বিসিডি প্রক্রিয়া

বিসিডি প্রক্রিয়া বলতে কী বোঝায়?

বিসিডি প্রসেস হলো একটি একক-চিপ ইন্টিগ্রেটেড প্রসেস প্রযুক্তি যা ১৯৮৬ সালে এসটি (ST) প্রথম প্রবর্তন করে। এই প্রযুক্তির মাধ্যমে একই চিপে বাইপোলার, সিএমওএস (CMOS) এবং ডিএমওএস (DMOS) ডিভাইস তৈরি করা যায়। এর ফলে চিপের ক্ষেত্রফল ব্যাপকভাবে হ্রাস পায়।

বলা যেতে পারে যে, বিসিডি প্রসেস বাইপোলার ড্রাইভিং ক্ষমতা, সিএমওএস-এর উচ্চ ইন্টিগ্রেশন ও কম বিদ্যুৎ খরচ এবং ডিএমওএস-এর উচ্চ ভোল্টেজ ও উচ্চ কারেন্ট প্রবাহ ক্ষমতার সুবিধাগুলোকে সম্পূর্ণরূপে কাজে লাগায়। এদের মধ্যে, পাওয়ার ও ইন্টিগ্রেশন উন্নত করার মূল চাবিকাঠি হলো ডিএমওএস। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির আরও উন্নয়নের সাথে সাথে, বিসিডি প্রসেস পিএমআইসি-এর মূলধারার উৎপাদন প্রযুক্তিতে পরিণত হয়েছে।

বিসিডি প্রক্রিয়ার প্রস্থচ্ছেদ চিত্র, উৎস নেটওয়ার্ক, ধন্যবাদ।

বিসিডি প্রক্রিয়ার সুবিধাগুলি

বিসিডি প্রসেস একই চিপে একই সাথে বাইপোলার ডিভাইস, সিএমওএস ডিভাইস এবং ডিএমওএস পাওয়ার ডিভাইস তৈরি করে। এটি বাইপোলার ডিভাইসের উচ্চ ট্রান্সকন্ডাকট্যান্স ও শক্তিশালী লোড ড্রাইভিং ক্ষমতা এবং সিএমওএস-এর উচ্চ ইন্টিগ্রেশন ও কম বিদ্যুৎ খরচের বৈশিষ্ট্যকে একীভূত করে, যাতে তারা একে অপরের পরিপূরক হতে পারে এবং নিজ নিজ সুবিধার পূর্ণ সদ্ব্যবহার করতে পারে; একই সাথে, ডিএমওএস অত্যন্ত কম বিদ্যুৎ খরচে সুইচিং মোডে কাজ করতে পারে। সংক্ষেপে, কম বিদ্যুৎ খরচ, উচ্চ শক্তি দক্ষতা এবং উচ্চ ইন্টিগ্রেশন হলো বিসিডি-র অন্যতম প্রধান সুবিধা। বিসিডি প্রসেস বিদ্যুৎ খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে কমাতে, সিস্টেমের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে এবং আরও ভালো নির্ভরযোগ্যতা প্রদান করতে পারে। ইলেকট্রনিক পণ্যের কার্যকারিতা দিন দিন বাড়ছে এবং ভোল্টেজ পরিবর্তন, ক্যাপাসিটর সুরক্ষা ও ব্যাটারির আয়ু বৃদ্ধির প্রয়োজনীয়তা ক্রমশ গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠছে। বিসিডি-র উচ্চ-গতি এবং শক্তি-সাশ্রয়ী বৈশিষ্ট্যগুলো উচ্চ-কর্মক্ষমতাসম্পন্ন অ্যানালগ/পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপের জন্য প্রয়োজনীয় প্রসেসের চাহিদা পূরণ করে।

বিসিডি প্রক্রিয়ার মূল প্রযুক্তিসমূহ

বিসিডি প্রসেসের সাধারণ ডিভাইসগুলোর মধ্যে রয়েছে লো-ভোল্টেজ সিএমওএস, হাই-ভোল্টেজ এমওএস টিউব, বিভিন্ন ব্রেকডাউন ভোল্টেজের এলডিএমওএস, ভার্টিক্যাল এনপিএন/পিএনপি এবং স্কটকি ডায়োড ইত্যাদি। কিছু প্রসেসে জেএফইটি এবং ইইপ্রমের মতো ডিভাইসও সমন্বিত করা হয়, যার ফলে বিসিডি প্রসেসে বিভিন্ন ধরনের ডিভাইস পাওয়া যায়। তাই, ডিজাইনের ক্ষেত্রে হাই-ভোল্টেজ ও লো-ভোল্টেজ ডিভাইস, ডাবল-ক্লিক ও সিএমওএস প্রসেস ইত্যাদির সামঞ্জস্যতা বিবেচনা করার পাশাপাশি উপযুক্ত আইসোলেশন প্রযুক্তিও অবশ্যই বিবেচনা করতে হবে।

বিসিডি আইসোলেশন প্রযুক্তিতে জাংশন আইসোলেশন, সেলফ-আইসোলেশন এবং ডাইইলেকট্রিক আইসোলেশনের মতো অনেক প্রযুক্তি একের পর এক আবির্ভূত হয়েছে। জাংশন আইসোলেশন প্রযুক্তিতে পি-টাইপ সাবস্ট্রেটের এন-টাইপ এপিটেক্সিয়াল স্তরের উপর ডিভাইস তৈরি করা হয় এবং পিএন জাংশনের রিভার্স বায়াস বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে আইসোলেশন অর্জন করা হয়, কারণ রিভার্স বায়াসের অধীনে পিএন জাংশনের রোধ খুব বেশি থাকে।

সেলফ-আইসোলেশন প্রযুক্তি মূলত পিএন জাংশন আইসোলেশন, যা ডিভাইসের সোর্স ও ড্রেন অঞ্চল এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যেকার স্বাভাবিক পিএন জাংশন বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে আইসোলেশন অর্জন করে। যখন MOS টিউবটি চালু থাকে, তখন সোর্স অঞ্চল, ড্রেন অঞ্চল এবং চ্যানেল ডিপ্লেশন অঞ্চল দ্বারা পরিবেষ্টিত থাকে, যা সাবস্ট্রেট থেকে একটি আইসোলেশন তৈরি করে। যখন এটি বন্ধ করা হয়, তখন ড্রেন অঞ্চল এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যেকার পিএন জাংশনটি রিভার্স বায়াসড হয় এবং সোর্স অঞ্চলের উচ্চ ভোল্টেজ ডিপ্লেশন অঞ্চল দ্বারা আইসোলেটেড থাকে।

ডাইইলেকট্রিক আইসোলেশন বিচ্ছিন্নতা অর্জনের জন্য সিলিকন অক্সাইডের মতো অন্তরক মাধ্যম ব্যবহার করে। ডাইইলেকট্রিক আইসোলেশন এবং জাংশন আইসোলেশনের উপর ভিত্তি করে, উভয়ের সুবিধাকে একত্রিত করে কোয়াসি-ডাইইলেকট্রিক আইসোলেশন তৈরি করা হয়েছে। উপরোক্ত আইসোলেশন প্রযুক্তি বেছে বেছে গ্রহণ করার মাধ্যমে উচ্চ-ভোল্টেজ এবং নিম্ন-ভোল্টেজ সামঞ্জস্যতা অর্জন করা যায়।

বিসিডি প্রক্রিয়ার উন্নয়ন দিকনির্দেশনা

বিসিডি প্রসেস প্রযুক্তির বিকাশ সাধারণ সিএমওএস প্রসেসের মতো নয়, যা সর্বদা মুরের সূত্র অনুসরণ করে ক্ষুদ্রতর লাইন প্রস্থ এবং দ্রুততর গতির দিকে বিকশিত হয়েছে। বিসিডি প্রসেসকে প্রধানত তিনটি দিকে বিভক্ত ও বিকশিত করা হয়েছে: উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ ঘনত্ব।

১. উচ্চ-ভোল্টেজ বিসিডি দিক

উচ্চ-ভোল্টেজ বিসিডি একই চিপে একই সাথে উচ্চ-নির্ভরযোগ্য নিম্ন-ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ সার্কিট এবং অতি-উচ্চ-ভোল্টেজ ডিএমওএস-স্তরের সার্কিট তৈরি করতে পারে এবং ৫০০-৭০০ ভোল্টের উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইস উৎপাদন বাস্তবায়ন করতে পারে। তবে, সাধারণভাবে, বিসিডি এখনও সেইসব পণ্যের জন্য বেশি উপযুক্ত যেখানে পাওয়ার ডিভাইসের চাহিদা তুলনামূলকভাবে বেশি, বিশেষ করে বিজেটি বা উচ্চ-কারেন্ট ডিএমওএস ডিভাইসের ক্ষেত্রে, এবং এটি ইলেকট্রনিক লাইটিং ও শিল্পক্ষেত্রে পাওয়ার নিয়ন্ত্রণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে।

উচ্চ-ভোল্টেজ বিসিডি তৈরির বর্তমান প্রযুক্তি হলো ১৯৭৯ সালে অ্যাপেল ও তার সহযোগীদের দ্বারা প্রস্তাবিত রিসার্ফ (RESURF) প্রযুক্তি। ডিভাইসটি একটি হালকাভাবে ডোপ করা এপিটেক্সিয়াল স্তর ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, যা পৃষ্ঠের বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের বন্টনকে আরও সমতল করে তোলে। এর ফলে পৃষ্ঠের ব্রেকডাউন বৈশিষ্ট্য উন্নত হয়, যাতে ব্রেকডাউন পৃষ্ঠের পরিবর্তে ডিভাইসের মূল অংশে ঘটে এবং ফলস্বরূপ ডিভাইসের ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৃদ্ধি পায়। বিসিডির ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বাড়ানোর আরেকটি পদ্ধতি হলো লাইট ডোপিং। এতে প্রধানত ডাবল ডিফিউজড ড্রেন ডিডিডি (ডাবল ডোপিং ড্রেন) এবং হালকাভাবে ডোপ করা ড্রেন এলডিডি (লাইটলি ডোপিং ড্রেন) ব্যবহার করা হয়। ডিএমওএস ড্রেন অঞ্চলে, একটি এন-টাইপ ড্রিফট অঞ্চল যুক্ত করা হয়, যা এন+ ড্রেন এবং পি-টাইপ সাবস্ট্রেটের মধ্যকার মূল সংযোগকে এন- ড্রেন এবং পি-টাইপ সাবস্ট্রেটের মধ্যকার সংযোগে পরিবর্তন করে, যার ফলে ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৃদ্ধি পায়।

২. উচ্চ-ক্ষমতার বিসিডি দিকনির্দেশনা

উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন বিসিডি-র ভোল্টেজ পরিসীমা হলো ৪০-৯০ ভোল্ট এবং এটি প্রধানত অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্সে ব্যবহৃত হয়, যেখানে উচ্চ কারেন্ট চালনার ক্ষমতা, মাঝারি ভোল্টেজ এবং সরল নিয়ন্ত্রণ সার্কিটের প্রয়োজন হয়। এর কাঙ্ক্ষিত বৈশিষ্ট্যগুলো হলো উচ্চ কারেন্ট চালনার ক্ষমতা ও মাঝারি ভোল্টেজ, এবং এর নিয়ন্ত্রণ সার্কিট প্রায়শই তুলনামূলকভাবে সরল হয়।

৩. উচ্চ-ঘনত্বের বিসিডি দিক

উচ্চ-ঘনত্বের বিসিডি-র ভোল্টেজ পরিসীমা হলো ৫-৫০ ভোল্ট, এবং কিছু স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্সে এটি ৭০ ভোল্ট পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে। একই চিপে আরও বেশি জটিল এবং বৈচিত্র্যময় ফাংশন সমন্বিত করা যায়। পণ্যের বৈচিত্র্য অর্জনের জন্য উচ্চ-ঘনত্বের বিসিডি কিছু মডিউলার ডিজাইন ধারণা গ্রহণ করে এবং এটি প্রধানত স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।

বিসিডি প্রক্রিয়ার প্রধান প্রয়োগসমূহ

বিসিডি প্রসেস পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট (পাওয়ার ও ব্যাটারি কন্ট্রোল), ডিসপ্লে ড্রাইভ, অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স, ইন্ডাস্ট্রিয়াল কন্ট্রোল ইত্যাদিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপ (পিএমআইসি) হলো অ্যানালগ চিপের অন্যতম গুরুত্বপূর্ণ একটি প্রকার। বিসিডি প্রসেস এবং এসওআই প্রযুক্তির সমন্বয়ও এর উন্নয়নের একটি প্রধান বৈশিষ্ট্য।

VET-China ৩০ দিনের মধ্যে গ্রাফাইট পার্টস, সফট-রিজিড ফেল্ট, সিলিকন কার্বাইড পার্টস, সিভিডি সিলিকন কার্বাইড পার্টস এবং এসআইসি/ট্যাক কোটেড পার্টস সরবরাহ করতে পারে।
আপনি যদি উপরোক্ত সেমিকন্ডাক্টর পণ্যগুলোতে আগ্রহী হন, তবে অনুগ্রহ করে যত দ্রুত সম্ভব আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

টেলিফোন: +৮৬-১৮৯১ ১৫৯৬ ৩৯২
হোয়াটসঅ্যাপ: ৮৬-১৮০৬৯০২১৭২০
ইমেইল:yeah@china-vet.com