Prezzu più bassu per u riscaldatore di grafite persunalizatu di alta qualità in Cina per u fornu di lingotti di siliciu policristallinu

Descrizzione corta:

Purità < 5ppm
‣ Bona uniformità di doping
‣ Alta densità è adesione
‣ Bona resistenza anticorrosiva è à u carbone

‣ Personalizazione prufessiunale
‣ Tempu di consegna cortu
‣ Approvvigionamentu stabile
‣ Cuntrollu di qualità è miglioramentu cuntinuu

Epitaxia di GaN nantu à Zaffiru(RGB/Mini/Micro LED);Epitaxia di GaN nantu à u substratu di Si(UVC);Epitaxia di GaN nantu à u substratu di Si(Dispositivu Elettronicu);Epitaxia di Si nantu à u substratu di Si(Circuitu integratu);Epitaxia di SiC nantu à u substratu di SiC(Sustratu);Epitassi di InP nantu à InP

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Continuemu à aumentà è perfezziunà e nostre suluzioni è servizii. À u listessu tempu, operemu attivamente per fà ricerca è migliurà u prezzu u più bassu per u riscaldatore di grafite persunalizatu di alta qualità in Cina per u fornu di lingotti di siliciu policristallinu, a nostra impresa hè cresciuta rapidamente in dimensione è pupularità per via di a so dedizione assoluta à a fabricazione di alta qualità, l'altu prezzu di i prudutti è un fantasticu fornitore di clienti.
Continuemu à migliurà è perfezziunà e nostre suluzioni è servizii. À u listessu tempu, operemu attivamente per fà ricerca è migliurazione perFornu di riscaldamentu di grafite di Cina, Campu Termicu di GrafiteSolu per ottene un pruduttu di bona qualità per risponde à a dumanda di i clienti, tutti i nostri prudutti è suluzioni sò stati strettamente ispezionati prima di a spedizione. Pensemu sempre à a quistione da parte di i clienti, perchè voi vincete, noi vincemu!

2022 Susceptor MOCVD di alta qualità Cumprà in linea in Cina

Densità apparente:	1,85 g/cm³
Resistività elettrica:	11 μΩm
Resistenza à a flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cendra:	<5 ppm
Cunduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Una cialda hè una fetta di siliciu di circa 1 millimetru di spessore chì hà una superficia estremamente piatta grazia à prucedure tecnicamente assai esigenti. L'usu susseguente determina quale prucedura di crescita di cristalli deve esse impiegata. In u prucessu Czochralski, per esempiu, u siliciu policristallinu hè fusu è un cristallu di semente sottile cum'è una matita hè immersu in u siliciu fusu. U cristallu di semente hè tandu giratu è tiratu pianu pianu versu l'altu. Ne risulta un colossu assai pesante, un monocristallu. Hè pussibule selezziunà e caratteristiche elettriche di u monocristallu aghjunghjendu piccule unità di dopanti di alta purezza. I cristalli sò dopati secondu e specifiche di u cliente è poi lucidati è tagliati à fette. Dopu à diverse tappe di pruduzzione supplementari, u cliente riceve e so cialde specificate in un imballaggio speciale, chì permette à u cliente di utilizà a cialda subitu in a so linea di pruduzzione.

Una cialda hà bisognu di passà per parechje tappe prima di esse pronta per esse aduprata in i dispusitivi elettronichi. Un prucessu impurtante hè l'epitassia di siliciu, in a quale e cialde sò purtate nantu à suscettori di grafite. E proprietà è a qualità di i suscettori anu un effettu cruciale nantu à a qualità di u stratu epitassiale di a cialda.

Per e fasi di deposizione di film sottili cum'è l'epitaxia o u MOCVD, VET furnisce apparecchiature di grafite ultra pura aduprate per supportà substrati o "wafer". À u core di u prucessu, queste apparecchiature, suscettori di epitaxia o piattaforme satellitari per u MOCVD, sò prima sottumesse à l'ambiente di deposizione:

Alta temperatura.
Altu vuotu.
Usu di precursori gassosi aggressivi.
Zero contaminazione, assenza di sfaldatura.
Resistenza à l'acidi forti durante l'operazioni di pulizia