Поликристаллдык кремний куйма мешине Кытайдын жогорку сапаттагы ылайыкташтырылган графит жылыткычынын эң төмөнкү баасы

Поликристаллдык кремний куйма мешине арналган Кытайдын жогорку сапаттагы графит жылыткычынын эң төмөнкү баасы. Сунушталган сүрөт.

Кыскача сүрөттөмө:

Тазалыгы < 5ppm
‣ Допингдин бирдейлиги жакшы
‣ Жогорку тыгыздык жана адгезия
‣ Жакшы коррозияга каршы жана көмүртек туруктуулугу

‣ Кесипкөй ылайыкташтыруу
‣ Кыска мөөнөттүү жеткирүү
‣ Туруктуу камсыздоо
‣ Сапатты көзөмөлдөө жана үзгүлтүксүз өркүндөтүү

Сапфирдеги GaN эпитаксиясы(RGB/Мини/Микро LED);Si субстратындагы GaN эпитаксиясы(УВК);Si субстратындагы GaN эпитаксиясы(Электрондук түзмөк);Si субстратындагы Si эпитаксиясы(Интегралдык микросхема);SiC субстратындагы SiC эпитаксиясы(Субстрат);InP эпитаксиясы InPде

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз PDF форматында жүктөп алуу

Продукциянын чоо-жайы

Продукциянын тегдери

Биз чечимдерибизди жана кызматтарыбызды өркүндөтүүнү жана өркүндөтүүнү улантуудабыз. Ошол эле учурда, биз Кытайда поликристаллдык кремний куйма меши үчүн жогорку сапаттагы графит жылыткычын эң арзан баада издөө жана өркүндөтүү үчүн активдүү иштейбиз. Биздин ишкана жогорку сапаттагы өндүрүшкө, продукциянын жогорку баасына жана эң сонун кардарларды тейлөөгө болгон берилгендигинин аркасында тез арада көлөмү жана популярдуулугу боюнча өстү.
Биз чечимдерибизди жана кызматтарыбызды көбөйтүп жана өркүндөтүп жатабыз. Ошол эле учурда, биз изилдөө жана өркүндөтүү үчүн активдүү иштейбизКытай графит жылытуу меши, Графит жылуулук талаасыКардарлардын суроо-талабын канааттандыруу үчүн сапаттуу продукцияны чыгаруу үчүн гана, биздин бардык продукцияларыбыз жана чечимдерибиз жөнөтүүдөн мурун катуу текшерилген. Биз ар дайым кардарлардын маселесин ойлойбуз, анткени сиз утасыз, биз утабыз!

2022 жогорку сапаттагы MOCVD Susceptor Кытайдан онлайн сатып алыңыз

Көрүнгөн тыгыздык:	1,85 г/см3
Электрдик каршылыгы:	11 мкΩм
Ийилүүнүн чыңалуусу:	49 МПа (500 кгс/см2)
Жээк катуулугу:	58
Күл:	<5ppm
Жылуулук өткөрүмдүүлүгү:	116 Вт/мК (100 ккал/мсаат-℃)

Вафли – бул болжол менен 1 миллиметр калыңдыктагы кремнийдин кесими, ал техникалык жактан абдан татаал процедуралардын аркасында өтө жалпак бетке ээ. Андан кийинки колдонуу кайсы кристалл өстүрүү процедурасын колдонуу керектигин аныктайт. Мисалы, Чохральский процессинде поликристаллдык кремний эритилет жана карандаштай жука үрөн кристаллы эритилген кремнийге малынып алынат. Андан кийин үрөн кристаллы айландырылып, акырындык менен өйдө тартылат. Абдан оор колосс, монокристалл пайда болот. Монокристалдын электрдик мүнөздөмөлөрүн жогорку тазалыктагы кошулмалардын кичинекей бирдиктерин кошуу менен тандоого болот. Кристалдар кардардын талаптарына ылайык кошулуп, андан кийин жылмаланып, кесимдерге кесилет. Ар кандай кошумча өндүрүш кадамдарынан кийин, кардар көрсөтүлгөн вафлилерди атайын таңгактоодо алат, бул кардарга вафлиди өндүрүш линиясында дароо колдонууга мүмкүндүк берет.

Пластинаны электрондук түзмөктөрдө колдонууга даяр болуу үчүн бир нече этаптан өтүшү керек. Маанилүү процесстердин бири - кремний эпитаксиясы, анда пластиналар графит сусцепторлорунда ташылат. Сусцепторлордун касиеттери жана сапаты пластинанын эпитаксиалдык катмарынын сапатына чечүүчү таасир этет.

Эпитаксия же MOCVD сыяктуу жука пленкалуу чөкмө фазалары үчүн VET субстраттарды же "пластиналарды" колдоо үчүн колдонулган өтө таза графит жабдууларын берет. Процесстин өзөгүндө бул жабдуулар, эпитаксия сусцепторлору же MOCVD үчүн спутниктик платформалар, алгач чөкмө чөйрөсүнө дуушар болот:

Жогорку температура.
Жогорку вакуум.
Агрессивдүү газ прекурсорлорун колдонуу.
Нөлдүк булгануу, кабыгынын жоктугу.
Тазалоо иштеринде күчтүү кислоталарга туруктуулук