Rega Paling Endhek kanggo Pemanas Grafit Khusus Kualitas Tinggi Tiongkok kanggo Tungku Ingot Silikon Polikristalin

Katrangan Cekak:

Kemurnian < 5ppm
‣ Keseragaman doping sing apik
‣ Kapadhetan lan adhesi sing dhuwur
‣ Anti korosi lan tahan karbon sing apik

‣ Kustomisasi profesional
‣ Wektu pangiriman cendhak
‣ Pasokan sing stabil
‣ Kontrol kualitas lan perbaikan terus-terusan

Epitaksi GaN ing Safir(RGB/Mini/Mikro LED);Epitaksi GaN ing Substrat Si(UVC);Epitaksi GaN ing Substrat Si(Piranti Elektronik);Epitaksi Si ing Substrat Si(Sirkuit terpadu);Epitaksi SiC ing Substrat SiC(Substrat);Epitaksi InP ing InP

Kirim email menyang kita Unduh minangka PDF

Rincian Produk

Tag Produk

Kita terus nambah lan nyempurnakake solusi lan layanan kita. Ing wektu sing padha, kita aktif nindakake riset lan panyempurnaan kanggo Rega Paling Endhek kanggo Pemanas Grafit Khusus Kualitas Tinggi China kanggo Tungku Ingot Silikon Polikristalin, Perusahaan kita cepet tuwuh ukuran lan popularitase amarga dedikasi mutlak kanggo manufaktur kualitas paling dhuwur, rega produk sing dhuwur, lan panyedhiya pelanggan sing fantastis.
Kita terus nambah lan nyempurnakake solusi lan layanan kita. Ing wektu sing padha, kita uga aktif nindakake riset lan panyempurnaan kanggoTungku Pemanas Grafit Cina, Medan Termal GrafitMung kanggo nggayuh produk sing berkualitas apik kanggo nyukupi panjaluk pelanggan, kabeh produk lan solusi kita wis dipriksa kanthi ketat sadurunge dikirim. Kita tansah mikir babagan pitakonan saka pihak pelanggan, amarga sampeyan menang, kita menang!

Susceptor MOCVD kualitas dhuwur 2022 Tuku online ing China

Kapadhetan Katon:	1,85 g/cm3
Resistivitas Listrik:	11 μΩm
Kekuatan Fleksibel:	49 MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Awu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Wafer iku irisan silikon sing kandelé kurang luwih 1 milimeter sing nduwèni permukaan sing rata banget amarga prosedur sing sacara teknis nuntut banget. Panggunaan sabanjuré nemtokaké prosedur pertumbuhan kristal endi sing kudu digunakaké. Ing proses Czochralski, contoné, silikon polikristalin dilebur lan kristal wiji tipis kaya pensil dicelupake ing silikon sing wis lebur. Kristal wiji banjur diputer lan ditarik munggah alon-alon. Asilé yaiku sawijining kolosus sing abot banget, yaiku monokristal. Karakteristik listrik monokristal bisa dipilih kanthi nambahake unit cilik dopan kemurnian dhuwur. Kristal kasebut didoping miturut spesifikasi pelanggan banjur dipoles lan dipotong dadi irisan. Sawisé macem-macem langkah produksi tambahan, pelanggan nampa wafer sing wis ditemtokake ing kemasan khusus, sing ngidini pelanggan langsung nggunakake wafer kasebut ing jalur produksi.

Wafer kudu ngliwati sawetara langkah sadurunge siap digunakake ing piranti elektronik. Salah sawijining proses penting yaiku epitaksi silikon, ing ngendi wafer digawa ing susceptor grafit. Sifat lan kualitas susceptor nduweni pengaruh penting marang kualitas lapisan epitaksial wafer.

Kanggo fase deposisi film tipis kayata epitaksi utawa MOCVD, VET nyedhiyakake peralatan grafit ultra-murni sing digunakake kanggo ndhukung substrat utawa "wafer". Ing inti proses kasebut, peralatan iki, suseptor epitaksi utawa platform satelit kanggo MOCVD, pisanan kena lingkungan deposisi:

Suhu dhuwur.
Vakum dhuwur.
Panggunaan prekursor gas sing agresif.
Tanpa kontaminasi, tanpa pengelupasan.
Resistensi marang asam kuat sajrone operasi pembersihan