Wadah Wafer Kolom Vertikal & Alas

Deskripsi Singkat:

Dudukan dan Penyangga Wafer Kolom Vertikal dari vet-china menawarkan stabilitas dan presisi superior dalam penanganan wafer untuk manufaktur semikonduktor. Dengan desain canggih dari vet-china, sistem ini memastikan penyelarasan optimal dan penahanan yang aman, meningkatkan efisiensi operasional dan mengurangi kerusakan wafer.

Nama:Perahu Wafer Vertikal SiC

Bahan:SiC Sinter dengan Kemurnian Tinggi

Waktu pengiriman:Tergantung pada Jumlah

OEM, ODM:Mendukung

Sertifikat:ISO9001:2015

Jumlah Pesanan Minimum (MOQ):1 buah

Mencicipi:Tersedia

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

vet-china mempersembahkan Vertical Column Wafer Boat & Pedestal yang inovatif, solusi komprehensif untuk pemrosesan semikonduktor tingkat lanjut. Dirancang dengan presisi yang cermat, sistem penanganan wafer ini memberikan stabilitas dan keselarasan yang tak tertandingi, yang sangat penting untuk lingkungan manufaktur dengan efisiensi tinggi.

Dudukan dan Penyangga Wafer Kolom Vertikal ini dibuat dengan material premium yang menjamin stabilitas termal dan ketahanan terhadap korosi kimia, sehingga cocok untuk proses fabrikasi semikonduktor yang paling menuntut. Desain kolom vertikalnya yang unik menopang wafer dengan aman, mengurangi risiko ketidaksejajaran dan potensi kerusakan selama pengangkutan dan pemrosesan.

Dengan integrasi Vertical Column Wafer Boat & Pedestal dari vet-china, produsen semikonduktor dapat mengharapkan peningkatan throughput, pengurangan waktu henti, dan peningkatan hasil produk. Sistem ini kompatibel dengan berbagai ukuran dan konfigurasi wafer, menawarkan fleksibilitas dan skalabilitas untuk berbagai kebutuhan produksi.

Komitmen vet-china terhadap keunggulan memastikan bahwa setiap Vertical Column Wafer Boat & Pedestal memenuhi standar kualitas dan kinerja tertinggi. Dengan memilih solusi mutakhir ini, Anda berinvestasi dalam pendekatan penanganan wafer yang tahan masa depan yang memaksimalkan efisiensi dan keandalan dalam manufaktur semikonduktor.

Sifat-sifat silikon karbida yang mengalami rekristalisasi

Silikon karbida rekristalisasi (R-SiC) adalah material berkinerja tinggi dengan kekerasan hanya kalah dari intan, yang terbentuk pada suhu tinggi di atas 2000℃. Material ini mempertahankan banyak sifat unggul SiC, seperti kekuatan suhu tinggi, ketahanan korosi yang kuat, ketahanan oksidasi yang sangat baik, ketahanan terhadap guncangan termal yang baik, dan sebagainya.

● Sifat mekanik yang sangat baik. Silikon karbida yang direkristalisasi memiliki kekuatan dan kekakuan yang lebih tinggi daripada serat karbon, ketahanan benturan yang tinggi, dapat menunjukkan kinerja yang baik dalam lingkungan suhu ekstrem, dan dapat memberikan kinerja penyeimbang yang lebih baik dalam berbagai situasi. Selain itu, ia juga memiliki fleksibilitas yang baik dan tidak mudah rusak akibat peregangan dan pembengkokan, yang sangat meningkatkan kinerjanya.

● Ketahanan korosi yang tinggi. Silikon karbida yang direkristalisasi memiliki ketahanan korosi yang tinggi terhadap berbagai media, dapat mencegah erosi berbagai media korosif, dapat mempertahankan sifat mekaniknya dalam waktu lama, memiliki daya rekat yang kuat, sehingga memiliki masa pakai yang lebih lama. Selain itu, ia juga memiliki stabilitas termal yang baik, dapat beradaptasi dengan perubahan suhu dalam kisaran tertentu, sehingga meningkatkan efektivitas aplikasinya.

● Proses sintering tidak menyusut. Karena proses sintering tidak menyusut, tidak ada tegangan sisa yang akan menyebabkan deformasi atau retak pada produk, dan komponen dengan bentuk kompleks dan presisi tinggi dapat dibuat.

重结晶碳化硅物理特性 Sifat Fisik Silikon Karbida yang Mengalami Rekristalisasi
性质 / Properti	典型数值 / Nilai Khas
使用温度/ Suhu kerja (°C)	1600°C (dengan oksigen), 1700°C (lingkungan pereduksi)
SiC含量/ Konten SiC	> 99,96%
ituSi含量/ Konten Si gratis	< 0,1%
体积密度/Kepadatan curah	2,60-2,70 g/cm³
气孔率/ Porositas tampak	< 16%
抗压强度Kekuatan tekan	> 600MPa
常温抗弯强度/Kekuatan lentur dingin	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Kekuatan tekukan panas	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数Ekspansi termal @1500°C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Konduktivitas termal @1200°C	23W/m•K
杨氏模量Modulus elastis	240 GPa
抗热震性Ketahanan terhadap guncangan termal	Sangat bagus

VET Energy adalah ituProdusen asli produk grafit dan silikon karbida yang disesuaikan dengan pelapisan CVD,dapat memasokbermacam-macamKomponen khusus untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. OTim teknis kami berasal dari lembaga penelitian terkemuka di dalam negeri, sehingga dapat memberikan solusi material yang lebih profesional.untukmu.

Kami terus mengembangkan proses-proses canggih untuk menyediakan material yang lebih maju,DanTelah mengembangkan teknologi eksklusif yang dipatenkan, yang dapat membuat ikatan antara lapisan dan substrat lebih erat dan kurang rentan terhadap pelepasan.

Penyakit kardiovaskular SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dasar SiC CVDlapisan
性质 / Properti	典型数值 / Nilai Khas
晶体结构 / Struktur Kristal	Fase β FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Kepadatan	3,21 g/cm³
硬度 / Kekerasan	2500 维氏硬度（beban 500g）
晶粒大小 Ukuran Butir	2~10μm
纯度 Kemurnian Kimiawi	99,99995%
热容 / Kapasitas Panas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 Suhu Sublimasi	2700℃
抗弯强度 Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4-titik
杨氏模量 Modulus Young	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
导热系数 / ThermalDaya konduksi	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10^-6K^-1