Laagste prijs voor een hoogwaardige, op maat gemaakte grafietverwarmingseenheid uit China voor de oven van polykristallijn silicium.

Laagste prijs voor een hoogwaardige, op maat gemaakte grafietverwarmingseenheid uit China voor een oven voor polykristallijn silicium (uitgelichte afbeelding)

Korte beschrijving:

Zuiverheid < 5 ppm
‣ Goede uniformiteit van de doping
‣ Hoge dichtheid en hechting
‣ Goede corrosie- en koolstofbestendigheid

‣ Professionele aanpassing
‣ Korte levertijd
‣ Stabiel aanbod
‣ Kwaliteitscontrole en continue verbetering

Epitaxie van GaN op saffier(RGB/Mini/Micro LED);Epitaxie van GaN op een Si-substraat(UVC);Epitaxie van GaN op een Si-substraat(Elektronisch apparaat);Epitaxie van Si op een Si-substraat(Geïntegreerde schakeling);Epitaxie van SiC op een SiC-substraat(Substraat);Epitaxie van InP op InP

Stuur ons een e-mail. Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

We blijven onze oplossingen en diensten verbeteren en perfectioneren. Tegelijkertijd zijn we actief bezig met onderzoek en ontwikkeling om de laagste prijs te bieden voor hoogwaardige, op maat gemaakte grafietverwarmers voor polykristallijne siliciumovens in China. Ons bedrijf is snel gegroeid in omvang en populariteit dankzij onze absolute toewijding aan productie van topkwaliteit, scherpe productprijzen en uitstekende klantenservice.
We blijven onze oplossingen en diensten continu verbeteren en perfectioneren. Tegelijkertijd zijn we actief bezig met onderzoek en verbetering voorChinese grafietverwarmingsoven, Grafiet thermisch veldOm producten van hoge kwaliteit te leveren die aan de eisen van de klant voldoen, worden al onze producten en oplossingen vóór verzending streng gecontroleerd. We denken altijd vanuit het perspectief van de klant, want uw succes is ons succes!

Hoogwaardige MOCVD-susceptoren uit 2022 online te koop in China.

Schijnbare dichtheid:	1,85 g/cm3
Elektrische weerstand:	11 μΩm
Buigsterkte:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-hardheid:	58
As:	<5 ppm
Thermische geleidbaarheid:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Een wafer is een plakje silicium van ongeveer 1 millimeter dik met een extreem vlak oppervlak, verkregen door technisch zeer veeleisende processen. Het uiteindelijke gebruik bepaalt welke kristalgroeimethode moet worden toegepast. Bij het Czochralski-proces wordt bijvoorbeeld polykristallijn silicium gesmolten en wordt een potlooddun zaadkristal in het gesmolten silicium gedompeld. Het zaadkristal wordt vervolgens gedraaid en langzaam omhoog getrokken. Het resultaat is een zeer zwaar blok, een monokristal. De elektrische eigenschappen van het monokristal kunnen worden geselecteerd door kleine hoeveelheden zeer zuivere doteringsmiddelen toe te voegen. De kristallen worden gedoteerd volgens de specificaties van de klant, gepolijst en in plakjes gesneden. Na diverse verdere productiestappen ontvangt de klant de gewenste wafers in een speciale verpakking, waardoor de wafer direct in de eigen productielijn kan worden gebruikt.

Een wafer moet verschillende stappen doorlopen voordat deze klaar is voor gebruik in elektronische apparaten. Een belangrijk proces is siliciumepitaxie, waarbij de wafers op grafietsusceptoren worden gedragen. De eigenschappen en kwaliteit van de susceptoren hebben een cruciale invloed op de kwaliteit van de epitaxiale laag van de wafer.

Voor dunnefilmdepositieprocessen zoals epitaxie of MOCVD levert VET ultrazuivere grafietapparatuur die wordt gebruikt om substraten of "wafers" te ondersteunen. In de kern van het proces worden deze apparatuur, epitaxie-susceptoren of satellietplatforms voor de MOCVD, eerst blootgesteld aan de depositieomgeving:

Hoge temperatuur.
Hoog vacuüm.
Gebruik van agressieve gasvormige voorlopers.
Geen verontreiniging, geen afschilfering.
Bestand tegen sterke zuren tijdens reinigingswerkzaamheden.