vet-china-k zutabe bertikaleko oblea-ontzi eta oinarri berritzailea aurkezten du, erdieroaleen prozesamendu aurreraturako irtenbide integrala. Zehaztasun handiz diseinatua, oblea maneiatzeko sistema honek egonkortasun eta lerrokatze paregabea eskaintzen du, funtsezkoa eraginkortasun handiko fabrikazio-inguruneetarako.
Zutabe Bertikaleko Oblea eta Oinarria material bikainekin eraikita daude, egonkortasun termikoa eta korrosio kimikoarekiko erresistentzia bermatzen dutenak, eta horrek erdieroaleen fabrikazio prozesu zorrotzenetarako egokia egiten du. Bere zutabe bertikalaren diseinu bereziak obleak modu seguruan eusten ditu, deslerrokatze arriskua eta garraioan eta prozesatzean kalte potentzialak murriztuz.
Vet-china-ren Bertikaleko Zutabe Wafer Boat & Pedestal integrazioarekin, erdieroaleen fabrikatzaileek errendimendu hobea, geldialdi minimizatua eta produktuaren errendimendu handiagoa espero dezakete. Sistema hau hainbat oblea tamaina eta konfiguraziorekin bateragarria da, malgutasuna eta eskalagarritasuna eskainiz ekoizpen behar desberdinetarako.
vet-china-ren bikaintasunarekiko konpromisoak bermatzen du Zutabe Bertikaleko Oblea-ontzi eta Oinarri bakoitzak kalitate eta errendimendu estandar gorenak betetzen dituela. Punta-puntako irtenbide hau aukeratuz, oblea maneiatzeko etorkizunerako prestatutako ikuspegi batean inbertitzen duzu, erdieroaleen fabrikazioan eraginkortasuna eta fidagarritasuna maximizatzen dituena.
Silizio karburo birkristalizatuaren propietateak
Silizio karburo birkristalizatua (R-SiC) diamantearen atzetik bigarren gogortasuneko material errendimendu handikoa da, 2000 ℃-tik gorako tenperatura altuetan eratzen dena. SiC-ren propietate bikain asko mantentzen ditu, hala nola tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia handia, oxidazioarekiko erresistentzia bikaina, kolpe termikoarekiko erresistentzia ona eta abar.
● Ezaugarri mekaniko bikainak. Silizio karburo birkristalizatuak karbono-zuntzak baino erresistentzia eta zurruntasun handiagoa du, inpaktuarekiko erresistentzia handia, errendimendu ona izan dezake muturreko tenperatura-inguruneetan, eta hainbat egoeratan oreka-errendimendu hobea izan dezake. Horrez gain, malgutasun ona ere badu eta ez da erraz kaltetzen luzatzean eta tolestean, eta horrek asko hobetzen du bere errendimendua.
● Korrosioarekiko erresistentzia handia. Silizio karburo birkristalizatuak korrosioarekiko erresistentzia handia du hainbat medioren aurrean, hainbat medio korrosiboren higadura saihestu dezake, bere propietate mekanikoak denbora luzez mantendu ditzake, atxikimendu sendoa du, beraz, zerbitzu-bizitza luzeagoa du. Horrez gain, egonkortasun termiko ona ere badu, tenperatura-aldaketa tarte jakin batera egokitu daiteke, bere aplikazio-efektua hobetuz.
● Sinterizazioak ez du uzkurtzen. Sinterizazio-prozesuak ez duenez uzkurtzen, ez da hondar-tentsiorik produktuaren deformaziorik edo pitzadurarik eragingo, eta forma konplexuak eta zehaztasun handiko piezak prestatu daitezke.
| 重结晶碳化硅物理特性 Silizio karburo birkristalizatuaren propietate fisikoak | |
| 性质 / Jabetza | 典型数值 / Balio tipikoa |
| 使用温度/ Laneko tenperatura (°C) | 1600 °C (oxigenoarekin), 1700 °C (ingurune erreduzitzailea) |
| SiC含量/ SiC edukia | > % 99,96 |
| 自由Si含量/ Doako Si edukia | < % 0,1 |
| 体积密度/Dentsitate masiboa | 2,60-2,70 g/cm33 |
| 气孔率/ Itxurazko porositatea | < %16 |
| 抗压强度/ Konpresio-indarra | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Tolestura hotzeko erresistentzia | 80-90 MPa (20 °C) |
| 高温抗弯强度Tolestura beroaren indarra | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Hedapen termikoa @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Eroankortasun termikoa @1200 °C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Elastikotasun modulua | 240 GPa |
| 抗热震性/ Talka termikoen erresistentzia | Oso ona |
Energia VET da hauCVD estaldura duten grafito eta silizio karburo produktu pertsonalizatuen benetako fabrikatzailea,hornitu dezakehainbaterdieroaleen eta fotovoltaikoaren industriarako piezak neurrira eginda. OGure talde teknikoa bertako ikerketa-erakunde nagusietatik dator, material-irtenbide profesionalagoak eman ditzakezuretzat.
Material aurreratuagoak eskaintzeko etengabe prozesu aurreratuak garatzen ditugu,etaestalduraren eta substratuaren arteko lotura estuagoa eta askatzeko joera gutxiagokoa izan dezakeen teknologia patentatu esklusibo bat landu dute.
| GBE SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ren oinarrizko propietate fisikoakestaldura | |
| 性质 / Jabetza | 典型数值 / Balio tipikoa |
| 晶体结构 / Kristal-egitura | FCC β fasea多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Dentsitatea | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Gogortasuna | 2500 维氏硬度（500g karga） |
| 晶粒大小 / Alearen tamaina | 2~10μm |
| 纯度 / Purutasun Kimikoa | % 99,99995 |
| 热容 Bero-ahalmena | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimazio Tenperatura | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexio-erresistentzia | 415 MPa RT 4 puntukoa |
| 杨氏模量 Young-en modulua | 430 Gpa 4pt-ko tolestura, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalEroankortasuna | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Hedapen Termikoa (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Ongi etorri gure fabrika bisitatzera, eztabaida gehiago izan dezagun!
-
Hutsean labeetarako grafitozko torlojuak
-
Ibilgailu elektrikoen erregai-pilen industriako elektroli...
-
Grafitozko paper pertsonalizatua, karbono pirolitikozko xafla fl...
-
60w-ko hidrogenozko erregai-pila Pemfc-12v pila Labo...
-
Pertsonalizazioa Aire Hozteko Pemfc 60w Stack Hydro...
-
1 kW-ko erregai-pila pila drone eta bizikleta elektrikoetarako