vet-china presenta l'innovativo sistema Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, una soluzione completa per la lavorazione avanzata dei semiconduttori. Progettato con meticolosa precisione, questo sistema di movimentazione wafer offre stabilità e allineamento senza pari, elementi cruciali per ambienti di produzione ad alta efficienza.
Il supporto verticale per wafer con colonna è realizzato con materiali di prima qualità che garantiscono stabilità termica e resistenza alla corrosione chimica, rendendolo adatto ai processi di fabbricazione di semiconduttori più esigenti. Il suo esclusivo design a colonna verticale supporta i wafer in modo sicuro, riducendo il rischio di disallineamento e potenziali danni durante il trasporto e la lavorazione.
Grazie all'integrazione del sistema Vertical Column Wafer Boat & Pedestal di vet-china, i produttori di semiconduttori possono aspettarsi una maggiore produttività, tempi di inattività ridotti al minimo e una resa produttiva superiore. Questo sistema è compatibile con diverse dimensioni e configurazioni di wafer, offrendo flessibilità e scalabilità per soddisfare le diverse esigenze di produzione.
L'impegno di vet-china per l'eccellenza garantisce che ogni sistema di movimentazione wafer a colonna verticale con piedistallo soddisfi i più elevati standard di qualità e prestazioni. Scegliendo questa soluzione all'avanguardia, investite in un approccio a prova di futuro per la movimentazione dei wafer, che massimizza l'efficienza e l'affidabilità nella produzione di semiconduttori.
Proprietà del carburo di silicio ricristallizzato
Il carburo di silicio ricristallizzato (R-SiC) è un materiale ad alte prestazioni con una durezza seconda solo a quella del diamante, che si forma ad un'alta temperatura superiore a 2000 °C. Conserva molte delle eccellenti proprietà del SiC, come l'elevata resistenza alle alte temperature, la forte resistenza alla corrosione, l'eccellente resistenza all'ossidazione, la buona resistenza agli shock termici e così via.
● Eccellenti proprietà meccaniche. Il carburo di silicio ricristallizzato ha una resistenza e una rigidità superiori rispetto alla fibra di carbonio, un'elevata resistenza agli urti, può svolgere un buon lavoro in ambienti con temperature estreme e può garantire un migliore bilanciamento in diverse situazioni. Inoltre, possiede anche una buona flessibilità e non si danneggia facilmente con allungamenti e piegamenti, il che ne migliora notevolmente le prestazioni.
● Elevata resistenza alla corrosione. Il carburo di silicio ricristallizzato presenta un'elevata resistenza alla corrosione in diversi ambienti, prevenendo l'erosione causata da agenti corrosivi, mantenendo a lungo le proprie proprietà meccaniche e garantendo una forte adesione, con conseguente maggiore durata. Inoltre, possiede una buona stabilità termica, adattandosi a un certo intervallo di variazioni di temperatura e migliorando le prestazioni applicative.
● La sinterizzazione non provoca contrazione. Poiché il processo di sinterizzazione non comporta contrazione, non si verificano tensioni residue che causano deformazioni o crepe nel prodotto, consentendo la realizzazione di componenti con forme complesse e di elevata precisione.
| 重结晶碳化硅物理特性 Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 使用温度/ Temperatura di esercizio (°C) | 1600 °C (con ossigeno), 1700 °C (in ambiente riducente) |
| SiC含量/ Contenuto di SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Contenuto di Si libero | < 0,1% |
| 体积密度/densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率Porosità apparente | < 16% |
| 抗压强度/ Resistenza alla compressione | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/resistenza alla flessione a freddo | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度resistenza alla piegatura a caldo | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Dilatazione termica a 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Conduttività termica a 1200 °C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulo elastico | 240 GPa |
| 抗热震性/ Resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
VETF Energy è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariComponenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali ed è in grado di fornire soluzioni materiali più professionali.per te.
Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno sviluppato una tecnologia brevettata esclusiva, in grado di rendere l'adesione tra il rivestimento e il substrato più forte e meno soggetta al distacco.
| Malattia cardiovascolare SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico da 500 g) |
| 晶粒大小 / Dimensione del grano | 2~10μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT 4 punti |
| 杨氏模量 Modulo di Young | 430 GPa piegatura a 4 punti, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConduttività | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Vi diamo un caloroso benvenuto a visitare il nostro stabilimento, saremo lieti di discuterne ulteriormente!
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