BCD prosesi

BCD prosesi näme?

BCD prosesi ST tarapyndan ilkinji gezek 1986-njy ýylda hödürlenen bir çipli integrasiýa edilen proses tehnologiýasydyr. Bu tehnologiýa bir çipde bipolýar, CMOS we DMOS enjamlaryny ýasap bilýär. Onuň görnüşi çipiň meýdanyny ep-esli kiçeldýär.

BCD prosesiniň bipolýar sürüjilik ukybynyň, CMOS ýokary integrasiýasynyň we pes energiýa sarp edilişiniň, şeýle hem DMOS ýokary woltly we ýokary tok akymynyň mümkinçilikleriniň artykmaçlyklaryndan doly peýdalanýandygyny aýtmak bolar. Olaryň arasynda DMOS güýji we integrasiýany gowulandyrmagyň açarydyr. Integrasiýa edilen mikrosxema tehnologiýasynyň mundan beýläk-de ösmegi bilen BCD prosesi PMIC-iň esasy önümçilik tehnologiýasyna öwrüldi.

BCD prosesiniň kesişen diagrammasy, çeşme tor, sag boluň

BCD prosesiniň artykmaçlyklary

BCD prosesi Bipolýar enjamlary, CMOS enjamlary we DMOS güýç enjamlaryny bir wagtyň özünde bir çipde döredýär, bipolýar enjamlaryň ýokary geçirijilik we güýçli ýük sürmek ukybyny, şeýle hem CMOS-yň ýokary integrasiýasyny we pes energiýa sarp edilişini birleşdirýär, şonuň üçin olar biri-biriniň üstüni ýetirip, degişli artykmaçlyklaryny doly ulanyp bilerler; şol bir wagtyň özünde DMOS örän pes energiýa sarp edilişi bilen geçiş režiminde işläp biler. Gysgaça aýdylanda, pes energiýa sarp edilişi, ýokary energiýa netijeliligi we ýokary integrasiýa BCD-niň esasy artykmaçlyklarynyň biridir. BCD prosesi energiýa sarp edilişini ep-esli azaldyp, ulgamyň işini gowulandyryp we has ygtybarly bolup biler. Elektron önümleriň funksiýalary gün-günden artýar we naprýaženiýe üýtgeşmeleri, kondensator goragy we batareýanyň ömrüni uzaltmak talaplary barha möhümleşýär. BCD-niň ýokary tizlikli we energiýa tygşytlaýjy häsiýetnamalary ýokary öndürijilikli analog/energiýa dolandyryş çipleri üçin proses talaplaryna laýyk gelýär.

BCD prosesiniň esasy tehnologiýalary

BCD prosesiniň tipiki enjamlaryna pes woltly CMOS, ýokary woltly MOS lampalary, dürli döwülme woltly LDMOS, dik NPN/PNP we Şottki diodlary we ş.m. girýär. Käbir prosesler JFET we EEPROM ýaly enjamlary hem öz içine alýar, bu bolsa BCD prosesinde dürli enjamlaryň döremegine getirýär. Şonuň üçin, dizaýnda ýokary woltly enjamlaryň we pes woltly enjamlaryň, iki gezek basmak prosesleriniň we CMOS prosesleriniň we ş.m. utgaşyklylygyny göz öňünde tutmakdan başga-da, degişli izolýasiýa tehnologiýasyny hem göz öňünde tutmaly.

BCD izolýasiýa tehnologiýasynda birleşme izolýasiýa, öz-özüni izolýasiýa we dielektrik izolýasiýa ýaly köp tehnologiýalar bir-biriniň yzyndan peýda boldy. Birleşme izolýasiýa tehnologiýasy P-tipli substratyň N-tipli epitaksial gatlagynda enjamy ýasamak we PN birleşmesiniň ters egrilik häsiýetlerini ulanmak arkaly izolýasiýa gazanmakdyr, sebäbi PN birleşmesi ters egrilik astynda örän ýokary garşylyga eýedir.

Öz-özüni izolýasiýa etmek tehnologiýasy, esasan, PN birikmesiniň izolýasiýadyr, ol izolýasiýa gazanmak üçin enjamyň çeşme we suw akdyryjy sebitleri bilen substratyň arasyndaky tebigy PN birikme aýratynlyklaryna daýanýar. MOS turbasy açylanda, çeşme sebit, suw akdyryjy sebit we kanal boşalma sebiti bilen gurşalyp, substratdan izolýasiýa emele getirýär. Ol öçürilende, suw akdyryjy sebit bilen substratyň arasyndaky PN birikmesi ters taraply bolýar we çeşme sebitiniň ýokary woltlylygy boşalma sebiti tarapyndan boşaldylýar.

Dielektrik izolýasiýa izolýasiýa gazanmak üçin kremniý oksidi ýaly izolýasiýa serişdelerini ulanýar. Dielektrik izolýasiýa we birleşme izolýasiýasyna esaslanyp, ikisiniň hem artykmaçlyklaryny birleşdirip, kwazi-dielektrik izolýasiýa işlenip düzüldi. Ýokardaky izolýasiýa tehnologiýasyny saýlap ulanmak arkaly ýokary woltly we pes woltly utgaşyklylyga ýetip bolýar.

BCD prosesiniň ösüş ugry

BCD proses tehnologiýasynyň ösüşi standart CMOS prosesine meňzemeýär, ol hemişe Mur kanunyna eýerip, kiçi liniýa giňligi we has çalt tizlik ugrunda ösýär. BCD prosesi takmynan üç ugurda tapawutlandyrylýar we ösdürilýär: ýokary woltly, ýokary kuwwatly we ýokary dykyzlyk.

1. Ýokary woltly BCD ugry

Ýokary woltly BCD bir wagtyň özünde şol bir çipde ýokary ygtybarly pes woltly dolandyryş zynjyrlaryny we ultra ýokary woltly DMOS derejeli zynjyrlary öndürip bilýär we 500-700V ýokary woltly enjamlaryň önümçiligini amala aşyryp bilýär. Şeýle-de bolsa, umuman, BCD güýç enjamlaryna, esasanam BJT ýa-da ýokary tokly DMOS enjamlaryna bolan talaplary deňeşdirme boýunça ýokary bolan önümler üçin amatlydyr we elektron yşyklandyryş we senagat ulanylyşlarynda güýç dolandyryşy üçin ulanylyp bilner.

Ýokary woltly BCD-leri öndürmegiň häzirki tehnologiýasy 1979-njy ýylda Appel we beýlekiler tarapyndan teklip edilen RESURF tehnologiýasydyr. Enjam, ýüz elektrik meýdanynyň paýlanyşyny tekizleşdirmek üçin ýeňil lehimlenen epitaksial gatlak ulanylyp ýasalýar, şonuň üçin ýüziň döwülme häsiýetlerini gowulandyrýar, şonuň üçin döwülme ýüzde däl-de, göwdede bolýar we şeýdip enjamyň döwülme naprýaženiýesini ýokarlandyrýar. Ýeňil lehimlemek BCD-niň döwülme naprýaženiýesini ýokarlandyrmagyň başga bir usulydyr. Ol esasan goşa diffuzirlenen DDD (goşa lehimleýji drain) we ýeňil lehimlenen LDD (ýeňil lehimleýji drain) drenajyny ulanýar. DMOS drenaj sebitinde, N+ drenajy bilen P-tipli substratyň arasyndaky asyl kontakty N-drenaj bilen P-tipli substratyň arasyndaky kontakta üýtgetmek üçin N-tipli sürüş sebiti goşulýar we şeýdip döwülme naprýaženiýesini ýokarlandyrýar.

2. Ýokary kuwwatly BCD ugry

Ýokary kuwwatly BCD-leriň naprýaženiýe diapazony 40-90V bolup, esasan ýokary tok hereketlendiriji ukybyny, orta naprýaženiýeni we ýönekeý dolandyryş zynjyrlaryny talap edýän awtoulag elektronikasynda ulanylýar. Onuň talap häsiýetnamalary ýokary tok hereketlendiriji ukyby, orta naprýaženiýe we dolandyryş zynjyry köplenç deňeşdirme boýunça ýönekeýdir.

3. Ýokary dykyzlykly BCD ugry

Ýokary dykyzlykly BCD, naprýaženiýe diapazony 5-50V, käbir awtoulag elektronikasy bolsa 70V ýeter. Şol bir çipde has köp we has çylşyrymly we dürli funksiýalar birleşdirilip bilner. Ýokary dykyzlykly BCD, esasan awtoulag elektronikasy ulanylyşynda ulanylýan önümleriň diwersifikasiýasyna ýetmek üçin käbir modul dizaýn ideýalaryny ulanýar.

BCD prosesiniň esasy ulanylyşlary

BCD prosesi energiýa dolandyryşynda (energiýa we batareýa dolandyryşy), displeý sürüjisinde, awtoulag elektronikasynda, senagat dolandyryşynda we ş.m. giňden ulanylýar. Elektrik dolandyryş çipi (PMIC) analog çipleriň möhüm görnüşleriniň biridir. BCD prosesiniň we SOI tehnologiýasynyň utgaşmasy hem BCD prosesiniň ösüşiniň esasy aýratynlygydyr.

“VET-China” kompaniýasy grafit böleklerini, ýumşak gaty keçeleri, kremniý karbid böleklerini, cvD kremniý karbid böleklerini we sic/Tac örtülen bölekleri 30 günüň dowamynda üpjün edip biler.
Eger ýokardaky ýarymgeçiriji önümler bilen gyzyklanýan bolsaňyz, ilkinji gezek biziň bilen habarlaşmakdan çekinmäň.

Tel: +86-1891 1596 392
WhatsApp: 86-18069021720
E-poçta:yeah@china-vet.com