English

သတင်းများ

  • ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖို၏နည်းပညာဆိုင်ရာအခက်အခဲများကားအဘယ်နည်း။

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖို၏နည်းပညာဆိုင်ရာအခက်အခဲများကားအဘယ်နည်း။

    ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖိုသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကပစ္စည်းကိရိယာဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ရိုးရာပုံဆောင်ခဲဆီလီကွန်အဆင့်ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖိုနှင့် ဆင်တူသည်။ မီးဖိုဖွဲ့စည်းပုံသည် အလွန်ရှုပ်ထွေးခြင်းမရှိပါ။ ၎င်းကို အဓိကအားဖြင့် မီးဖိုကိုယ်ထည်၊ အပူပေးစနစ်၊ ကွိုင်ထုတ်လွှင့်မှုယန္တရား... တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial အလွှာရဲ့ ချို့ယွင်းချက်တွေက ဘာတွေလဲ

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial အလွှာရဲ့ ချို့ယွင်းချက်တွေက ဘာတွေလဲ

    SiC epitaxial ပစ္စည်းများ၏ ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကနည်းပညာမှာ ပထမဦးစွာ ချို့ယွင်းချက်ထိန်းချုပ်မှုနည်းပညာဖြစ်ပြီး၊ အထူးသဖြင့် စက်ပစ္စည်းချို့ယွင်းမှု သို့မဟုတ် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ယိုယွင်းပျက်စီးမှုဖြစ်နိုင်ခြေရှိသော ချို့ယွင်းချက်ထိန်းချုပ်မှုနည်းပညာအတွက်ဖြစ်သည်။ epi အတွင်းသို့ ကျယ်ပြန့်သော substrate ချို့ယွင်းချက်များ၏ ယန္တရားကို လေ့လာခြင်း...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • အောက်ဆီဒေးရှင်းဓာတ်ပါဝင်သော ရပ်နေသော အစေ့အဆန်နှင့် အပေါ်ယံလွှာကြီးထွားမှုနည်းပညာ-II

    အောက်ဆီဒေးရှင်းဓာတ်ပါဝင်သော ရပ်နေသော အစေ့အဆန်နှင့် အပေါ်ယံလွှာကြီးထွားမှုနည်းပညာ-II

    ၂။ Epitaxial ပါးလွှာသောအလွှာကြီးထွားမှု အောက်ခံသည် Ga2O3 ပါဝါကိရိယာများအတွက် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအထောက်အပံ့အလွှာ သို့မဟုတ် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာကို ပေးသည်။ နောက်ထပ်အရေးကြီးသောအလွှာမှာ ဗို့အားခုခံမှုနှင့် သယ်ဆောင်သူသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအတွက် အသုံးပြုသော channel layer သို့မဟုတ် epitaxial layer ဖြစ်သည်။ ပြိုကွဲနေသောဗို့အားကို တိုးမြှင့်ရန်နှင့် ကွန်ဒတ်ရှင်ကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေရန်အတွက်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာ

    ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာ

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) နှင့် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက် (GaN) တို့ဖြင့် ကိုယ်စားပြုသော Wide bandgap (WBG) တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အာရုံစိုက်မှုကို ရရှိခဲ့သည်။ လျှပ်စစ်ယာဉ်များနှင့် ဓာတ်အားလိုင်းများတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ အသုံးချမှုအလားအလာများအပြင် ဂယ်လီယမ်၏ အသုံးချမှုအလားအလာများအပေါ် လူများက မျှော်လင့်ချက်မြင့်မားကြသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာအတားအဆီးတွေက ဘာတွေလဲ။Ⅱ

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာအတားအဆီးတွေက ဘာတွေလဲ။Ⅱ

    တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်နိုင်သော အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများတွင် နည်းပညာဆိုင်ရာအခက်အခဲများတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်- ၁) ပုံဆောင်ခဲများသည် ၂၀၀၀°C အထက် အပူချိန်မြင့်မားစွာပိတ်ထားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် ကြီးထွားရန် လိုအပ်သောကြောင့် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်ချက်များသည် အလွန်မြင့်မားသည်။ ၂) ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် ရှိသောကြောင့် ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာအတားအဆီးတွေက ဘာတွေလဲ။

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာအတားအဆီးတွေက ဘာတွေလဲ။

    ပထမမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများကို ရိုးရာ silicon (Si) နှင့် germanium (Ge) တို့က ကိုယ်စားပြုပြီး ၎င်းတို့သည် integrated circuit ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အခြေခံများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ကို low-voltage၊ low-frequency နှင့် low-power transistors များနှင့် detectors များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။ semiconductor ထုတ်ကုန်များ၏ 90% ကျော်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • SiC မိုက်ခရိုမှုန့်ကို ဘယ်လိုထုတ်လုပ်ထားလဲ။

    SiC မိုက်ခရိုမှုန့်ကို ဘယ်လိုထုတ်လုပ်ထားလဲ။

    SiC တစ်ပုံဆောင်ခဲသည် Si နှင့် C ဒြပ်စင်နှစ်ခုဖြင့် 1:1 အချိုးဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော Group IV-IV ဒြပ်ပေါင်း semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မာကျောမှုသည် စိန်ပြီးလျှင် ဒုတိယနေရာတွင်ရှိသည်။ SiC ကိုပြင်ဆင်ရန် ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်၏ ကာဗွန်လျှော့ချခြင်းနည်းလမ်းသည် အဓိကအားဖြင့် အောက်ပါဓာတုဓာတ်ပြုမှုဖော်မြူလာပေါ်တွင် အခြေခံသည်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • epitaxial layer တွေက semiconductor device တွေကို ဘယ်လိုကူညီပေးသလဲ။

    epitaxial layer တွေက semiconductor device တွေကို ဘယ်လိုကူညီပေးသလဲ။

    epitaxial wafer ဆိုတဲ့နာမည်ရဲ့ မူလအစ ပထမဦးစွာ၊ အယူအဆလေးတစ်ခုကို လူသိများအောင် လုပ်ကြည့်ရအောင်- wafer ပြင်ဆင်မှုမှာ အဓိကလင့်ခ်နှစ်ခု ပါဝင်ပါတယ်- substrate ပြင်ဆင်မှုနဲ့ epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်။ substrate ဆိုတာ semiconductor single crystal ပစ္စည်းနဲ့ ပြုလုပ်ထားတဲ့ wafer တစ်ခုပါ။ substrate ဟာ wafer ထုတ်လုပ်ရေးဌာနကို တိုက်ရိုက်ဝင်ရောက်နိုင်ပါတယ်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဓာတုအငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု (CVD) အလွှာပါးထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာမိတ်ဆက်

    ဓာတုအငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု (CVD) အလွှာပါးထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာမိတ်ဆက်

    ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) သည် အရေးကြီးသော အလွှာပါးစုပုံခြင်းနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ပြီး လုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာ အလွှာအမျိုးမျိုးနှင့် အလွှာပါးပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ၁။ CVD ၏ အလုပ်လုပ်ပုံမူ CVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဓာတ်ငွေ့အကြို (တစ်ခု သို့မဟုတ်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
<<< ယခင်12131415161718နောက်တစ်ခု >>> စာမျက်နှာ ၁၅ / ၆၇
WhatsApp အွန်လိုင်းချတ်!