A vet-china apresenta o inovador Suporte Vertical para Wafers com Pedestal, uma solução completa para o processamento avançado de semicondutores. Projetado com meticulosa precisão, este sistema de manuseio de wafers oferece estabilidade e alinhamento incomparáveis, cruciais para ambientes de fabricação de alta eficiência.
O suporte vertical para wafers, com coluna, é fabricado com materiais de alta qualidade que garantem estabilidade térmica e resistência à corrosão química, tornando-o ideal para os processos de fabricação de semicondutores mais exigentes. Seu design exclusivo de coluna vertical suporta os wafers com segurança, reduzindo o risco de desalinhamento e possíveis danos durante o transporte e processamento.
Com a integração do sistema de montagem de wafers em coluna vertical e pedestal da vet-china, os fabricantes de semicondutores podem esperar maior produtividade, tempo de inatividade minimizado e aumento do rendimento do produto. Este sistema é compatível com diversos tamanhos e configurações de wafers, oferecendo flexibilidade e escalabilidade para diferentes necessidades de produção.
O compromisso da vet-china com a excelência garante que cada suporte e pedestal para wafers de coluna vertical atenda aos mais altos padrões de qualidade e desempenho. Ao escolher esta solução de ponta, você investe em uma abordagem preparada para o futuro no manuseio de wafers, que maximiza a eficiência e a confiabilidade na fabricação de semicondutores.
Propriedades do carbeto de silício recristalizado
O carbeto de silício recristalizado (R-SiC) é um material de alto desempenho com dureza superada apenas pela do diamante, formado a altas temperaturas acima de 2000 °C. Ele retém muitas das excelentes propriedades do SiC, como alta resistência a temperaturas elevadas, forte resistência à corrosão, excelente resistência à oxidação, boa resistência ao choque térmico, entre outras.
● Excelentes propriedades mecânicas. O carbeto de silício recristalizado possui maior resistência e rigidez do que a fibra de carbono, alta resistência ao impacto, bom desempenho em ambientes de temperatura extrema e melhor desempenho de contrapeso em diversas situações. Além disso, apresenta boa flexibilidade e não se danifica facilmente por estiramento e flexão, o que melhora significativamente seu desempenho.
● Alta resistência à corrosão. O carbeto de silício recristalizado possui alta resistência à corrosão em diversos meios, podendo prevenir a erosão causada por vários agentes corrosivos, mantendo suas propriedades mecânicas por um longo período. Apresenta forte adesão, o que lhe confere uma vida útil prolongada. Além disso, possui boa estabilidade térmica, adaptando-se a uma determinada faixa de variações de temperatura e melhorando seu desempenho em aplicações práticas.
● A sinterização não causa contração. Como o processo de sinterização não gera contração, não há tensão residual que cause deformação ou rachaduras no produto, e peças com formatos complexos e alta precisão podem ser fabricadas.
| 重结晶碳化硅物理特性 Propriedades físicas do carbeto de silício recristalizado | |
| 性质 / Propriedade | 典型数值 Valor típico |
| 使用温度/ Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (ambiente redutor) |
| SiC含量/ Conteúdo de SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Conteúdo Si gratuito | < 0,1% |
| 体积密度/densidade aparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Porosidade aparente | < 16% |
| 抗压强度/ Resistência à compressão | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/resistência à flexão a frio | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度resistência à flexão a quente | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数Expansão térmica a 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Condutividade térmica a 1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Módulo de elasticidade | 240 GPa |
| 抗热震性Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |
A VET Energy é oFabricante genuíno de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com revestimento CVD.pode fornecerváriosPeças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. ONossa equipe técnica é formada por profissionais das principais instituições de pesquisa nacionais, podendo oferecer soluções de materiais mais especializadas.para você.
Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados.eDesenvolvemos uma tecnologia patenteada exclusiva que permite uma adesão mais forte entre o revestimento e o substrato, reduzindo a propensão ao desprendimento.
| DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento | |
| 性质 / Propriedade | 典型数值 Valor típico |
| 晶体结构 / Estrutura Cristalina | Fase β do FCC多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidade | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 unidades (carga de 500g) |
| 晶粒大小 / Tamanho do Grão | 2~10μm |
| 纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
| 热容 Capacidade térmica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 Temperatura de sublimação | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistência à Flexão | 415 MPa RT 4 pontos |
| 杨氏模量 Módulo de Young | 430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C |
| 导热系数 / TermalCondutividade | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Será um prazer recebê-lo(a) em nossa fábrica. Vamos conversar mais sobre o assunto!
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