Niddregsten Präis fir China Héichqualitativ personaliséiert Grafithëtzer fir polykristallin Silizium Ingot Uewen

Kuerz Beschreiwung:

Rengheet < 5ppm
‣ Gutt Dopinguniformitéit
‣ Héich Dicht an Haftung
‣ Gutt Korrosiouns- a Kuelestoffbeständegkeet

‣ Professionell Personaliséierung
‣ Kuerz Liwwerzäit
‣ Stabil Versuergung
‣ Qualitéitskontroll a kontinuéierlech Verbesserung

Epitaxie vu GaN op Saphir(RGB/Mini/Mikro-LED);Epitaxie vu GaN op Si-Substrat(UVC);Epitaxie vu GaN op Si-Substrat(Elektronescht Gerät);Epitaxie vu Si op Si-Substrat(Integréierte Schaltung);Epitaxie vu SiC op SiC-Substrat(Substrat);Epitaxie vun InP op InP

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

Mir verbesseren a verbesseren eis Léisungen a Servicer weiderhin. Gläichzäiteg maache mir aktiv Fuerschung an Verbesserungen fir de niddregsten Präis fir eng personaliséiert Grafit-Heizung aus héichqualitativem China fir polykristallin Silizium-Barrenuewen. Eis Entreprise ass séier u Gréisst a Popularitéit gewuess wéinst hirem absoluten Engagement fir eng héichqualitativ Produktioun, héije Präisser vu Produkter a fantastische Clientservice.
Mir verbesseren a verbesseren eis Léisungen a Servicer weiderhin. Gläichzäiteg maache mir aktiv Fuerschung a Verbesserungen firChina Grafit Heizungsuewen, Thermescht Feld vu GrafitNëmme fir e qualitativ héichwäertegt Produkt ze liwweren, dat den Ufuerderunge vun de Clienten gerecht gëtt, ginn all eis Produkter a Léisunge virum Versand streng iwwerpréift. Mir denken ëmmer un d'Fro vun de Clienten, well wann Dir gewënnt, gewannen mir!

2022 héichqualitativ MOCVD Susceptor online kafen a China

Scheinbar Dicht:	1,85 g/cm3
Elektresch Widderstand:	11 μΩm
Biegekraaft:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-Häert:	58
Äsch:	<5ppm
Wärmeleitfäegkeet:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

E Wafer ass eng Scheif Silizium, ongeféier 1 Millimeter déck, déi eng extrem flaach Uewerfläch huet, dank technesch usprochsvollen Prozeduren. Déi spéider Notzung bestëmmt, wéi eng Kristallwuessungsprozedur soll benotzt ginn. Beim Czochralski-Prozess gëtt zum Beispill de polykristalline Silizium geschmolz an e bleistiftdënne Keimkristall gëtt an de geschmollte Silizium getippt. De Keimkristall gëtt dann gedréit a lues no uewe gezunn. E ganz schwéiere Koloss, e Monokristall, entsteet. Et ass méiglech, d'elektresch Charakteristike vum Monokristall ze wielen, andeems kleng Eenheeten vun héichreine Dotierungsmëttel bäigefüügt ginn. D'Kristaller ginn no de Spezifikatioune vum Client dotiert an dann poléiert a Scheiwen geschnidden. No verschiddenen zousätzleche Produktiounsschrëtt kritt de Client seng spezifizéiert Waferen an enger spezieller Verpackung, déi et him erlaabt, de Wafer direkt a senger Produktiounslinn ze benotzen.

E Wafer muss e puer Schrëtt duerchlafen, ier e prett ass fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. Ee wichtege Prozess ass d'Silizium-Epitaxie, bei där d'Waferen op Graphit-Susceptoren gedroe ginn. D'Eegeschafte an d'Qualitéit vun de Susceptoren hunn en entscheedenden Afloss op d'Qualitéit vun der epitaktischer Schicht vum Wafer.

Fir Dënnschichtoflagerungsphasen, wéi Epitaxie oder MOCVD, liwwert VET ultra-rein Graphit-Ausrüstung, déi benotzt gëtt fir Substrater oder "Waferen" z'ënnerstëtzen. Am Kär vum Prozess ginn dës Ausrüstung, Epitaxiesuszeptoren oder Satellitteplattforme fir de MOCVD, als éischt der Oflagerungsëmfeld ausgesat:

Héich Temperatur.
Héije Vakuum.
Benotzung vun aggressiven gasfërmegen Virleefer.
Null Kontaminatioun, kee Schälen.
Resistenz géint staark Säure beim Botzprozess