သတင်းများ

SiC ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကနည်းပညာသုံးခု
admin မှ ၂၄-၀၇-၀၁ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ပုံ ၃ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း SiC single crystal ကို အရည်အသွေးမြင့်မားပြီး ထိရောက်မှုရှိစေရန် ရည်ရွယ်သည့် အဓိကနည်းပညာသုံးခုရှိသည်- liquid phase epitaxy (LPE)၊ physical vapor transport (PVT) နှင့် high-temperature chemical vapor deposition (HTCVD)။ PVT သည် SiC sin... ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ကောင်းစွာတည်ထောင်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တတိယမျိုးဆက် semiconductor GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာ အကျဉ်းချုပ် မိတ်ဆက်
၂၄-၀၆-၂၈ ရက်တွင် admin မှ
၁။ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
၂၃.၅ ဘီလီယံ၊ ဆူးကျိုးရဲ့ စူပါယူနီကွန်က IPO လုပ်တော့မယ်
၂၄-၀၆-၂၈ ရက်တွင် admin မှ
၉ နှစ်ကြာ စွန့်ဦးတီထွင်မှုအပြီးတွင် Innoscience သည် စုစုပေါင်းငွေကြေးထောက်ပံ့မှု ယွမ် ၆ ဘီလီယံကျော် ရရှိခဲ့ပြီး ၎င်း၏တန်ဖိုးမှာ အံ့အားသင့်ဖွယ် ယွမ် ၂၃.၅ ဘီလီယံအထိ ရောက်ရှိခဲ့သည်။ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံသူများစာရင်းတွင် ကုမ္ပဏီများစွာပါဝင်သည်- Fukun Venture Capital၊ Dongfang State-owned Assets၊ Suzhou Zhanyi၊ Wujian...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တန္တလမ်ကာဗိုက်ဖြင့် ಲೇಪထားသော ထုတ်ကုန်များသည် ပစ္စည်းများ၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကို မည်သို့မြှင့်တင်ပေးသနည်း။
၂၄-၀၆-၂၅ ရက်တွင် admin မှ
တန္တလမ်ကာဗိုက်အပေါ်ယံလွှာသည် အသုံးများသော မျက်နှာပြင်ကုသမှုနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ပစ္စည်းများ၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကို သိသိသာသာတိုးတက်စေနိုင်သည်။ တန္တလမ်ကာဗိုက်အပေါ်ယံလွှာကို ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း၊ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပြုပြင်ခြင်းစသည့် မတူညီသောပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများမှတစ်ဆင့် အလွှာ၏မျက်နှာပြင်တွင် ကပ်နိုင်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တတိယမျိုးဆက် semiconductor GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာမိတ်ဆက်ခြင်း
၂၄-၀၆-၂၅ ရက်တွင် admin မှ
၁။ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် f ကို ချမှတ်ခဲ့သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများကြီးထွားမှုအပေါ် porous graphite ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် numerical simulation လေ့လာမှု
admin မှ ၂၄-၀၆-၁၈ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၏ အခြေခံလုပ်ငန်းစဉ်ကို အပူချိန်မြင့်မားသောနေရာတွင် ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ၏ sublimation နှင့် decomposition၊ အပူချိန် gradient ၏လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် gas phase ပစ္စည်းများကို သယ်ယူပို့ဆောင်ခြင်းနှင့် seed crystal တွင် gas phase ပစ္စည်းများ၏ recrystallization ကြီးထွားမှုဟူ၍ ခွဲခြားထားသည်။ ဤအပေါ်အခြေခံ၍...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
အထူးဂရပ်ဖိုက်အမျိုးအစားများ
admin မှ ၂၄-၀၆-၁၇ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
အထူးဂရပ်ဖိုက်သည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု၊ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆနှင့် မြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိရှိသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ချေးခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်း၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ကောင်းမွန်သောလျှပ်စစ်စီးကူးမှုတို့ရှိသည်။ ၎င်းကို မြင့်မားသောအပူချိန်အပူပေးခြင်းနှင့် မြင့်မားသောဖိအားဖြင့် ပြုပြင်ပြီးနောက် သဘာဝ သို့မဟုတ် လူလုပ်ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ပါးလွှာသောဖလင်စုပုံခြင်းပစ္စည်းကိရိယာများကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း - PECVD/LPCVD/ALD ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အခြေခံမူများနှင့် အသုံးချမှုများ
၂၄-၀၆-၁၂ ရက်တွင် admin မှ
အလွှာပါးလွှာသော စုပုံခြင်းဆိုသည်မှာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အဓိကအလွှာပေါ်တွင် အလွှာလွှာတစ်ခုကို အုပ်မိုးခြင်းဖြစ်သည်။ ဤအလွှာကို အပူလျှပ်ကာဒြပ်ပေါင်း ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပိုလီဆီလီကွန်၊ သတ္တုကြေးနီ စသည်တို့ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးဖြင့် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ အလွှာပါးလွှာသော စုပုံခြင်းအတွက် အသုံးပြုသော စက်ပစ္စည်းကို အလွှာပါးလွှာသော စုပုံခြင်းဟုခေါ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
monocrystalline silicon ကြီးထွားမှု၏ အရည်အသွေးကို ဆုံးဖြတ်ပေးသော အရေးကြီးသော ပစ္စည်းများ - အပူစက်ကွင်း
၂၄-၀၆-၁၂ ရက်တွင် admin မှ
monocrystalline silicon ၏ ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို thermal field တွင် အပြည့်အဝလုပ်ဆောင်သည်။ ကောင်းမွန်သော thermal field သည် crystals များ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပြီး crystallization efficiency ပိုမိုမြင့်မားသည်။ thermal field ၏ ဒီဇိုင်းသည် အပူချိန် gradient များ၏ ပြောင်းလဲမှုများကို အဓိကအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ

<<< ယခင်11 12 13 14 15 16 17 နောက်တစ်ခု >>> စာမျက်နှာ ၁၄ / ၆၇

သတင်းများ

SiC ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကနည်းပညာသုံးခု

တတိယမျိုးဆက် semiconductor GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာ အကျဉ်းချုပ် မိတ်ဆက်

၂၃.၅ ဘီလီယံ၊ ဆူးကျိုးရဲ့ စူပါယူနီကွန်က IPO လုပ်တော့မယ်

တန္တလမ်ကာဗိုက်ဖြင့် ಲೇಪထားသော ထုတ်ကုန်များသည် ပစ္စည်းများ၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကို မည်သို့မြှင့်တင်ပေးသနည်း။

တတိယမျိုးဆက် semiconductor GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာမိတ်ဆက်ခြင်း

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများကြီးထွားမှုအပေါ် porous graphite ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် numerical simulation လေ့လာမှု

အထူးဂရပ်ဖိုက်အမျိုးအစားများ

monocrystalline silicon ကြီးထွားမှု၏ အရည်အသွေးကို ဆုံးဖြတ်ပေးသော အရေးကြီးသော ပစ္စည်းများ - အပူစက်ကွင်း

SiC Cantilever Paddle က ဘာကြောင့် အရေးကြီးတာလဲ...

SiC ပျံ့နှံ့ပြွန်ဆိုတာ ဘာလဲ။ လုပ်ဆောင်ချက်များ၊ ...

Porous Graphite ဆိုတာဘာလဲ။ ဂုဏ်သတ္တိများ၊ အသုံးချမှု...

ဂရပ်ဖိုက်ဖယ်လ်ရဲ့ အသုံးချမှုတွေက ဘာတွေလဲ။

ဂရပ်ဖိုက် ဘိုင်ပိုလာပြားများ ဖူကူရှီးမားတွင် မည်သို့အလုပ်လုပ်သည်...