duerchbréch maachen, zirkuléiert eng berühmt Ausso mam Numm "Moore's Law" an der Industrie. Et gouf p...
Liest méi
Flow-Etching vum Halbleiter-Musterprozess
vum Admin den 24-09-10
Déi fréi Naassätzung huet d'Entwécklung vu Reinigungs- oder Äschungsprozesser gefördert. Hautdesdaags ass d'Dréchenätzung mat Plasma zum Mainstream-Ätzprozess ginn. Plasma besteet aus Elektronen, Kationen a Radikaler. D'Energie, déi op de Plasma applizéiert gëtt, verursaacht, datt déi baussenzeg Elektronen vum ...
Liest méi
Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC epitakzialuewen an homoepitaxialen Prozess-II
vum Admin den 24-09-04
2 Experimentell Resultater an Diskussioun 2.1 Epitaktesch Schichtdicke an Uniformitéit Epitaktesch Schichtdicke, Dotierungskonzentratioun an Uniformitéit sinn ee vun den Haaptindikatoren fir d'Qualitéit vun epitaktischen Waferen ze beuerteelen. Genee kontrolléierbar Dicke, Dotierungskonzentratioun...
Liest méi
Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC epitakzialuewen an homoepitaxialen Prozess-Ⅰ
vum Admin den 24-09-04
Aktuell transforméiert sech d'SiC-Industrie vun 150 mm (6 Zoll) op 200 mm (8 Zoll). Fir der dréngender Nofro no groussen, héichqualitativen SiC-Homoepitaxialwaferen an der Industrie gerecht ze ginn, goufen 150 mm an 200 mm 4H-SiC-Homoepitaxialwaferen erfollegräich op Do...
Liest méi
Optimiséierung vun der poröser Kuelestoffporestruktur -Ⅱ
vum Admin den 24-08-27
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Physikalesch a chemesch Aktivéierungsmethod D'physikalesch a chemesch Aktivéierungsmethod bezitt sech op d'Method fir poréis Materialien ze preparéieren andeems déi uewe genannten zwou Aktiounsweisen kombinéiert ginn...
Liest méi
Optimiséierung vun der poröser Kuelestoffporestruktur-Ⅰ
vum Admin den 24-08-27
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Dëse Pabeier analyséiert den aktuellen Aktivkuelmaart, féiert eng detailléiert Analyse vun de Rohmaterialien vun Aktivkuel duerch, stellt d'Porenstruktur vir...
Liest méi
Hallefleiterprozessfluss-Ⅱ
vum Admin den 24-08-23
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Ätzen vu Poly a SiO2: Duerno ginn den iwwerschëssege Poly a SiO2 ewechgeätzt, dat heescht ewechgeholl. Zu dësem Zäitpunkt gëtt direktional Ätzen benotzt. Bei der Klassifikatioun...
Liest méi
Prozessfluss am Hallefleiter
vum Admin den 24-08-23
Dir kënnt et verstoen, och wann Dir nach ni Physik oder Mathematik studéiert hutt, awer et ass e bëssen ze einfach a gëeegent fir Ufänger. Wann Dir méi iwwer CMOS wësse wëllt, musst Dir den Inhalt vun dëser Ausgab liesen, well eréischt nodeems Dir de Prozessoflaf verstanen hutt (dat heescht...
Liest méi