Barca à cialda à colonna verticale è piedistallu

Descrizzione corta:

A barca è u piedistallu di wafer à colonna verticale di vet-china offrenu una stabilità è una precisione superiori in a manipulazione di wafer per a fabricazione di semiconduttori. Cù u disignu avanzatu di vet-china, stu sistema assicura un allineamentu ottimale è una ritenzione sicura, aumentendu l'efficienza operativa è riducendu i danni à i wafer.

 


  • Nome:Barca à wafer verticale in SiC
  • Materiale:SiC sinterizatu d'alta purezza
  • Tempu di consegna:Sicondu a quantità
  • OEM, ODM:Supportu
  • Certificatu:IS09001:2015
  • Quantità minima d'ordine:1 pezzi
  • Campione:Disponibile
  • Dettagli di u produttu

    Etichette di u produttu

    vet-china presenta l'innovativu Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, una suluzione cumpleta per a trasfurmazione avanzata di semiconduttori. Cuncipitu cù una precisione meticulosa, questu sistema di manipulazione di wafer furnisce una stabilità è un allineamentu senza paragone, cruciali per l'ambienti di fabricazione ad alta efficienza.

    A Barca è u Piedistallu di Wafer à Colonna Verticale sò custruiti cù materiali di prima qualità chì garantiscenu a stabilità termica è a resistenza à a corrosione chimica, ciò chì li rende adatti per i prucessi di fabricazione di semiconduttori più esigenti. U so design unicu di colonna verticale sustene i wafer in modu sicuru, riducendu u risicu di disallineamentu è di danni potenziali durante u trasportu è a trasfurmazione.

    Cù l'integrazione di a barca è u piedistallu à colonna verticale di vet-china, i pruduttori di semiconduttori ponu aspittà un rendimentu miglioratu, tempi di inattività minimizzati è un aumentu di u rendimentu di u produttu. Stu sistema hè cumpatibile cù diverse dimensioni è cunfigurazioni di wafer, offrendu flessibilità è scalabilità per diverse esigenze di pruduzzione.

    L'impegnu di vet-china per l'eccellenza garantisce chì ogni barca à wafer à colonna verticale è piedistallu risponde à i più alti standard di qualità è prestazioni. Scegliendu sta suluzione d'avanguardia, investite in un approcciu à prova di futuru per a gestione di i wafer chì massimizza l'efficienza è l'affidabilità in a fabricazione di semiconduttori.

    Barca à cialda à colonna verticale è piedistallu

    Proprietà di u carburu di siliciu ricristallizatu

    U carburu di siliciu ricristallizatu (R-SiC) hè un materiale d'altu rendimentu cù una durezza seconda solu à u diamante, chì hè furmatu à una temperatura alta sopra à 2000 ℃. Conserva parechje proprietà eccellenti di SiC, cum'è a resistenza à alta temperatura, a forte resistenza à a corrosione, l'eccellente resistenza à l'ossidazione, a bona resistenza à i shock termichi è cusì.

    ● Eccellenti proprietà meccaniche. U carburo di siliciu ricristallizatu hà una resistenza è una rigidità più elevate cà a fibra di carbone, una alta resistenza à l'impattu, pò ghjucà una bona prestazione in ambienti à temperature estreme, pò ghjucà una megliu prestazione di contrappesu in una varietà di situazioni. Inoltre, hà ancu una bona flessibilità è ùn hè micca facilmente dannighjatu da u stiramentu è a piegatura, ciò chì migliora assai e so prestazioni.

    ● Alta resistenza à a corrosione. U carburu di siliciu ricristallizatu hà una alta resistenza à a corrosione à una varietà di mezi, pò impedisce l'erosione di una varietà di mezi currusivi, pò mantene e so proprietà meccaniche per un bellu pezzu, hà una forte adesione, cusì hà una vita di serviziu più longa. Inoltre, hà ancu una bona stabilità termica, pò adattassi à una certa gamma di cambiamenti di temperatura, migliurà u so effettu di applicazione.

    ● A sinterizazione ùn si ritira micca. Siccomu u prucessu di sinterizazione ùn si ritira micca, nisuna tensione residuale pruvucarà deformazione o screpolatura di u pruduttu, è si ponu preparà pezzi cù forme cumplesse è alta precisione.

    重结晶碳化硅物理特性

    Proprietà fisiche di u carburu di siliciu ricristallizatu

    性质 / Pruprietà

    典型数值 / Valore Tipicu

    使用温度/ Temperatura di travagliu (°C)

    1600°C (cù ossigenu), 1700°C (ambiente riducente)

    SiC含量/ Cuntenutu di SiC

    > 99,96%

    自由Si含量/ Cuntenutu Si gratuitu

    < 0,1%

    体积密度/Densità apparente

    2,60-2,70 g/cm3

    气孔率/ Porosità apparente

    < 16%

    抗压强度/ Resistenza à a cumpressione

    > 600MPa

    常温抗弯强度/Resistenza à a flessione à fretu

    80-90 MPa (20°C)

    高温抗弯强度Resistenza à a flessione à caldu

    90-100 MPa (1400°C)

    热膨胀系数/ Espansione termica @1500°C

    4.70 10-6/°C

    导热系数/Cunduttività termica @1200°C

    23 anniW/m•K

    杨氏模量/ Modulu elasticu

    240 GPa

    抗热震性/ Resistenza à i shock termichi

    Estremamente bonu

    L'energia VET hè uveru fabricatore di prudutti persunalizati di grafite è carburu di siliciu cù rivestimentu CVD,pò furniscevariiParti persunalizate per l'industria di i semiconduttori è di u fotovoltaicu. OA nostra squadra tecnica vene da i migliori istituzioni di ricerca naziunali, pò furnisce suluzioni di materiali più prufessiunaliper tè.

    Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati,èanu elaboratu una tecnulugia brevettata esclusiva, chì pò fà chì u ligame trà u rivestimentu è u sustratu sia più strettu è menu propensu à u distaccu.

    CVD SiC薄膜基本物理性能

    Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu

    性质 / Pruprietà

    典型数值 / Valore Tipicu

    晶体结构 / Struttura Cristallina

    Fase β di a FCC多晶,主要为(111)取向

    密度 / Densità

    3,21 g/cm³

    硬度 / Durezza

    2500 维氏硬度(500g di carica)

    晶粒大小 / Grana

    2~10μm

    纯度 / Purità chimica

    99,99995%

    热容 / Capacità termica

    640 J·kg-1·K-1

    升华温度 / Temperatura di sublimazione

    2700 ℃

    抗弯强度 / Resistenza à a flessione

    415 MPa RT à 4 punti

    杨氏模量 Modulu di Young

    Curvatura 430 Gpa 4pt, 1300℃

    导热系数 / ThermalCunduttività

    300W·m-1·K-1

    热膨胀系数 / Dilatazione Termica (CTE)

    4,5 × 10-6K-1

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