Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Kustom Berkualitas Tinggi dari China untuk Tungku Ingot Silikon Polikristalin

Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Berkualitas Tinggi Buatan China yang Disesuaikan untuk Tungku Ingot Silikon Polikristalin (Gambar Unggulan)

Deskripsi Singkat:

Kemurnian < 5ppm
‣ Keseragaman doping yang baik
‣ Kepadatan dan daya rekat tinggi
‣ Ketahanan korosi dan karbon yang baik

‣ Kustomisasi profesional
‣ Waktu tunggu singkat
‣ Pasokan stabil
‣ Kontrol kualitas dan peningkatan berkelanjutan

Epitaksi GaN pada Safir(RGB/Mini/Micro LED);Epitaksi GaN pada Substrat Si(UVC);Epitaksi GaN pada Substrat Si(Perangkat Elektronik);Epitaksi Si pada Substrat Si(Sirkuit terpadu);Epitaksi SiC pada Substrat SiC(Substrat);Epitaksi InP pada InP

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Kami terus meningkatkan dan menyempurnakan solusi dan layanan kami. Pada saat yang sama, kami aktif melakukan penelitian dan peningkatan untuk mendapatkan Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Kustom Berkualitas Tinggi dari China untuk Tungku Ingot Silikon Polikristalin. Perusahaan kami berkembang pesat dalam ukuran dan popularitas karena dedikasinya yang mutlak terhadap manufaktur berkualitas tinggi, harga produk yang terjangkau, dan layanan pelanggan yang fantastis.
Kami terus meningkatkan dan menyempurnakan solusi dan layanan kami. Pada saat yang sama, kami aktif melakukan penelitian dan peningkatan untuk...Tungku Pemanas Grafit Cina, Medan Termal GrafitDemi menghasilkan produk berkualitas tinggi yang memenuhi permintaan pelanggan, semua produk dan solusi kami telah diperiksa secara ketat sebelum pengiriman. Kami selalu memikirkan kepentingan pelanggan, karena jika Anda menang, kami pun menang!

Beli Susceptor MOCVD berkualitas tinggi tahun 2022 secara online di China.

Kepadatan Tampak:	1,85 g/cm3
Resistivitas Listrik:	11 μΩm
Kekuatan Lentur:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Kekerasan Shore:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Wafer adalah irisan silikon dengan ketebalan sekitar 1 milimeter yang memiliki permukaan sangat rata berkat prosedur yang secara teknis sangat menuntut. Penggunaan selanjutnya menentukan prosedur pertumbuhan kristal mana yang harus digunakan. Dalam proses Czochralski, misalnya, silikon polikristalin dilelehkan dan kristal benih setipis pensil dicelupkan ke dalam silikon cair. Kristal benih kemudian diputar dan ditarik perlahan ke atas. Hasilnya adalah kristal raksasa yang sangat berat, yaitu monokristal. Karakteristik listrik monokristal dapat dipilih dengan menambahkan unit kecil dopan dengan kemurnian tinggi. Kristal didoping sesuai dengan spesifikasi pelanggan, kemudian dipoles dan dipotong menjadi irisan. Setelah berbagai langkah produksi tambahan, pelanggan menerima wafer yang telah ditentukan dalam kemasan khusus, yang memungkinkan pelanggan untuk langsung menggunakan wafer tersebut dalam lini produksinya.

Sebuah wafer perlu melewati beberapa tahapan sebelum siap digunakan dalam perangkat elektronik. Salah satu proses penting adalah epitaksi silikon, di mana wafer diletakkan di atas penyangga grafit. Sifat dan kualitas penyangga memiliki pengaruh penting terhadap kualitas lapisan epitaksi wafer.

Untuk fase deposisi lapisan tipis seperti epitaksi atau MOCVD, VET memasok peralatan grafit ultra-murni yang digunakan untuk menopang substrat atau "wafer". Pada inti proses ini, peralatan ini, yaitu susceptor epitaksi atau platform satelit untuk MOCVD, pertama-tama dikenakan lingkungan deposisi:

Suhu tinggi.
Vakum tinggi.
Penggunaan prekursor gas yang agresif.
Nol kontaminasi, tanpa pengelupasan.
Ketahanan terhadap asam kuat selama operasi pembersihan