Polikristal kremniý külçe peçi üçin Hytaýyň ýokary hilli ýöriteleşdirilen grafit gyzdyryjysynyň iň arzan bahasy

Gysgaça düşündiriş:

Arassalyk < 5ppm
‣ Gowy doping deňligi
‣ Ýokary dykyzlyk we ýelmeşme
‣ Korroziýa garşy we ugleroda garşy gowy

‣ Hünärmen özleşdirme
‣ Gysga möhletli
‣ Durnukly üpjünçilik
‣ Hili gözegçilik we yzygiderli kämilleşdirmek

Safiriň üstünde GaN-yň epitaksiýasy(RGB/Mini/Mikro LED);Si substratynda GaN-iň epitaksiýasy(UVC);Si substratynda GaN-iň epitaksiýasy(Elektron enjam);Si substratynda Si-niň epitaksiýasy(Integrirlenen mikrosxema);SiC substratynda SiC-niň epitaksiýasy(Substrat);InP-niň InP-däki epitaksiýasy

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

Biz çözgütlerimizi we hyzmatlarymyzy köpeltmegi we kämilleşdirmegi dowam etdirýäris. Şol bir wagtyň özünde, biz Hytaýda polikristal kremniý külçe peji üçin ýokary hilli ýöriteleşdirilen grafit gyzdyryjysynyň iň arzan bahadan satyn alynmagy üçin gözleg we kämilleşdiriş işlerini işjeň alyp barýarys. Kärhanamyz ýokary hilli önümçilige, önümleriň ýokary bahalaryna we ajaýyp müşderi üpjün edijisine doly ygrarlylygy sebäpli çaltlyk bilen ululygy we meşhurlygy bilen ösdi.
Biz çözgütlerimizi we hyzmatlarymyzy köpeltmegi we kämilleşdirmegi dowam etdirýäris. Şol bir wagtyň özünde, biz ylmy-barlag we kämilleşdiriş işlerini işjeň alyp barýarys.Hytaý Grafit Gyzdyryjy Peç, Grafit Termal Meýdany, Diňe müşderiniň isleglerini kanagatlandyrmak üçin ýokary hilli önümi gazanmak üçin, ähli önümlerimiz we çözgütlerimiz iberilmezden öň berk barlagdan geçirildi. Biz hemişe müşderileriň tarapynda mesele barada pikir edýäris, sebäbi siz ýeňýärsiňiz, biz ýeňýäris!

2022 ýokary hilli MOCVD Susceptor Hytaýda onlaýn satyn alyň

Görünýän dykyzlyk:	1.85 g/sm3
Elektrik garşylygy:	11 μΩm
Bükülme güýji:	49 MPa (500kgf/sm2)
Kenaryň berkligi:	58
Kül:	<5ppm
Ýylylyk geçirijiligi:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Wafer, tehniki taýdan örän talap ediji amallar sebäpli örän tekiz ýüze eýe bolan takmynan 1 millimetr galyňlykdaky kremniý bölegidir. Soňraky ulanyş haýsy kristal ösdürip ýetişdirmek usulynyň ulanylmalydygyny kesgitleýär. Mysal üçin, Çozhralski prosesinde polikristal kremniý ereýär we galam ýaly inçe tohum kristaly ereýän kremniýe batyrylýar. Soňra tohum kristaly aýlanýar we ýuwaşlyk bilen ýokary çekilýär. Örän agyr ägirt uly bir kristal, monokristal emele gelýär. Ýokary arassalykly garyndylaryň kiçi böleklerini goşmak arkaly monokristalyň elektrik häsiýetlerini saýlamak mümkin. Kristallar müşderiniň talaplaryna laýyklykda garyndylanýar we soňra jylaňlanýar we böleklere bölünýär. Dürli goşmaça önümçilik tapgyrlaryndan soň, müşderi görkezilen waferleri ýörite gaplamada alýar, bu bolsa müşderiniň waferi derrew önümçilik liniýasynda ulanmaga mümkinçilik berýär.

Plastinka elektron enjamlarda ulanmaga taýýar bolmazdan öň birnäçe tapgyrdan geçmeli. Möhüm prosesleriň biri kremniý epitaksiýasydyr, onda plastinkalar grafit susseptorlarynda daşalýar. Susseptorlaryň häsiýetleri we hili plastinanyň epitaksial gatlagynyň hiline möhüm täsir edýär.

Epitaksiýa ýa-da MOCVD ýaly inçe plýonka çökündi fazalary üçin VET substratlary ýa-da "waferleri" goldamak üçin ulanylýan ultra arassa grafit enjamlaryny üpjün edýär. Prosesiň esasynda, bu enjam, epitaksiýa susseptorlary ýa-da MOCVD üçin hemra platformalary, ilki çökündi gurşawyna sezewar edilýär:

Ýokary temperatura.
Ýokary wakuum.
Agressiw gazly prekursorlaryň ulanylmagy.
Hiç hili hapalanma ýok, soyulma ýok.
Arassalaýyş işleri wagtynda güýçli kislotalara garşylyk