Prezzo più basso per riscaldatore in grafite personalizzato di alta qualità, prodotto in Cina, per forno a lingotti di silicio policristallino

Prezzo più basso per riscaldatore in grafite personalizzato di alta qualità cinese per forno a lingotti di silicio policristallino (immagine in evidenza)

Breve descrizione:

Purezza < 5 ppm
‣ Buona uniformità dei controlli antidoping
‣ Elevata densità e adesione
‣ Buona resistenza alla corrosione e al carbonio

‣ Personalizzazione professionale
‣ Tempi di consegna brevi
‣ Fornitura stabile
‣ Controllo qualità e miglioramento continuo

Epitassia di GaN su zaffiro(LED RGB/Mini/Micro);Epitassia di GaN su substrato di Si(UVC);Epitassia di GaN su substrato di Si(Dispositivo elettronico);Epitassia del silicio su substrato di silicio(Circuito integrato);Epitassia di SiC su substrato di SiC(Substrato);Epitassia di InP su InP

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Continuiamo ad ampliare e perfezionare le nostre soluzioni e i nostri servizi. Allo stesso tempo, ci impegniamo attivamente nella ricerca e nello sviluppo di riscaldatori in grafite personalizzati di alta qualità al prezzo più basso per forni a lingotti di silicio policristallino. La nostra azienda è cresciuta rapidamente in dimensioni e popolarità grazie alla sua assoluta dedizione alla produzione di alta qualità, all'elevato prezzo dei prodotti e all'eccellente servizio clienti.
Continuiamo ad ampliare e perfezionare le nostre soluzioni e i nostri servizi. Allo stesso tempo, ci impegniamo attivamente nella ricerca e nel miglioramento.Forno di riscaldamento a grafite cinese, Campo termico della grafitePer garantire la massima qualità e soddisfare le esigenze dei clienti, tutti i nostri prodotti e soluzioni vengono rigorosamente ispezionati prima della spedizione. Ci mettiamo sempre nei panni dei clienti, perché il vostro successo è anche il nostro successo!

2022 Suscettore MOCVD di alta qualità Acquista online in Cina

Densità apparente:	1,85 g/cm³
Resistività elettrica:	11 μΩm
Resistenza alla flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cenere:	<5 ppm
Conduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Un wafer è una fetta di silicio di circa 1 millimetro di spessore, caratterizzata da una superficie estremamente piana ottenuta tramite procedure tecnicamente molto complesse. L'utilizzo successivo determina quale procedura di crescita cristallina debba essere impiegata. Nel processo Czochralski, ad esempio, il silicio policristallino viene fuso e un cristallo seme sottilissimo, dello spessore di una matita, viene immerso nel silicio fuso. Il cristallo seme viene quindi ruotato e lentamente sollevato. Si ottiene così un colosso molto pesante, un monocristallo. È possibile selezionare le caratteristiche elettriche del monocristallo aggiungendo piccole quantità di droganti ad elevata purezza. I cristalli vengono drogati secondo le specifiche del cliente, quindi lucidati e tagliati in fette. Dopo diverse fasi di produzione aggiuntive, il cliente riceve i wafer specificati in un imballaggio speciale, che gli consente di utilizzarli immediatamente nella propria linea di produzione.

Un wafer deve passare attraverso diverse fasi prima di essere pronto per l'uso nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia del silicio, in cui i wafer vengono trasportati su supporti di grafite. Le proprietà e la qualità dei supporti hanno un effetto cruciale sulla qualità dello strato epitassiale del wafer.

Per le fasi di deposizione di film sottili come l'epitassia o la MOCVD, VET fornisce apparecchiature in grafite ultrapura utilizzate per supportare i substrati o "wafer". Al centro del processo, queste apparecchiature, ovvero i supporti per l'epitassia o le piattaforme satellite per la MOCVD, vengono prima sottoposte all'ambiente di deposizione:

Alta temperatura.
Vuoto alto.
Utilizzo di precursori gassosi aggressivi.
Nessuna contaminazione, assenza di scrostamento.
Resistenza agli acidi forti durante le operazioni di pulizia