vet-china presenta el innovador sistema de manipulación de obleas con columna vertical y pedestal, una solución integral para el procesamiento avanzado de semiconductores. Diseñado con meticulosa precisión, este sistema proporciona una estabilidad y alineación inigualables, cruciales para entornos de fabricación de alta eficiencia.
El soporte vertical para obleas está fabricado con materiales de primera calidad que garantizan estabilidad térmica y resistencia a la corrosión química, lo que lo hace idóneo para los procesos de fabricación de semiconductores más exigentes. Su exclusivo diseño de columna vertical sujeta las obleas de forma segura, reduciendo el riesgo de desalineación y posibles daños durante el transporte y el procesamiento.
Con la integración del sistema de soporte y bandeja para obleas de columna vertical de vet-china, los fabricantes de semiconductores pueden esperar una mayor productividad, una reducción del tiempo de inactividad y un aumento del rendimiento del producto. Este sistema es compatible con diversos tamaños y configuraciones de obleas, lo que ofrece flexibilidad y escalabilidad para diferentes necesidades de producción.
El compromiso de vet-china con la excelencia garantiza que cada soporte y base para obleas de columna vertical cumpla con los más altos estándares de calidad y rendimiento. Al elegir esta solución de vanguardia, usted invierte en un enfoque preparado para el futuro en la manipulación de obleas que maximiza la eficiencia y la fiabilidad en la fabricación de semiconductores.
Propiedades del carburo de silicio recristalizado
El carburo de silicio recristalizado (R-SiC) es un material de alto rendimiento con una dureza solo superada por el diamante, que se forma a una temperatura superior a 2000 ℃. Conserva muchas de las excelentes propiedades del SiC, como la resistencia a altas temperaturas, la fuerte resistencia a la corrosión, la excelente resistencia a la oxidación, la buena resistencia al choque térmico, etc.
● Excelentes propiedades mecánicas. El carburo de silicio recristalizado posee mayor resistencia y rigidez que la fibra de carbono, alta resistencia al impacto y un buen desempeño en entornos de temperaturas extremas, ofreciendo un mejor equilibrio en diversas situaciones. Además, cuenta con buena flexibilidad y no se daña fácilmente al estirarse o doblarse, lo que mejora notablemente su rendimiento.
● Alta resistencia a la corrosión. El carburo de silicio recristalizado presenta una alta resistencia a la corrosión en diversos medios, previene la erosión causada por estos y mantiene sus propiedades mecánicas durante mucho tiempo. Posee una fuerte adhesión, lo que le confiere una mayor vida útil. Además, cuenta con una buena estabilidad térmica, adaptándose a un rango determinado de variaciones de temperatura y mejorando su eficacia en diversas aplicaciones.
● La sinterización no produce contracción. Dado que el proceso de sinterización no produce contracción, no se generan tensiones residuales que provoquen deformación o agrietamiento del producto, y se pueden fabricar piezas con formas complejas y de alta precisión.
| 重结晶碳化硅物理特性 Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 使用温度/ Temperatura de funcionamiento (°C) | 1600 °C (con oxígeno), 1700 °C (ambiente reductor) |
| Sic含量/ Contenido de SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量Contenido gratuito de Si | < 0,1% |
| 体积密度/Densidad aparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率Porosidad aparente | < 16% |
| 抗压强度/ Resistencia a la compresión | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Resistencia a la flexión en frío | 80-90 MPa (20 °C) |
| 高温抗弯强度Resistencia al doblado en caliente | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Expansión térmica a 1500 °C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Conductividad térmica a 1200 °C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Módulo de elasticidad | 240 GPa |
| 抗热震性Resistencia al choque térmico | Extremadamente bueno |
VET Energy es elFabricante real de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con recubrimiento CVD,puede suministrarvariosComponentes personalizados para la industria de semiconductores y fotovoltaica. ONuestro equipo técnico proviene de las mejores instituciones de investigación nacionales y puede proporcionar soluciones de materiales más profesionales.para ti.
Desarrollamos continuamente procesos avanzados para proporcionar materiales más avanzados,yHan desarrollado una tecnología exclusiva patentada que permite una unión más firme entre el recubrimiento y el sustrato, reduciendo la probabilidad de desprendimiento.
| Enfermedad cardiovascular SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 Estructura cristalina | Fase β de la FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidad | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 libras (carga de 500 g) |
| 晶粒大小 / Tamaño del grano | 2~10 μm |
| 纯度 Pureza química | 99,99995% |
| 热容 Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 Temperatura de sublimación | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistencia a la flexión | 415 MPa RT 4 puntos |
| 杨氏模量 Módulo de Young | 430 GPa, codo de 4 puntos, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductividad | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansión térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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