BCD လုပ်ငန်းစဉ်

BCD လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုတာဘာလဲ။

BCD လုပ်ငန်းစဉ်သည် ST မှ ၁၉၈၆ ခုနှစ်တွင် ပထမဆုံး မိတ်ဆက်ခဲ့သော single-chip integrated process နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းပညာသည် bipolar၊ CMOS နှင့် DMOS စက်ပစ္စည်းများကို ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းတွင် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ၎င်း၏ပုံပန်းသဏ္ဌာန်သည် ချစ်ပ်၏ဧရိယာကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးသည်။

BCD လုပ်ငန်းစဉ်သည် Bipolar မောင်းနှင်နိုင်စွမ်း၊ CMOS မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုနှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးမှု၊ DMOS မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုစွမ်းရည်တို့၏ အားသာချက်များကို အပြည့်အဝအသုံးချသည်ဟု ဆိုနိုင်ပါသည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် DMOS သည် ပါဝါနှင့်ပေါင်းစပ်မှုကို တိုးတက်စေရန် အဓိကသော့ချက်ဖြစ်သည်။ ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနည်းပညာ ပိုမိုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ BCD လုပ်ငန်းစဉ်သည် PMIC ၏ အဓိကထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာဖြစ်လာခဲ့သည်။

BCD လုပ်ငန်းစဉ် ဖြတ်ပိုင်းပုံ၊ ရင်းမြစ်ကွန်ရက်၊ ကျေးဇူးတင်ပါတယ်

BCD လုပ်ငန်းစဉ်၏ အားသာချက်များ

BCD လုပ်ငန်းစဉ်သည် Bipolar စက်ပစ္စည်းများ၊ CMOS စက်ပစ္စည်းများနှင့် DMOS ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို တစ်ချိန်တည်းတွင် ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းတွင် ဖန်တီးပေးပြီး၊ bipolar စက်ပစ္စည်းများ၏ မြင့်မားသော transconductance နှင့် အားကောင်းသော load driving စွမ်းရည်နှင့် CMOS ၏ မြင့်မားသော ပေါင်းစပ်မှုနှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်းတို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် ၎င်းတို့သည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ဖြည့်စွက်နိုင်ပြီး ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာ အားသာချက်များကို အပြည့်အဝ ကစားနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ DMOS သည် ပါဝါသုံးစွဲမှု အလွန်နည်းပါးစွာဖြင့် switching mode တွင် အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။ အတိုချုပ်ပြောရလျှင် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်း၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုမြင့်မားခြင်းနှင့် မြင့်မားသော ပေါင်းစပ်မှုသည် BCD ၏ အဓိကအားသာချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ BCD လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပါဝါသုံးစွဲမှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးနိုင်ပြီး စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ပိုမိုကောင်းမွန်လာစေနိုင်သည်။ အီလက်ထရွန်းနစ်ထုတ်ကုန်များ၏ လုပ်ဆောင်ချက်များသည် တစ်နေ့တခြား တိုးပွားလာနေပြီး ဗို့အားပြောင်းလဲမှုများ၊ capacitor ကာကွယ်မှုနှင့် ဘက်ထရီသက်တမ်းတိုးခြင်းအတွက် လိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုအရေးကြီးလာပါသည်။ BCD ၏ မြန်နှုန်းမြင့်နှင့် စွမ်းအင်ချွေတာသော ဝိသေသလက္ခဏာများသည် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည် analog/power management ချစ်ပ်များအတွက် လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

BCD လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကနည်းပညာများ

BCD လုပ်ငန်းစဉ်၏ ပုံမှန်ကိရိယာများတွင် ဗို့အားနည်း CMOS၊ ဗို့အားမြင့် MOS ပြွန်များ၊ ကွဲပြားသော ပြိုကွဲဗို့အားများပါရှိသော LDMOS၊ ဒေါင်လိုက် NPN/PNP နှင့် Schottky diodes များ စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ အချို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များသည် JFET နှင့် EEPROM ကဲ့သို့သော ကိရိယာများကိုလည်း ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် BCD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကိရိယာအမျိုးမျိုးကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဒီဇိုင်းတွင် ဗို့အားမြင့် ကိရိယာများနှင့် ဗို့အားနည်း ကိရိယာများ၊ double-click လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် CMOS လုပ်ငန်းစဉ်များ စသည်တို့၏ လိုက်ဖက်ညီမှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းအပြင် သင့်လျော်သော သီးခြားနည်းပညာကိုလည်း ထည့်သွင်းစဉ်းစားရပါမည်။

BCD isolation နည်းပညာတွင် junction isolation၊ self-isolation နှင့် dielectric isolation ကဲ့သို့သော နည်းပညာများစွာသည် တစ်ခုပြီးတစ်ခု ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ Junction isolation နည်းပညာသည် P-type substrate ၏ N-type epitaxial layer ပေါ်တွင် device ကို ပြုလုပ်ပြီး PN junction ၏ reverse bias ဝိသေသလက္ခဏာများကို အသုံးပြု၍ isolation ရရှိစေရန်ဖြစ်သည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် PN junction သည် reverse bias အောက်တွင် resistance အလွန်မြင့်မားသောကြောင့်ဖြစ်သည်။

Self-isolation နည်းပညာသည် အခြေခံအားဖြင့် PN junction isolation ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် device ၏ source နှင့် drain ဒေသများနှင့် substrate အကြားရှိ သဘာဝ PN junction ဝိသေသလက္ခဏာများအပေါ် မူတည်၍ isolation ရရှိစေပါသည်။ MOS tube ကိုဖွင့်လိုက်သောအခါ၊ source region၊ drain ဒေသနှင့် channel တို့ကို depletion region မှ ဝန်းရံထားပြီး substrate မှ isolation ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ၎င်းကိုပိတ်ထားသောအခါ၊ drain ဒေသနှင့် substrate အကြားရှိ PN junction သည် reverse biased ဖြစ်ပြီး၊ source region ၏ high voltage ကို depletion region မှ ခွဲထုတ်ထားသည်။

ဒိုင်အီလက်ထရစ်အထီးကျန်မှုသည် ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သော အပူလျှပ်ကာမီဒီယာကို အသုံးပြု၍ သီးခြားခွဲထားခြင်းဖြစ်သည်။ ဒိုင်အီလက်ထရစ်အထီးကျန်မှုနှင့် ဂျန့်ရှင်းအထီးကျန်မှုအပေါ်အခြေခံ၍ quasi-dielectric အထီးကျန်မှုကို နှစ်မျိုးလုံး၏ အားသာချက်များကို ပေါင်းစပ်၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ အထက်ဖော်ပြပါ အထီးကျန်နည်းပညာကို ရွေးချယ်အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ဗို့အားမြင့်နှင့် ဗို့အားနိမ့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကို ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

BCD လုပ်ငန်းစဉ်၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ဦးတည်ချက်

BCD လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် Moore ၏ဥပဒေကို အမြဲလိုက်နာ၍ မျဉ်းအကျယ်သေးငယ်ပြီး မြန်နှုန်းပိုမိုမြန်ဆန်သော ဦးတည်ချက်သို့ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေသည့် စံ CMOS လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် မတူပါ။ BCD လုပ်ငန်းစဉ်ကို အကြမ်းဖျင်းခွဲခြားပြီး ဦးတည်ချက်သုံးရပ်ဖြင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေသည်- မြင့်မားသောဗို့အား၊ မြင့်မားသောပါဝါနှင့် မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ။

၁။ မြင့်မားသောဗို့အား BCD ဦးတည်ချက်

မြင့်မားသောဗို့အား BCD သည် တစ်ချိန်တည်းတွင် တူညီသောချစ်ပ်ပေါ်တွင် မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိသော low-voltage control circuits များနှင့် ultra-high-voltage DMOS-level circuits များကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး 500-700V high-voltage devices များ ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ သို့သော် ယေဘုယျအားဖြင့် BCD သည် power devices များအတွက် အတော်လေးမြင့်မားသောလိုအပ်ချက်များရှိသော ထုတ်ကုန်များ၊ အထူးသဖြင့် BJT သို့မဟုတ် high-current DMOS devices များအတွက် သင့်လျော်ဆဲဖြစ်ပြီး အီလက်ထရွန်းနစ်အလင်းရောင်နှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာအသုံးချမှုများတွင် power control အတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။

မြင့်မားသောဗို့အား BCD ထုတ်လုပ်ရန် လက်ရှိနည်းပညာမှာ Appel et al. မှ ၁၉၇၉ ခုနှစ်တွင် အဆိုပြုခဲ့သော RESURF နည်းပညာဖြစ်သည်။ မျက်နှာပြင်လျှပ်စစ်စက်ကွင်းဖြန့်ဖြူးမှုကို ချောမွေ့စေရန်အတွက် ဤကိရိယာကို ပေါ့ပါးစွာ doped epitaxial အလွှာကို အသုံးပြု၍ ပြုလုပ်ထားပြီး မျက်နှာပြင်ပြိုကွဲမှုလက္ခဏာများကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသောကြောင့် မျက်နှာပြင်အစား ခန္ဓာကိုယ်တွင် ပြိုကွဲမှုဖြစ်ပေါ်ပြီး ကိရိယာ၏ ပြိုကွဲမှုဗို့အားကို တိုးမြင့်စေသည်။ BCD ၏ ပြိုကွဲမှုဗို့အားကို တိုးမြှင့်ရန် Light doping သည် နောက်ထပ်နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် double diffused drain DDD (double Doping Drain) နှင့် lightly doped drain LDD (lightly Doping Drain) ကိုအသုံးပြုသည်။ DMOS drain ဧရိယာတွင် N+ drain နှင့် P-type substrate အကြား မူလထိတွေ့မှုကို N-drain နှင့် P-type substrate အကြား ထိတွေ့မှုအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရန် N-type drift ဧရိယာကို ထည့်သွင်းထားပြီး ထို့ကြောင့် ပြိုကွဲမှုဗို့အားကို တိုးမြင့်စေသည်။

၂။ ပါဝါမြင့် BCD ဦးတည်ချက်

မြင့်မားသောပါဝါ BCD ၏ဗို့အားအပိုင်းအခြားမှာ 40-90V ဖြစ်ပြီး ၎င်းကို အဓိကအားဖြင့် မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းမောင်းနှင်နိုင်စွမ်း၊ အလယ်အလတ်ဗို့အားနှင့် ရိုးရှင်းသောထိန်းချုပ်မှုဆားကစ်များလိုအပ်သော မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည်။ ၎င်း၏လိုအပ်ချက်ဝိသေသလက္ခဏာများမှာ မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းမောင်းနှင်နိုင်စွမ်း၊ အလယ်အလတ်ဗို့အားနှင့် ထိန်းချုပ်မှုဆားကစ်သည် များသောအားဖြင့် အတော်လေးရိုးရှင်းပါသည်။

၃။ သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော BCD ဦးတည်ချက်

သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော BCD၊ ဗို့အားအပိုင်းအခြားမှာ 5-50V ဖြစ်ပြီး အချို့သော မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများသည် 70V သို့ ရောက်ရှိလိမ့်မည်။ ပိုမိုရှုပ်ထွေးပြီး ကွဲပြားသောလုပ်ဆောင်ချက်များကို တူညီသောချစ်ပ်တွင် ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော BCD သည် ထုတ်ကုန်အမျိုးမျိုးရရှိစေရန် မော်ဂျူလာဒီဇိုင်းအိုင်ဒီယာအချို့ကို လက်ခံကျင့်သုံးပြီး အဓိကအားဖြင့် မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်အသုံးချမှုများတွင် အသုံးပြုသည်။

BCD လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကအသုံးချမှုများ

BCD လုပ်ငန်းစဉ်ကို ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု (ပါဝါနှင့်ဘက်ထရီထိန်းချုပ်မှု)၊ မျက်နှာပြင်ဒရိုက်၊ မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းထိန်းချုပ်မှုစသည်တို့တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုချစ်ပ် (PMIC) သည် အရေးကြီးသော အန်နာလော့ချစ်ပ်အမျိုးအစားများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ BCD လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် SOI နည်းပညာပေါင်းစပ်မှုသည် BCD လုပ်ငန်းစဉ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။

VET-China သည် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၊ ပျော့ပျောင်းသော မာကျောသော ဖဲလ်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အစိတ်အပိုင်းများ၊ cvD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် sic/Tac ဖြင့် ಲೇಪထားသော အစိတ်အပိုင်းများကို ရက် ၃၀ အတွင်း ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။
အထက်ဖော်ပြပါ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်ကုန်များကို စိတ်ဝင်စားပါက ပထမဆုံးအကြိမ်တွင် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။

ဖုန်း: +၈၆-၁၈၉၁ ၁၅၉၆ ၃၉၂
WhatsApp: ၈၆-၁၈၀၆၉၀၂၁၇၂၀
အီးမေးလ်-yeah@china-vet.com