Harga Panghandapna pikeun Pemanas Grafit Khusus Kualitas Luhur Cina pikeun Tungku Ingot Silikon Polikristalin

Harga Panghandapna pikeun Pamanas Grafit Khusus Kualitas Luhur Cina pikeun Tungku Ingot Silikon Polikristalin Gambar Unggulan

Pedaran Singkat:

Kamurnian < 5ppm
‣ Keseragaman doping anu saé
‣ Kapadetan sareng adhesi anu luhur
‣ Anti korosi sareng tahan karbon anu saé

‣ Kustomisasi profésional
‣ Waktos pangiriman pondok
‣ Pasokan anu stabil
‣ Kontrol kualitas sareng perbaikan anu terus-terusan

Epitaksi GaN dina Safir(RGB/Mini/Mikro LED);Epitaksi GaN dina Substrat Si(UVC);Epitaksi GaN dina Substrat Si(Alat Éléktronik);Epitaksia Si dina Substrat Si(Sirkuit terpadu);Epitaksi SiC dina Substrat SiC(Substrat);Epitaksi InP dina InP

Kirim email ka kami Unduh salaku PDF

Rincian Produk

Tag Produk

Kami teras-terasan ningkatkeun sareng nyampurnakeun solusi sareng jasa kami. Dina waktos anu sami, kami beroperasi sacara aktif pikeun ngalakukeun panalungtikan sareng paningkatan pikeun Harga Panghandapna pikeun Pemanas Grafit Khusus Kualitas Luhur Cina pikeun Tungku Ingot Silikon Polikristalin, Perusahaan kami gancang ningkat dina ukuran sareng popularitasna kusabab dedikasi mutlakna kana manufaktur kualitas luhur, harga produk anu luhur sareng panyadia palanggan anu hebat.
Kami teras-terasan ningkatkeun sareng nyampurnakeun solusi sareng layanan kami. Dina waktos anu sami, kami beroperasi sacara aktif pikeun ngalakukeun panalungtikan sareng paningkatan pikeunTungku Pemanasan Grafit Cina, Médan Termal Grafit, Ngan pikeun ngahontal produk anu kualitasna saé pikeun minuhan paménta konsumén, sadaya produk sareng solusi kami parantos dipariksa sacara ketat sateuacan dikirim. Kami salawasna mikirkeun patarosan ti sisi konsumén, sabab anjeun meunang, urang meunang!

Susceptor MOCVD kualitas luhur 2022 Meser online di Cina

Kapadetan Katempo:	1,85 g/cm3
Résistansi Listrik:	11 μΩm
Kakuatan Fléksibel:	49 MPa (500kgf/cm2)
Karasa basisir:	58
Lebu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Wafer nyaéta sapotong silikon anu kandelna kira-kira 1 miliméter anu permukaanana rata pisan kusabab prosedur anu sacara téknis nungtut pisan. Panggunaan salajengna nangtukeun prosedur tumuwuhna kristal mana anu kedah dianggo. Dina prosés Czochralski, contona, silikon polikristalin dilebur sareng kristal siki ipis sapertos pensil dicelupkeun kana silikon anu lebur. Kristal siki teras diputer sareng ditarik lalaunan ka luhur. Hasilna nyaéta kolosus anu beurat pisan, monokristal. Kamungkinan pikeun milih karakteristik listrik monokristal ku cara nambihan unit alit dopan anu kualitasna luhur. Kristal didoping saluyu sareng spésifikasi palanggan teras dipoles sareng dipotong-potong. Saatos sababaraha léngkah produksi tambahan, palanggan nampi wafer anu ditangtukeun dina kemasan khusus, anu ngamungkinkeun palanggan langsung nganggo wafer dina jalur produksina.

Wafer kedah ngalangkungan sababaraha léngkah sateuacan siap dianggo dina alat éléktronik. Salah sahiji prosés penting nyaéta epitaksi silikon, dimana wafer dibawa dina susceptor grafit. Sipat sareng kualitas susceptor gaduh pangaruh anu penting kana kualitas lapisan epitaksial wafer.

Pikeun fase déposisi pilem ipis sapertos epitaksi atanapi MOCVD, VET nyayogikeun alat grafit ultra-murni anu dianggo pikeun ngadukung substrat atanapi "wafer". Dina inti prosésna, alat ieu, suseptor epitaksi atanapi platform satelit pikeun MOCVD, mimitina dikenakeun kana lingkungan déposisi:

Suhu luhur.
Vakum anu luhur.
Pamakéan prékursor gas agrésif.
Henteu aya kontaminasi, henteu aya pengelupasan.
Tahan ka asam kuat nalika operasi beberesih