តើដំណើរការ BCD ជាអ្វី?
ដំណើរការ BCD គឺជាបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការរួមបញ្ចូលគ្នានៃបន្ទះឈីបតែមួយដែលត្រូវបានណែនាំជាលើកដំបូងដោយ ST ក្នុងឆ្នាំ 1986។ បច្ចេកវិទ្យានេះអាចធ្វើឱ្យឧបករណ៍ bipolar, CMOS និង DMOS នៅលើបន្ទះឈីបតែមួយ។ រូបរាងរបស់វាកាត់បន្ថយផ្ទៃនៃបន្ទះឈីបយ៉ាងខ្លាំង។
អាចនិយាយបានថា ដំណើរការ BCD ប្រើប្រាស់យ៉ាងពេញលេញនូវគុណសម្បត្តិនៃសមត្ថភាពបើកបរប៊ីប៉ូឡា ការរួមបញ្ចូលខ្ពស់ CMOS និងការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប និងសមត្ថភាពវ៉ុលខ្ពស់ និងចរន្តខ្ពស់របស់ DMOS។ ក្នុងចំណោមនោះ DMOS គឺជាគន្លឹះក្នុងការកែលម្អថាមពល និងការរួមបញ្ចូលគ្នា។ ជាមួយនឹងការអភិវឌ្ឍបន្ថែមទៀតនៃបច្ចេកវិទ្យាសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា ដំណើរការ BCD បានក្លាយជាបច្ចេកវិទ្យាផលិតកម្មសំខាន់របស់ PMIC។
ដ្យាក្រាមកាត់ផ្នែកដំណើរការ BCD បណ្តាញប្រភព សូមអរគុណ
គុណសម្បត្តិនៃដំណើរការ BCD
ដំណើរការ BCD ធ្វើឱ្យឧបករណ៍ Bipolar ឧបករណ៍ CMOS និងឧបករណ៍ផ្តល់ថាមពល DMOS នៅលើបន្ទះឈីបតែមួយក្នុងពេលតែមួយ ដោយរួមបញ្ចូលការបញ្ជូនចរន្តខ្ពស់ និងសមត្ថភាពបើកបរបន្ទុកខ្លាំងនៃឧបករណ៍ Bipolar និងការរួមបញ្ចូលខ្ពស់ និងការប្រើប្រាស់ថាមពលទាបរបស់ CMOS ដូច្នេះពួកវាអាចបំពេញគ្នាទៅវិញទៅមក និងផ្តល់នូវការលេងពេញលេញចំពោះគុណសម្បត្តិរៀងៗខ្លួន។ ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ DMOS អាចដំណើរការក្នុងរបៀបប្តូរជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ថាមពលទាបបំផុត។ សរុបមក ការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ប្រសិទ្ធភាពថាមពលខ្ពស់ និងការរួមបញ្ចូលខ្ពស់ គឺជាគុណសម្បត្តិចម្បងមួយរបស់ BCD។ ដំណើរការ BCD អាចកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលយ៉ាងច្រើន ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវដំណើរការប្រព័ន្ធ និងមានភាពជឿជាក់កាន់តែប្រសើរ។ មុខងាររបស់ផលិតផលអេឡិចត្រូនិចកំពុងកើនឡើងជារៀងរាល់ថ្ងៃ ហើយតម្រូវការសម្រាប់ការផ្លាស់ប្តូរវ៉ុល ការការពារឧបករណ៍ផ្ទុក និងការពន្យារអាយុកាលថ្មកំពុងក្លាយជារឿងសំខាន់កាន់តែខ្លាំងឡើង។ លក្ខណៈល្បឿនលឿន និងសន្សំសំចៃថាមពលរបស់ BCD បំពេញតាមតម្រូវការដំណើរការសម្រាប់បន្ទះឈីបអាណាឡូក/គ្រប់គ្រងថាមពលដែលមានដំណើរការខ្ពស់។
បច្ចេកវិទ្យាសំខាន់ៗនៃដំណើរការ BCD
ឧបករណ៍ធម្មតានៃដំណើរការ BCD រួមមាន CMOS វ៉ុលទាប បំពង់ MOS វ៉ុលខ្ពស់ LDMOS ជាមួយនឹងវ៉ុលបំបែកផ្សេងៗ ឌីយ៉ូត NPN/PNP បញ្ឈរ និង Schottky ជាដើម។ ដំណើរការមួយចំនួនក៏រួមបញ្ចូលឧបករណ៍ដូចជា JFET និង EEPROM ដែលបណ្តាលឱ្យមានឧបករណ៍ជាច្រើនប្រភេទនៅក្នុងដំណើរការ BCD។ ដូច្នេះ បន្ថែមពីលើការពិចារណាលើភាពឆបគ្នានៃឧបករណ៍វ៉ុលខ្ពស់ និងឧបករណ៍វ៉ុលទាប ដំណើរការចុចពីរដង និងដំណើរការ CMOS ជាដើម នៅក្នុងការរចនា បច្ចេកវិទ្យាអ៊ីសូឡង់សមស្របក៏ត្រូវតែពិចារណាផងដែរ។
នៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យាអ៊ីសូឡង់ BCD បច្ចេកវិទ្យាជាច្រើនដូចជាអ៊ីសូឡង់ចំណុចប្រសព្វ អ៊ីសូឡង់ដោយខ្លួនឯង និងអ៊ីសូឡង់ឌីអេឡិចត្រិចបានលេចចេញជាបន្តបន្ទាប់។ បច្ចេកវិទ្យាអ៊ីសូឡង់ចំណុចប្រសព្វគឺដើម្បីបង្កើតឧបករណ៍នៅលើស្រទាប់អេពីតាក់ស៊ីប្រភេទ N នៃស្រទាប់ខាងក្រោមប្រភេទ P ហើយប្រើលក្ខណៈលំអៀងបញ្ច្រាសនៃចំណុចប្រសព្វ PN ដើម្បីសម្រេចបាននូវភាពឯកោ ពីព្រោះចំណុចប្រសព្វ PN មានភាពធន់ទ្រាំខ្ពស់ណាស់នៅក្រោមលំអៀងបញ្ច្រាស។
បច្ចេកវិទ្យាញែកដោយខ្លួនឯងគឺជាការញែកចំណុចប្រសព្វ PN ដែលពឹងផ្អែកលើលក្ខណៈនៃចំណុចប្រសព្វ PN ធម្មជាតិរវាងតំបន់ប្រភព និងតំបន់បង្ហូររបស់ឧបករណ៍ និងស្រទាប់ខាងក្រោម ដើម្បីសម្រេចបានការញែកដោយខ្លួនឯង។ នៅពេលដែលបំពង់ MOS ត្រូវបានបើក តំបន់ប្រភព តំបន់បង្ហូរ និងឆានែលត្រូវបានហ៊ុំព័ទ្ធដោយតំបន់ថយចុះ ដែលបង្កើតជាការញែកចេញពីស្រទាប់ខាងក្រោម។ នៅពេលដែលវាត្រូវបានបិទ ចំណុចប្រសព្វ PN រវាងតំបន់បង្ហូរ និងស្រទាប់ខាងក្រោមត្រូវបានលំអៀងបញ្ច្រាស ហើយវ៉ុលខ្ពស់នៃតំបន់ប្រភពត្រូវបានញែកដោយតំបន់ថយចុះ។
អ៊ីសូឡង់ឌីអេឡិចត្រិចប្រើប្រាស់ឧបករណ៍ផ្សព្វផ្សាយអ៊ីសូឡង់ដូចជាអុកស៊ីដស៊ីលីកុន ដើម្បីសម្រេចបានអ៊ីសូឡង់។ ដោយផ្អែកលើអ៊ីសូឡង់ឌីអេឡិចត្រិច និងអ៊ីសូឡង់ប្រសព្វ អ៊ីសូឡង់ក្វាស៊ីឌីឌីអេឡិចត្រិចត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយការរួមបញ្ចូលគ្នានូវគុណសម្បត្តិនៃទាំងពីរ។ តាមរយៈការជ្រើសរើសបច្ចេកវិទ្យាអ៊ីសូឡង់ខាងលើ ភាពឆបគ្នារវាងវ៉ុលខ្ពស់ និងវ៉ុលទាបអាចសម្រេចបាន។
ទិសដៅអភិវឌ្ឍន៍នៃដំណើរការ BCD
ការអភិវឌ្ឍបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ BCD មិនដូចដំណើរការ CMOS ស្តង់ដារទេ ដែលតែងតែអនុវត្តតាមច្បាប់របស់ Moore ដើម្បីអភិវឌ្ឍក្នុងទិសដៅនៃទទឹងបន្ទាត់តូចជាង និងល្បឿនលឿនជាង។ ដំណើរការ BCD ត្រូវបានបែងចែក និងអភិវឌ្ឍក្នុងទិសដៅបីយ៉ាង៖ វ៉ុលខ្ពស់ ថាមពលខ្ពស់ និងដង់ស៊ីតេខ្ពស់។
1. ទិសដៅ BCD វ៉ុលខ្ពស់
BCD វ៉ុលខ្ពស់អាចផលិតសៀគ្វីត្រួតពិនិត្យវ៉ុលទាបដែលមានភាពជឿជាក់ខ្ពស់ និងសៀគ្វីកម្រិត DMOS វ៉ុលខ្ពស់ខ្លាំងនៅលើបន្ទះឈីបតែមួយក្នុងពេលតែមួយ ហើយអាចសម្រេចបាននូវការផលិតឧបករណ៍វ៉ុលខ្ពស់ 500-700V។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ជាទូទៅ BCD នៅតែសមរម្យសម្រាប់ផលិតផលដែលមានតម្រូវការខ្ពស់សម្រាប់ឧបករណ៍ថាមពល ជាពិសេសឧបករណ៍ BJT ឬ DMOS ចរន្តខ្ពស់ ហើយអាចប្រើសម្រាប់ការគ្រប់គ្រងថាមពលក្នុងភ្លើងបំភ្លឺអេឡិចត្រូនិច និងកម្មវិធីឧស្សាហកម្ម។
បច្ចេកវិទ្យាបច្ចុប្បន្នសម្រាប់ផលិត BCD វ៉ុលខ្ពស់គឺជាបច្ចេកវិទ្យា RESURF ដែលបានស្នើឡើងដោយ Appel et al. ក្នុងឆ្នាំ 1979។ ឧបករណ៍នេះត្រូវបានផលិតឡើងដោយប្រើស្រទាប់ epitaxial ដែលមានសារធាតុ bonded ស្រាល ដើម្បីធ្វើឱ្យការចែកចាយដែនអគ្គិសនីលើផ្ទៃរាបស្មើ ដោយហេតុនេះធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវលក្ខណៈបំបែកផ្ទៃ ដូច្នេះការបំបែកកើតឡើងនៅក្នុងតួជំនួសឱ្យផ្ទៃ ដោយហេតុនេះបង្កើនវ៉ុលបំបែករបស់ឧបករណ៍។ ដូបពន្លឺគឺជាវិធីសាស្ត្រមួយផ្សេងទៀតដើម្បីបង្កើនវ៉ុលបំបែករបស់ BCD។ វាប្រើជាចម្បងនូវបំពង់បង្ហូរ DDD ដែលមានសារធាតុ diffused ទ្វេ (ដូបទ្វេ) និងបំពង់បង្ហូរ LDD ដែលមានសារធាតុ diffused ស្រាល (ដូបស្រាល)។ នៅក្នុងតំបន់បង្ហូរ DMOS តំបន់រសាត់ប្រភេទ N ត្រូវបានបន្ថែមដើម្បីផ្លាស់ប្តូរទំនាក់ទំនងដើមរវាងបំពង់បង្ហូរ N+ និងស្រទាប់ខាងក្រោមប្រភេទ P ទៅជាទំនាក់ទំនងរវាងបំពង់បង្ហូរ N- និងស្រទាប់ខាងក្រោមប្រភេទ P ដោយហេតុនេះបង្កើនវ៉ុលបំបែក។
2. ទិសដៅ BCD ថាមពលខ្ពស់
ជួរវ៉ុលនៃ BCD ថាមពលខ្ពស់គឺ 40-90V ហើយវាត្រូវបានប្រើជាចម្បងនៅក្នុងគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចរថយន្តដែលត្រូវការសមត្ថភាពបើកបរចរន្តខ្ពស់ វ៉ុលមធ្យម និងសៀគ្វីត្រួតពិនិត្យសាមញ្ញ។ លក្ខណៈតម្រូវការរបស់វាគឺសមត្ថភាពបើកបរចរន្តខ្ពស់ វ៉ុលមធ្យម ហើយសៀគ្វីត្រួតពិនិត្យជារឿយៗសាមញ្ញ។
៣. ទិសដៅ BCD ដង់ស៊ីតេខ្ពស់
BCD ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ ជួរវ៉ុលគឺ 5-50V ហើយឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចរថយន្តមួយចំនួននឹងឡើងដល់ 70V។ មុខងារស្មុគស្មាញ និងចម្រុះកាន់តែច្រើនអាចត្រូវបានរួមបញ្ចូលនៅលើបន្ទះឈីបតែមួយ។ BCD ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ទទួលយកគំនិតរចនាម៉ូឌុលមួយចំនួនដើម្បីសម្រេចបាននូវភាពចម្រុះផលិតផល ដែលភាគច្រើនត្រូវបានប្រើនៅក្នុងកម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចរថយន្ត។
កម្មវិធីសំខាន់ៗនៃដំណើរការ BCD
ដំណើរការ BCD ត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងការគ្រប់គ្រងថាមពល (ការគ្រប់គ្រងថាមពល និងថ្ម) ដ្រាយបង្ហាញ ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចរថយន្ត ការគ្រប់គ្រងឧស្សាហកម្មជាដើម។ បន្ទះឈីបគ្រប់គ្រងថាមពល (PMIC) គឺជាប្រភេទបន្ទះឈីបអាណាឡូកដ៏សំខាន់មួយ។ ការរួមបញ្ចូលគ្នានៃដំណើរការ BCD និងបច្ចេកវិទ្យា SOI ក៏ជាលក្ខណៈពិសេសចម្បងមួយនៃការអភិវឌ្ឍដំណើរការ BCD ផងដែរ។
VET-China អាចផ្គត់ផ្គង់គ្រឿងបន្លាស់ក្រាហ្វីត ក្រណាត់ទន់រឹង គ្រឿងបន្លាស់ស៊ីលីកុនកាប៊ីត គ្រឿងបន្លាស់ស៊ីលីកុនកាប៊ីត CVD និងគ្រឿងបន្លាស់ស្រោបដោយ sic/Tac ក្នុងរយៈពេល 30 ថ្ងៃ។
ប្រសិនបើអ្នកចាប់អារម្មណ៍លើផលិតផលស៊ីមីកុងដុកទ័រខាងលើ សូមកុំស្ទាក់ស្ទើរក្នុងការទាក់ទងមកយើងខ្ញុំជាលើកដំបូង។
ទូរស័ព្ទ៖ +៨៦-១៨៩១ ១៥៩៦ ៣៩២
វ៉ាតអាប់៖ ៨៦-១៨០៦៩០២១៧២០
អ៊ីមែល៖yeah@china-vet.com
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី ១៨ ខែកញ្ញា ឆ្នាំ ២០២៤