Ua tuʻuina atu e le vet-china le Vertical Column Wafer Boat & Pedestal fou, o se fofo atoatoa mo le faʻagasologa faʻapitoa o semiconductor. Ua mamanuina ma le saʻo ma le faʻaeteete, o lenei faiga e taulimaina ai le wafer e maua ai le mautu ma le fetuʻunaʻi e le mafaatusalia, e taua tele mo siosiomaga gaosiga maualuga le lelei.
O le Vertical Column Wafer Boat & Pedestal ua fausia i mea sili ona lelei e faʻamautinoa ai le mautu o le vevela ma le teteʻe atu i le ele o vailaʻau, ma avea ai ma mea e talafeagai mo faiga sili ona faigata o le gaosiga o semiconductor. O lona mamanu tulaga ese o le vertical column e lagolagoina ai wafers ma le saogalemu, e faʻaitiitia ai le lamatiaga o le le saʻo ma le ono faʻaleagaina i le taimi o felauaiga ma le faʻagasologa.
Faatasi ai ma le tuufaatasia o le Vertical Column Wafer Boat & Pedestal a le vet-china, e mafai e le au gaosi semiconductor ona faamoemoe i le faaleleia atili o le gaosiga, faaitiitia le taimi e le faagaoioia ai, ma faateleina ai le gaosiga o oloa. E fetaui lenei faiga ma le tele o lapopoa ma faatulagaga o le wafer, e ofoina atu ai le fetuutuunai ma le faalauteleina mo manaoga eseese o le gaosiga.
O le tautinoga a le vet-china i le tulaga silisili e faʻamautinoa ai o vaʻa ma pedestal taʻitasi o le Vertical Column Wafer e ausia tulaga maualuga o le lelei ma le faʻatinoga. I le filifilia o lenei fofo faʻaonaponei, ua e teu faʻafaigaluega i se auala e faʻamautinoa ai le lumanaʻi i le taulimaina o wafer e faʻateleina ai le lelei ma le faʻatuatuaina i le gaosiga o semiconductor.
Uiga o le toe fa'amatagofieina o le silicon carbide
O le silicon carbide ua toe fa'afouina (R-SiC) o se mea e sili ona lelei lona fa'atinoga ma e lona lua lona ma'a'a i le taimane, lea e fausia i le vevela maualuga e sili atu i le 2000℃. E tele ona uiga lelei o le SiC e taofia, e pei o le malosi maualuga i le vevela, tete'e malosi i le 'ele, tete'e lelei i le fa'a'okesaita, tete'e lelei i le te'i vevela ma isi mea fa'apena.
● Uiga lelei fa'amekanika. O le silicon carbide ua toe fa'afouina e sili atu lona malosi ma le ma'a'a nai lo le carbon fiber, e tete'e atu i a'afiaga, e mafai ona faia se fa'atinoga lelei i siosiomaga vevela tele, e mafai ona faia se fa'atinoga paleni sili atu i le tele o tulaga. E le gata i lea, e lelei fo'i lona fetu'una'i ma e le faigofie ona fa'aleagaina e le fa'aloaloa ma le punou, lea e fa'aleleia atili ai lana fa'atinoga.
● Tete'e maualuga i le 'ele. O le silicon carbide ua toe fa'afouina e maualuga lona tete'e atu i le 'ele i le tele o ituaiga o mea, e mafai ona puipuia le fa'aleagaina o le tele o ituaiga o mea 'ele, e mafai ona tausia ona uiga fa'amekanika mo se taimi umi, e malosi le pipii, ma e umi ai lona ola tautua. E le gata i lea, e lelei fo'i lona mautu i le vevela, e mafai ona fetu'una'i i se vaega patino o suiga o le vevela, ma fa'aleleia atili ai lona aoga.
● E lē mimigi le sintering. Talu ai ona e lē mimigi le faagasologa o le sintering, e leai se fa'alavelave e toe ai e mafua ai ona fa'aleagaina pe māvaevae le oloa, ma e mafai ona saunia vaega e iai foliga faigata ma le sa'o maualuga.
| 重结晶碳化硅物理特性 Uiga faaletino o le Recrystallized Silicon Carbide | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua Masani |
| 使用温度/ Vevela o le galuega (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (siosiomaga fa'aitiitia) |
| SiC含量/ Anotusi SiC | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Mataupu Si e leai se totogi | < 0.1% |
| 体积密度/Mafiafia tele | 2.60-2.70 kalama/senitimita3 |
| 气孔率/ Va'aia le porosity | < 16% |
| 抗压强度/ Malosiaga o le fa'apipi'iina | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Malosiaga o le punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Malosiaga o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Fa'alauteleina o le vevela i le 1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Fa'avevela i le 1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulus o le elasticity | 240 GPa |
| 抗热震性/ Tete'e atu i le te'i vevela | Lelei tele |
O le VET Energy o legaosi oloa moni o oloa fa'apitoa o le graphite ma le silicon carbide ma le ufiufi CVD,e mafai ona tuʻuina atueseesevaega fa'apitoa mo le alamanuia semiconductor ma le photovoltaic. OO lau 'au fa'apitoa e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, e mafai ona tu'uina atu ni fofo fa'apitoa mo meafaitinomo oe.
Matou te faʻaauau pea ona atiina ae ni faiga faʻapitoa e tuʻuina atu ai meafaitino e sili atu ona faʻapitoa,maua fa'atinoina se tekinolosi fa'apitoa ua pateniina, lea e mafai ona fa'amausali ai le pipii i le va o le ufiufi ma le mea fa'apipi'i ma fa'aitiitia ai le faigofie ona motusia.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Uiga faaletino faavae o le CVD SiCufiufi | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua Masani |
| 晶体结构 / Fausaga o le Kilisitala | Vaega β o le FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Mafiafia | 3.21 kalama/cm³ |
| 硬度 / Faigata | 2500 维氏硬度（500g uta） |
| 晶粒大小 / Tele o le saito | 2~10μm |
| 纯度 / Mamā Fa'akemikolo | 99.99995% |
| 热容 / Malosiaga o le Vevela | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Vevela o le Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Malosiaga Fa'alava | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulus a Young | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalAmioga | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le Vevela (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Faafeiloa'i atu ma le agalelei oe e asiasi mai i la matou fale gaosimea, se'i o tatou faia nisi talanoaga!
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