Continuamos a aprimorar e aperfeiçoar nossas soluções e serviços. Ao mesmo tempo, investimos ativamente em pesquisa e desenvolvimento para oferecer o aquecedor de grafite personalizado de alta qualidade e menor preço da China para forno de lingotes de silício policristalino. Nossa empresa cresceu rapidamente em tamanho e popularidade devido à sua dedicação absoluta à fabricação de alta qualidade, preços competitivos e excelente atendimento ao cliente.
Continuamos a aprimorar e aperfeiçoar nossas soluções e serviços. Ao mesmo tempo, investimos ativamente em pesquisa e desenvolvimento para...Forno de aquecimento de grafite da China, Campo térmico de grafitePara garantir a qualidade dos produtos e atender às necessidades dos clientes, todos os nossos produtos e soluções são rigorosamente inspecionados antes do envio. Pensamos sempre na perspectiva do cliente, pois o sucesso dele é o nosso sucesso!
Susceptor MOCVD de alta qualidade 2022. Compre online na China.
| Densidade aparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
| Resistência à flexão: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Dureza da costa: | 58 |
| Cinzas: | <5 ppm |
| Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Um wafer é uma fatia de silício com aproximadamente 1 milímetro de espessura, que possui uma superfície extremamente plana graças a procedimentos tecnicamente muito exigentes. O uso subsequente determina qual procedimento de crescimento de cristal deve ser empregado. No processo Czochralski, por exemplo, o silício policristalino é fundido e um cristal semente extremamente fino é mergulhado no silício fundido. O cristal semente é então girado e lentamente puxado para cima. O resultado é um cristal monocristalino, um material muito pesado. É possível selecionar as características elétricas do monocristal adicionando pequenas quantidades de dopantes de alta pureza. Os cristais são dopados de acordo com as especificações do cliente e, em seguida, polidos e cortados em fatias. Após várias etapas adicionais de produção, o cliente recebe seus wafers especificados em embalagens especiais, o que permite o uso imediato do wafer em sua linha de produção.
Um wafer precisa passar por diversas etapas antes de estar pronto para uso em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício, na qual os wafers são depositados sobre suportes de grafite. As propriedades e a qualidade dos suportes têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial do wafer.
Para fases de deposição de filmes finos, como epitaxia ou MOCVD, a VET fornece equipamentos de grafite ultrapura usados para suportar substratos ou "wafers". No núcleo do processo, esses equipamentos, susceptores de epitaxia ou plataformas satélite para MOCVD, são primeiramente submetidos ao ambiente de deposição:
Alta temperatura.
Alto vácuo.
Utilização de precursores gasosos agressivos.
Contaminação zero, ausência de descamação.
Resistência a ácidos fortes durante operações de limpeza
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