Bei ya Chini Zaidi kwa Hita ya Grafiti Iliyobinafsishwa ya Ubora wa Juu ya Uchina kwa Tanuru ya Ingot ya Polycrystalline ya Silicon

Bei ya Chini Zaidi kwa Hita ya Grafiti Iliyobinafsishwa ya Ubora wa Juu ya Uchina kwa Tanuru ya Ingot ya Silicon ya Polycrystalline Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Mafupi:

Usafi < 5ppm
‣ Usawa mzuri wa kutumia dawa za kulevya
‣ Msongamano mkubwa na mshikamano
‣ Upinzani mzuri wa kutu na kaboni

‣ Ubinafsishaji wa kitaalamu
‣ Muda mfupi wa malipo
‣ Ugavi thabiti
‣ Udhibiti wa ubora na uboreshaji endelevu

Epitaksi ya GaN kwenye Sapphire(RGB/Ndogo/Taa Ndogo ya LED);Epitaksi ya GaN kwenye Substrate ya Si(UVC);Epitaksi ya GaN kwenye Substrate ya Si(Kifaa cha Kielektroniki);Epitaksi ya Si kwenye Substrate ya Si(Mzunguko jumuishi);Epitaksi ya SiC kwenye Substrate ya SiC(Njia ndogo);Epitaksi ya InP kwenye InP

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Tunaendelea kuongeza na kuboresha suluhisho na huduma zetu. Wakati huo huo, tunafanya kazi kikamilifu kufanya utafiti na uboreshaji wa Hita ya Grafiti Iliyobinafsishwa ya Bei ya Chini Zaidi kwa Uchina ya Ubora wa Juu kwa Tanuru ya Ingot ya Polycrystalline ya Silicon, Biashara yetu ilikua haraka kwa ukubwa na umaarufu kwa sababu ya kujitolea kwake kikamilifu kwa utengenezaji wa ubora wa juu, bei kubwa ya bidhaa na mtoa huduma bora kwa wateja.
Tunaendelea kuongeza na kuboresha suluhisho na huduma zetu. Wakati huo huo, tunafanya kazi kikamilifu kufanya utafiti na uboreshaji kwaTanuru ya Kupasha Joto ya Grafiti ya China, Sehemu ya Joto ya Grafiti, Ni kwa ajili tu ya kukamilisha bidhaa bora ili kukidhi mahitaji ya mteja, bidhaa na suluhisho zetu zote zimekaguliwa kwa ukali kabla ya kusafirishwa. Sisi hufikiria kila mara kuhusu swali upande wa wateja, kwa sababu unashinda, sisi tunashinda!

MOCVD Susceptor ya ubora wa juu ya 2022 Nunua mtandaoni nchini China

Uzito Unaoonekana:	1.85 g/cm3
Upinzani wa Umeme:	11 μΩm
Nguvu ya Kunyumbulika:	MPa 49 (500kgf/cm2)
Ugumu wa Pwani:	58
Majivu:	<5ppm
Uendeshaji wa joto:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Kaki ni kipande cha silikoni chenye unene wa takriban milimita 1 ambacho kina uso tambarare sana kutokana na taratibu ambazo kitaalamu zinahitajika sana. Matumizi yanayofuata huamua ni utaratibu gani wa ukuzaji wa fuwele unapaswa kutumika. Katika mchakato wa Czochralski, kwa mfano, silikoni ya poliki huyeyushwa na fuwele nyembamba kama penseli huchovya kwenye silikoni iliyoyeyushwa. Fuwele ya mbegu kisha huzungushwa na kuvutwa polepole juu. Colossus nzito sana, monocrystal, hutokea. Inawezekana kuchagua sifa za umeme za monocrystal kwa kuongeza vitengo vidogo vya dopants zenye usafi wa hali ya juu. Fuwele huchanganywa kulingana na vipimo vya mteja na kisha kung'arishwa na kukatwa vipande. Baada ya hatua mbalimbali za ziada za uzalishaji, mteja hupokea kaki zake maalum katika vifungashio maalum, ambavyo humruhusu mteja kutumia kaki mara moja katika mstari wake wa uzalishaji.

Kaki inahitaji kupitia hatua kadhaa kabla haijawa tayari kutumika katika vifaa vya kielektroniki. Mchakato mmoja muhimu ni silikoni epitaksi, ambapo kaki hubebwa kwenye vishikio vya grafiti. Sifa na ubora wa vishikio vina athari kubwa kwa ubora wa safu ya epitaxial ya kaki.

Kwa awamu nyembamba za uwekaji wa filamu kama vile epitaksi au MOCVD, VET hutoa vifaa vya grafiti safi sana vinavyotumika kusaidia substrates au "wafers". Katika kiini cha mchakato, vifaa hivi, vizuizi vya epitaksi au majukwaa ya setilaiti ya MOCVD, kwanza huwekwa katika mazingira ya uwekaji:

Joto la juu.
Utupu wa hali ya juu.
Matumizi ya vitangulizi vikali vya gesi.
Hakuna uchafuzi wowote, hakuna maganda.
Upinzani dhidi ya asidi kali wakati wa shughuli za kusafisha