တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း CVD စက်ပစ္စည်းများတွင် PECVD နှင့် LPCVD အကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။

ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) ဆိုသည်မှာ ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အစိုင်အခဲအလွှာတစ်ခု စုပုံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ဝေဖာဓာတ်ငွေ့ရောစပ်မှု၏ ဓာတုဓာတ်ပြုမှုမှတစ်ဆင့်။ မတူညီသော ဓာတ်ပြုမှုအခြေအနေများ (ဖိအား၊ ရှေ့ပြေးနိမိတ်) အရ၊ ၎င်းကို ကိရိယာမော်ဒယ်အမျိုးမျိုးအဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်။

ဒီကိရိယာနှစ်ခုကို ဘယ်လုပ်ငန်းစဉ်တွေအတွက် အသုံးပြုသလဲ။

PECVD(Plasma Enhanced) ပစ္စည်းကိရိယာများသည် အများပြားဆုံးနှင့် အသုံးအများဆုံးဖြစ်ပြီး OX၊ Nitride၊ metal gate၊ amorphous carbon စသည်တို့တွင် အသုံးပြုကြသည်။ LPCVD (Low Power) ကို Nitride၊ poly၊ TEOS တို့တွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
မူကဘာလဲ။
PECVD - ပလာစမာစွမ်းအင်နှင့် CVD ကို ပြီးပြည့်စုံစွာ ပေါင်းစပ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ PECVD နည်းပညာသည် အပူချိန်နိမ့်သော ပလာစမာကို အသုံးပြု၍ လုပ်ငန်းစဉ်အခန်း (ဆိုလိုသည်မှာ နမူနာဗန်း) ၏ ကက်သုတ်တွင် အလင်းရောင်ထုတ်လွှတ်မှုကို ဖိအားနည်းနည်းဖြင့် ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ ဤအလင်းရောင်ထုတ်လွှတ်မှု သို့မဟုတ် အခြားအပူပေးသည့်ကိရိယာသည် နမူနာ၏အပူချိန်ကို ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသောအဆင့်သို့ မြှင့်တင်ပြီးနောက် ထိန်းချုပ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်ဓာတ်ငွေ့ပမာဏကို ထည့်သွင်းပေးနိုင်သည်။ ဤဓာတ်ငွေ့သည် ဓာတုဗေဒနှင့် ပလာစမာဓာတ်ပြုမှုများ ဆက်တိုက်ဖြစ်ပေါ်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် နမူနာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အစိုင်အခဲအလွှာတစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းပေးသည်။

LPCVD - ဖိအားနည်း ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (LPCVD) ကို ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်းရှိ ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့၏ လည်ပတ်မှုဖိအားကို 133Pa ခန့် သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းအောင် လျှော့ချရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။

တစ်ခုချင်းစီရဲ့ ဝိသေသလက္ခဏာတွေက ဘာတွေလဲ။

PECVD - ပလာစမာစွမ်းအင်နှင့် CVD ကို ပြီးပြည့်စုံစွာ ပေါင်းစပ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခု- ၁) အပူချိန်နိမ့်လည်ပတ်မှု (စက်ပစ္စည်းများကို အပူချိန်မြင့်မားစွာ ပျက်စီးခြင်းမှ ရှောင်ရှားခြင်း)၊ ၂) အလွှာလျင်မြန်စွာ ကြီးထွားခြင်း၊ ၃) ပစ္စည်းများကို ရွေးချယ်ခြင်းမရှိပါ၊ OX၊ နိုက်ထရိုက်၊ သတ္တုဂိတ်၊ amorphous carbon အားလုံး ကြီးထွားနိုင်သည်။ ၄) အိုင်းယွန်းကန့်သတ်ချက်များ၊ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှုန်း၊ အပူချိန်နှင့် အလွှာအထူမှတစ်ဆင့် ချက်ပြုတ်နည်းကို ချိန်ညှိနိုင်သည့် in-situ စောင့်ကြည့်ရေးစနစ်တစ်ခုရှိသည်။
LPCVD - LPCVD မှ ඔප දැමීමීමීමීමීමීමීම්ත ...