BCD процессы нәрсә ул?
BCD процессы - ST тарафыннан 1986 елда беренче тапкыр тәкъдим ителгән бер чиплы интеграцияләнгән процесс технологиясе. Бу технология бер үк чипта биполяр, CMOS һәм DMOS җайланмаларын ясый ала. Аның тышкы кыяфәте чип мәйданын шактый киметә.
BCD процессы биполяр йөртү мөмкинлеге, CMOS югары интеграциясе һәм түбән энергия куллану, шулай ук DMOS югары көчәнеш һәм югары ток агымы сыйдырышлыгы өстенлекләрен тулысынча куллана дип әйтергә мөмкин. Алар арасында DMOS энергия һәм интеграцияне яхшыртуның төп ачкычы булып тора. Интеграль схема технологиясенең алга таба үсеше белән BCD процессы PMICның төп җитештерү технологиясенә әйләнде.
BCD процессының кисемтә схемасы, чыганак челтәре, рәхмәт
BCD процессының өстенлекләре
BCD процессы биполяр җайланмаларны, CMOS җайланмаларын һәм DMOS көч җайланмаларын бер үк чипта бер үк вакытта урнаштыра, биполяр җайланмаларның югары үткәрүчәнлеген һәм көчле йөкләнеш йөртү сәләтен, шулай ук CMOSның югары интеграциясен һәм түбән энергия куллануын берләштерә, шуңа күрә алар бер-берсен тулыландыра һәм үзләренең өстенлекләрен тулысынча куллана ала; шул ук вакытта DMOS бик түбән энергия куллану белән коммутация режимында эшли ала. Кыскасы, түбән энергия куллану, югары энергия нәтиҗәлелеге һәм югары интеграция BCDның төп өстенлекләренең берсе. BCD процессы энергия куллануны сизелерлек киметә, система эшчәнлеген яхшырта һәм ышанычлырак була ала. Электрон продуктларның функцияләре көннән-көн арта, һәм көчәнеш үзгәрешләренә, конденсаторны саклауга һәм батарея гомерен озайтуга таләпләр барган саен мөһимрәк була бара. BCDның югары тизлекле һәм энергия саклаучы үзенчәлекләре югары җитештерүчән аналог/энергия белән идарә итү чиплары өчен процесс таләпләренә туры килә.
BCD процессының төп технологияләре
BCD процессының типик җайланмаларына түбән вольтлы CMOS, югары вольтлы MOS лампалары, төрле ватылу көчәнешләре булган LDMOS, вертикаль NPN/PNP һәм Шоттки диодлары һ.б. керә. Кайбер процесслар шулай ук JFET һәм EEPROM кебек җайланмаларны берләштерә, нәтиҗәдә BCD процессында төрле җайланмалар барлыкка килә. Шуңа күрә, проектлауда югары вольтлы җайланмаларның һәм түбән вольтлы җайланмаларның, икеләтә басу процессларының һәм CMOS процессларының һ.б. туры килүен исәпкә алудан тыш, тиешле изоляция технологиясен дә карарга кирәк.
BCD изоляция технологиясендә тоташу изоляциясе, үзизоляция һәм диэлектрик изоляция кебек күп технологияләр бер-бер артлы барлыкка килде. Тоташу изоляциясе технологиясе - җайланманы P-типтагы субстратның N-типтагы эпитаксиаль катламында ясау һәм PN тоташуының кире тайпылыш үзенчәлекләрен кулланып изоляциягә ирешү, чөнки PN тоташуының кире тайпылыш астында бик югары каршылык бар.
Үз-үзен изоляцияләү технологиясе, нигездә, PN тоташу изоляциясе булып тора, ул җайланманың чыганак һәм дренаж өлкәләре һәм субстрат арасындагы табигый PN тоташу үзенчәлекләренә таянып, изоляциягә ирешә. MOS трубкасы кабызылганда, чыганак өлкәсе, дренаж өлкәсе һәм канал слабование өлкәсе белән әйләндереп алына, субстраттан изоляция барлыкка килә. Ул сүндерелгәндә, дренаж өлкәсе һәм субстрат арасындагы PN тоташу кире юнәлештә була, һәм чыганак өлкәсенең югары көчәнеше слабование өлкәсе белән изоляцияләнә.
Диэлектрик изоляция кремний оксиды кебек изоляцияләүче мохитне куллана, изоляциягә ирешү өчен. Диэлектрик изоляция һәм тоташу изоляциясенә нигезләнеп, икесенең дә өстенлекләрен берләштереп, квазидиэлектрик изоляция эшләнгән. Югарыда күрсәтелгән изоляция технологиясен сайлап кулланып, югары һәм түбән вольтлы туры килүчәнлеккә ирешергә мөмкин.
BCD процессының үсеш юнәлеше
BCD процесс технологиясенең үсеше стандарт CMOS процессына охшамаган, ул һәрвакыт Мур законына ияреп, кечерәк сызык киңлеге һәм тизрәк булу юнәлешендә үсеш алган. BCD процессы якынча дифференциацияләнә һәм өч юнәлештә үстерелә: югары көчәнеш, югары куәт һәм югары тыгызлык.
1. Югары көчәнешле BCD юнәлеше
Югары вольтлы BCD бер үк чипта бер үк вакытта югары ышанычлы түбән вольтлы идарә итү схемаларын һәм ультра югары вольтлы DMOS дәрәҗәсендәге схемаларны җитештерә ала, һәм 500-700В югары вольтлы җайланмалар җитештерүне гамәлгә ашыра ала. Ләкин, гомумән алганда, BCD әле дә көч җайланмаларына, бигрәк тә BJT яки югары токлы DMOS җайланмаларына карата чагыштырмача югары таләпләр куелган продуктлар өчен яраклы, һәм электрон яктырту һәм сәнәгать кушымталарында көч белән идарә итү өчен кулланылырга мөмкин.
Югары көчәнешле BCD җитештерүнең хәзерге технологиясе - 1979 елда Аппел һ.б. тарафыннан тәкъдим ителгән RESURF технологиясе. Җайланма өслек электр кыры таралышын тигезрәк итү өчен җиңел кушылган эпитаксиаль катлам кулланып ясалган, шуның белән өслекнең җимерелү үзенчәлекләрен яхшырта, шуңа күрә җимерелү өслектә түгел, ә корпуста була, шуның белән җайланманың җимерелү көчәнешен арттыра. Җиңел кушылу - BCDның җимерелү көчәнешен арттыруның тагын бер ысулы. Ул, нигездә, икеләтә таралган DDD (икеләтә кушылган дренаж) һәм җиңел кушылган LDD (җиңел кушылган дренаж) дренажын куллана. DMOS дренаж өлкәсендә N+ дренажы һәм P-тип субстрат арасындагы башлангыч контактны N-дренаж һәм P-тип субстрат арасындагы контактка үзгәртү өчен N-типтагы дрейф өлкәсе өстәлә, шуның белән җимерелү көчәнешен арттыра.
2. Югары куәтле BCD юнәлеше
Югары куәтле BCD-ның көчәнеш диапазоны 40-90 В тәшкил итә, һәм ул, нигездә, югары ток йөртү мөмкинлеген, уртача көчәнешне һәм гади идарә итү схемаларын таләп итүче автомобиль электроникасында кулланыла. Аның ихтыяҗ үзенчәлекләре - югары ток йөртү мөмкинлеге, уртача көчәнеш, һәм идарә итү схемасы еш кына чагыштырмача гади.
3. Югары тыгызлыктагы BCD юнәлеше
Югары тыгызлыктагы BCD, көчәнеш диапазоны 5-50 В, ә кайбер автомобиль электроникасы 70 В ка җитә. Бер үк чипта барган саен катлаулырак һәм төрле функцияләрне берләштерергә мөмкин. Югары тыгызлыктагы BCD продуктларны диверсификацияләүгә ирешү өчен кайбер модульле дизайн идеяләрен куллана, алар, нигездә, автомобиль электроникасы кушымталарында кулланыла.
BCD процессының төп кулланылышлары
BCD процессы энергия белән идарә итүдә (энергия һәм батарея белән идарә итү), дисплей җайланмасында, автомобиль электроникасында, сәнәгать белән идарә итүдә һ.б. киң кулланыла. Энергия белән идарә итү чипы (PMIC) - аналог чипларның мөһим төрләренең берсе. BCD процессы һәм SOI технологиясенең берләшүе дә BCD процессы үсешенең төп үзенчәлеге булып тора.
VET-China 30 көн эчендә графит детальләрен, йомшак каты киезне, кремний карбид детальләрен, cvD кремний карбид детальләрен һәм sic/Tac белән капланган детальләрне тәэмин итә ала.
Әгәр дә сез югарыда күрсәтелгән ярымүткәргеч продуктлар белән кызыксынсагыз, зинһар, беренче тапкыр безнең белән элемтәгә керергә курыкмагыз.
Тел.: +86-1891 1596 392
WhatsApp: 86-18069021720
Электрон почта:yeah@china-vet.com
Бастырылган вакыты: 2024 елның 18 сентябре