বিসিডি প্রক্রিয়া

BCD প্রক্রিয়া কী?

BCD প্রক্রিয়া হল একটি একক-চিপ সমন্বিত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি যা ST দ্বারা ১৯৮৬ সালে প্রথম চালু করা হয়েছিল। এই প্রযুক্তি একই চিপে বাইপোলার, CMOS এবং DMOS ডিভাইস তৈরি করতে পারে। এর চেহারা চিপের ক্ষেত্রফলকে অনেকাংশে হ্রাস করে।

এটা বলা যেতে পারে যে BCD প্রক্রিয়াটি বাইপোলার ড্রাইভিং ক্ষমতা, CMOS উচ্চ ইন্টিগ্রেশন এবং কম বিদ্যুৎ খরচ, এবং DMOS উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ কারেন্ট প্রবাহ ক্ষমতার সুবিধাগুলিকে সম্পূর্ণরূপে কাজে লাগায়। এর মধ্যে, DMOS হল শক্তি এবং ইন্টিগ্রেশন উন্নত করার চাবিকাঠি। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির আরও উন্নয়নের সাথে সাথে, BCD প্রক্রিয়া PMIC-এর মূলধারার উৎপাদন প্রযুক্তিতে পরিণত হয়েছে।

বিসিডি প্রক্রিয়ার ক্রস-সেকশনাল ডায়াগ্রাম, সোর্স নেটওয়ার্ক, ধন্যবাদ

BCD প্রক্রিয়ার সুবিধা

BCD প্রক্রিয়া বাইপোলার ডিভাইস, CMOS ডিভাইস এবং DMOS পাওয়ার ডিভাইসগুলিকে একই সময়ে একই চিপে তৈরি করে, বাইপোলার ডিভাইসগুলির উচ্চ ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স এবং শক্তিশালী লোড ড্রাইভিং ক্ষমতা এবং CMOS-এর উচ্চ ইন্টিগ্রেশন এবং কম পাওয়ার খরচকে একীভূত করে, যাতে তারা একে অপরের পরিপূরক হতে পারে এবং তাদের নিজ নিজ সুবিধাগুলিকে পূর্ণ ভূমিকা দিতে পারে; একই সময়ে, DMOS অত্যন্ত কম পাওয়ার খরচ সহ সুইচিং মোডে কাজ করতে পারে। সংক্ষেপে, কম পাওয়ার খরচ, উচ্চ শক্তি দক্ষতা এবং উচ্চ ইন্টিগ্রেশন BCD-এর অন্যতম প্রধান সুবিধা। BCD প্রক্রিয়া উল্লেখযোগ্যভাবে বিদ্যুৎ খরচ কমাতে পারে, সিস্টেমের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে পারে এবং আরও ভাল নির্ভরযোগ্যতা অর্জন করতে পারে। ইলেকট্রনিক পণ্যগুলির কার্যকারিতা দিন দিন বৃদ্ধি পাচ্ছে এবং ভোল্টেজ পরিবর্তন, ক্যাপাসিটর সুরক্ষা এবং ব্যাটারি লাইফ এক্সটেনশনের প্রয়োজনীয়তা ক্রমশ গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠছে। BCD-এর উচ্চ-গতি এবং শক্তি-সাশ্রয়ী বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন অ্যানালগ/পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপের জন্য প্রক্রিয়ার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।

BCD প্রক্রিয়ার মূল প্রযুক্তি

BCD প্রক্রিয়ার সাধারণ ডিভাইসগুলির মধ্যে রয়েছে কম-ভোল্টেজ CMOS, উচ্চ-ভোল্টেজ MOS টিউব, বিভিন্ন ব্রেকডাউন ভোল্টেজ সহ LDMOS, উল্লম্ব NPN/PNP এবং Schottky ডায়োড ইত্যাদি। কিছু প্রক্রিয়া JFET এবং EEPROM এর মতো ডিভাইসগুলিকেও একীভূত করে, যার ফলে BCD প্রক্রিয়ায় বিভিন্ন ধরণের ডিভাইস তৈরি হয়। অতএব, উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইস এবং কম-ভোল্টেজ ডিভাইসের সামঞ্জস্যতা, ডাবল-ক্লিক প্রক্রিয়া এবং CMOS প্রক্রিয়া ইত্যাদি বিবেচনা করার পাশাপাশি, নকশায় উপযুক্ত আইসোলেশন প্রযুক্তিও বিবেচনা করা উচিত।

BCD আইসোলেশন প্রযুক্তিতে, জংশন আইসোলেশন, সেলফ-আইসোলেশন এবং ডাইইলেক্ট্রিক আইসোলেশনের মতো অনেক প্রযুক্তি একের পর এক আবির্ভূত হয়েছে। জংশন আইসোলেশন প্রযুক্তি হল P-টাইপ সাবস্ট্রেটের N-টাইপ এপিট্যাক্সিয়াল স্তরে ডিভাইসটি তৈরি করা এবং বিচ্ছিন্নতা অর্জনের জন্য PN জংশনের বিপরীত পক্ষপাত বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করা, কারণ বিপরীত পক্ষপাতের অধীনে PN জংশনের খুব উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।

স্ব-বিচ্ছিন্নতা প্রযুক্তি মূলত পিএন জংশন আইসোলেশন, যা আইসোলেশন অর্জনের জন্য ডিভাইসের উৎস এবং ড্রেন অঞ্চল এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে প্রাকৃতিক পিএন জংশন বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে। যখন এমওএস টিউব চালু করা হয়, তখন উৎস অঞ্চল, ড্রেন অঞ্চল এবং চ্যানেল হ্রাস অঞ্চল দ্বারা বেষ্টিত থাকে, যা সাবস্ট্রেট থেকে বিচ্ছিন্নতা তৈরি করে। যখন এটি বন্ধ করা হয়, তখন ড্রেন অঞ্চল এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে পিএন জংশন বিপরীত পক্ষপাতদুষ্ট হয় এবং উৎস অঞ্চলের উচ্চ ভোল্টেজ হ্রাস অঞ্চল দ্বারা বিচ্ছিন্ন হয়।

ডাইইলেকট্রিক আইসোলেশনে সিলিকন অক্সাইডের মতো অন্তরক মাধ্যম ব্যবহার করে আইসোলেশন অর্জন করা হয়। ডাইইলেকট্রিক আইসোলেশন এবং জংশন আইসোলেশনের উপর ভিত্তি করে, উভয়ের সুবিধা একত্রিত করে কোয়াসি-ডাইলেকট্রিক আইসোলেশন তৈরি করা হয়েছে। উপরোক্ত আইসোলেশন প্রযুক্তিটি বেছে বেছে গ্রহণ করে, উচ্চ-ভোল্টেজ এবং নিম্ন-ভোল্টেজের সামঞ্জস্য অর্জন করা যেতে পারে।

বিসিডি প্রক্রিয়ার উন্নয়নের দিকনির্দেশনা

BCD প্রক্রিয়া প্রযুক্তির বিকাশ স্ট্যান্ডার্ড CMOS প্রক্রিয়ার মতো নয়, যা সর্বদা মুরের সূত্র অনুসরণ করে ছোট লাইন প্রস্থ এবং দ্রুত গতির দিকে বিকাশ করে। BCD প্রক্রিয়াটি মোটামুটিভাবে তিনটি দিকে বিভক্ত এবং বিকশিত হয়: উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ ঘনত্ব।

1. উচ্চ-ভোল্টেজ BCD দিক

উচ্চ-ভোল্টেজ BCD একই সময়ে একই চিপে উচ্চ-নির্ভরযোগ্যতা কম-ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ সার্কিট এবং অতি-উচ্চ-ভোল্টেজ DMOS-স্তরের সার্কিট তৈরি করতে পারে এবং 500-700V উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইসের উৎপাদন উপলব্ধি করতে পারে। যাইহোক, সাধারণভাবে, BCD এখনও পাওয়ার ডিভাইসের জন্য তুলনামূলকভাবে উচ্চ প্রয়োজনীয়তাযুক্ত পণ্যগুলির জন্য উপযুক্ত, বিশেষ করে BJT বা উচ্চ-কারেন্ট DMOS ডিভাইস, এবং ইলেকট্রনিক আলো এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে পাওয়ার নিয়ন্ত্রণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে।

উচ্চ-ভোল্টেজ BCD তৈরির বর্তমান প্রযুক্তি হল RESURF প্রযুক্তি যা Appel et al. 1979 সালে প্রস্তাব করেছিলেন। ডিভাইসটি হালকাভাবে ডোপ করা এপিট্যাক্সিয়াল স্তর ব্যবহার করে তৈরি করা হয় যাতে পৃষ্ঠের বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র বিতরণ সমতল হয়, যার ফলে পৃষ্ঠের ভাঙ্গনের বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত হয়, যাতে ভাঙ্গন পৃষ্ঠের পরিবর্তে শরীরে ঘটে, যার ফলে ডিভাইসের ভাঙ্গন ভোল্টেজ বৃদ্ধি পায়। হালকা ডোপিং হল BCD এর ভাঙ্গন ভোল্টেজ বৃদ্ধির আরেকটি পদ্ধতি। এটি মূলত ডাবল ডিফিউজড ড্রেন DDD (ডাবল ডোপিং ড্রেন) এবং হালকাভাবে ডোপড ড্রেন LDD (হালকা ডোপিং ড্রেন) ব্যবহার করে। DMOS ড্রেন অঞ্চলে, N+ ড্রেন এবং P-টাইপ সাবস্ট্রেটের মধ্যে মূল যোগাযোগকে N-ড্রেন এবং P-টাইপ সাবস্ট্রেটের মধ্যে যোগাযোগে পরিবর্তন করার জন্য একটি N-টাইপ ড্রিফ্ট অঞ্চল যোগ করা হয়, যার ফলে ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৃদ্ধি পায়।

2. উচ্চ-শক্তি BCD দিকনির্দেশনা

উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন BCD-এর ভোল্টেজ পরিসীমা 40-90V, এবং এটি প্রধানত স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্সে ব্যবহৃত হয় যেখানে উচ্চ কারেন্ট ড্রাইভিং ক্ষমতা, মাঝারি ভোল্টেজ এবং সহজ নিয়ন্ত্রণ সার্কিট প্রয়োজন। এর চাহিদা বৈশিষ্ট্য হল উচ্চ কারেন্ট ড্রাইভিং ক্ষমতা, মাঝারি ভোল্টেজ এবং নিয়ন্ত্রণ সার্কিট প্রায়শই তুলনামূলকভাবে সহজ।

3. উচ্চ-ঘনত্বের BCD দিকনির্দেশনা

উচ্চ-ঘনত্বের BCD, ভোল্টেজ পরিসীমা 5-50V, এবং কিছু স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স 70V এ পৌঁছাবে। একই চিপে ক্রমবর্ধমান জটিল এবং বৈচিত্র্যময় ফাংশন একত্রিত করা যেতে পারে। উচ্চ-ঘনত্বের BCD পণ্য বৈচিত্র্য অর্জনের জন্য কিছু মডুলার ডিজাইন ধারণা গ্রহণ করে, যা মূলত স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।

BCD প্রক্রিয়ার প্রধান প্রয়োগ

BCD প্রক্রিয়াটি পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট (পাওয়ার এবং ব্যাটারি নিয়ন্ত্রণ), ডিসপ্লে ড্রাইভ, অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স, শিল্প নিয়ন্ত্রণ ইত্যাদি ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপ (PMIC) হল অ্যানালগ চিপের একটি গুরুত্বপূর্ণ ধরণ। BCD প্রক্রিয়া এবং SOI প্রযুক্তির সমন্বয়ও BCD প্রক্রিয়ার বিকাশের একটি প্রধান বৈশিষ্ট্য।

VET-China 30 দিনের মধ্যে গ্রাফাইট যন্ত্রাংশ, সফটরিজিড ফেল্ট, সিলিকন কার্বাইড যন্ত্রাংশ, সিভিডি সিলিকন কার্বাইড যন্ত্রাংশ এবং sic/Tac প্রলিপ্ত যন্ত্রাংশ সরবরাহ করতে পারে।
আপনি যদি উপরের সেমিকন্ডাক্টর পণ্যগুলিতে আগ্রহী হন, তাহলে প্রথমবার আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না।

টেলিফোন:+৮৬-১৮৯১ ১৫৯৬ ৩৯২
হোয়াটসঅ্যাপ: 86-18069021720
ইমেইল:yeah@china-vet.com