Епітаксіальна пластина з карбіду кремнію (SiC)

Епітаксіальна пластина з карбіду кремнію (SiC) від VET Energy — це високопродуктивний напівпровідниковий матеріал із широкою забороненою зоною, що має чудову стійкість до високих температур, високі частоти та високу потужність. Це ідеальна підкладка для нового покоління силових електронічних пристроїв. VET Energy використовує передову технологію епітаксіальної епітаксії MOCVD для вирощування високоякісних епітаксіальних шарів SiC на підкладках SiC, що забезпечує відмінну продуктивність та стабільність пластини.

Наша епітаксіальна пластина з карбіду кремнію (SiC) пропонує чудову сумісність з різноманітними напівпровідниковими матеріалами, включаючи кремнієву пластину, підкладку SiC, пластину SOI та підкладку SiN. Завдяки своєму міцному епітаксіальному шару вона підтримує передові процеси, такі як вирощування епітаксіальної пластини та інтеграція з такими матеріалами, як оксид галію Ga2O3 та пластина AlN, забезпечуючи універсальне використання в різних технологіях. Розроблена для сумісності зі стандартними галузевими системами обробки касет, вона забезпечує ефективну та оптимізовану роботу в умовах виробництва напівпровідників.

Асортимент продукції VET Energy не обмежується епітаксіальними пластинами SiC. Ми також пропонуємо широкий асортимент напівпровідникових підкладок, включаючи кремнієві пластини, підкладки SiC, пластини SOI, підкладки SiN, пластини Epi тощо. Крім того, ми також активно розробляємо нові широкозонні напівпровідникові матеріали, такі як оксид галію Ga2O3 та пластини AlN, щоб задовольнити майбутній попит галузі силової електроніки на високопродуктивні пристрої.