Поликристалл кремний коелма миче өчен Кытайның югары сыйфатлы заказ буенча эшләнгән графит җылыткычы өчен иң түбән бәя

Поликристалл кремний коелма миче өчен Кытайның югары сыйфатлы заказ буенча эшләнгән графит җылыткычының иң түбән бәясе. Күрсәтелгән рәсем.

Кыскача тасвирлама:

Сафлык < 5ppm
‣ Допингның бердәмлеге яхшы
‣ Югары тыгызлык һәм адгезия
‣ Яхшы коррозиягә каршы һәм углеродка чыдамлы

‣ Профессиональ көйләү
‣ Кыска вакытлы
‣ Тотрыклы тәэмин итү
‣ Сыйфатны контрольдә тоту һәм даими яхшырту

Сапфирдагы GaN эпитаксиясе(RGB/Мини/Микро LED);Si субстратында GaN эпитаксиясе(УВК);Si субстратында GaN эпитаксиясе(Электрон җайланма);Si субстратында Si эпитаксиясе(Интегральләштерелгән схема);SiC субстратында SiC эпитаксиясе(Субстрат);InP эпитаксиясе InP өстендә

Безгә электрон почта җибәрегез PDF рәвешендә йөкләү

Продукт детальләре

Продукт теглары

Без чишелешләребезне һәм хезмәтләребезне арттыруны һәм камилләштерүне дәвам итәбез. Шул ук вакытта, без Кытайда поликристалл кремний коелма миче өчен югары сыйфатлы заказ буенча эшләнгән графит җылыткычын иң түбән бәягә эзләү һәм яхшырту өчен актив эшлибез. Безнең предприятие югары сыйфатлы җитештерүгә тулысынча бирелгәнлеге, продуктларның югары бәясе һәм искиткеч клиентлар белән тәэмин итү аркасында тиз арада зурая һәм популярлаша.
Без чишелешләребезне һәм хезмәтләребезне арттыруны һәм камилләштерүне дәвам итәбез. Шул ук вакытта без тикшеренүләр һәм яхшырту өчен актив эшлибез.Кытай графиты җылыту миче, Графит җылылык кыры, Клиентларның ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен генә, безнең барлык продуктлар һәм чишелешләр җибәрү алдыннан катгый тикшерелде. Без һәрвакыт клиентлар ягындагы мәсьәлә турында уйлыйбыз, чөнки сез җиңәсез, без җиңәбез!

2022 югары сыйфатлы MOCVD Susceptor Кытайда онлайн сатып алыгыз

Күренмә тыгызлык:	1,85 г/см3
Электр каршылыгы:	11 мкΩм
Бөгелү көче:	49 МПа (500 кгс/см2)
Яр катылыгы:	58
Көл:	<5ppm
Җылылык үткәрүчәнлеге:	116 Вт/мК (100 ккал/м3-℃)

Вафли - якынча 1 миллиметр калынлыктагы кремний кисәге, ул техник яктан бик катлаулы процедуралар аркасында бик тигез өслеккә ия. Аннан соңгы куллану кристалл үстерүнең кайсы процедурасын кулланырга кирәклеген билгели. Мәсәлән, Чохральски процессында поликристалл кремний эретелә һәм карандаш кебек нечкә орлык кристаллы эретелгән кремнийга батырыла. Аннары орлык кристаллы әйләндерелә һәм әкрен генә өскә тартыла. Бик авыр колосс, монокристалл барлыкка килә. Югары чисталыктагы легирлауларның кечкенә берәмлекләрен өстәп, монокристаллның электр үзенчәлекләрен сайларга мөмкин. Кристалллар клиент таләпләренә туры китереп легирлана, аннары ялтыратыла һәм кисәкләргә киселә. Төрле өстәмә җитештерү этапларыннан соң, клиент билгеләнгән пластиналарны махсус төргәктә ала, бу клиентка пластинаны җитештерү линиясендә шунда ук кулланырга мөмкинлек бирә.

Пластинаны электрон җайланмаларда кулланырга әзер булганчы берничә этап үтәргә кирәк. Мөһим процессларның берсе - кремний эпитаксиясе, анда пластиналар графит сусцепторларында йөртелә. Сусцепторларның үзлекләре һәм сыйфаты пластинаның эпитаксиаль катламы сыйфатына хәлиткеч йогынты ясый.

Эпитаксия яки MOCVD кебек юка пленкалы катламнарны урнаштыру фазалары өчен, VET субстратларны яки "пластиналарны" тоту өчен кулланыла торган ультра-чиста графит җиһазлары белән тәэмин итә. Процессның нигезендә, бу җиһазлар, эпитаксия сусцепторлары яки MOCVD өчен юлдаш платформалары, башта катлам мохитенә дучар ителә:

Югары температура.
Югары вакуум.
Агрессив газсыман прекурсорларны куллану.
Нуль пычрану, кабыклар калмау.
Чистарту операцияләре вакытында көчле кислоталарга каршы торучанлык