ニュース

BCDプロセス
2018年9月24日 adminより
BCDプロセスとは？BCDプロセスは、STが1986年に初めて導入したシングルチップ統合プロセス技術です。この技術は、バイポーラ、CMOS、DMOSデバイスを同一チップ上に集積化できます。その外観はチップ面積を大幅に削減します。BCDプロセスは、チップのメモリ容量を最大限に活用していると言えます。
続きを読む
BJT、CMOS、DMOSおよびその他の半導体プロセス技術
管理者による 2010年9月24日
製品情報やご相談は、当社のウェブサイトをご覧ください。ウェブサイト：https://www.vet-china.com/ 半導体製造プロセスが飛躍的な進歩を遂げる中、「ムーアの法則」と呼ばれる有名な格言が業界で広まっています。これは、1960年代に発表された「ムーアの法則」の原文に見られるように、半導体製造プロセスが飛躍的に進歩し、消費電力が劇的に減少することを意味するものです。
続きを読む
半導体パターニングプロセスフローエッチング
管理者による 2010年9月24日
初期のウェットエッチングは、洗浄プロセスやアッシングプロセスの発展を促しました。今日では、プラズマを用いたドライエッチングがエッチングプロセスの主流となっています。プラズマは電子、陽イオン、ラジカルで構成されています。プラズマに印加されるエネルギーにより、原子の最外殻電子が…
続きを読む
8インチSiCエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセスの研究-Ⅱ
2004年9月24日 adminより
2 実験結果と考察 2.1 エピタキシャル層の厚さと均一性エピタキシャル層の厚さ、ドーピング濃度、均一性は、エピタキシャルウェーハの品質を判断する上で重要な指標の一つです。厚さ、ドーピング濃度、均一性を正確に制御することは、エピタキシャルウェーハの信頼性向上に大きく貢献します。
続きを読む
8インチSiCエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセスの研究-Ⅰ
2004年9月24日 adminより
現在、SiC業界は150mm（6インチ）から200mm（8インチ）へと移行期にあります。業界における大型で高品質なSiCホモエピタキシャルウェーハへの切実な需要に応えるため、150mmおよび200mmの4H-SiCホモエピタキシャルウェーハを同技術を用いて製造することに成功しました。
続きを読む
多孔質炭素細孔構造の最適化-Ⅱ
2027年8月24日 adminより
製品情報やご相談は、当社のウェブサイトをご覧ください。ウェブサイト：https://www.vet-china.com/ 物理化学活性化法物理化学活性化法とは、上記2つの活性法を組み合わせて多孔質材料を調製する方法です。
続きを読む
多孔質炭素細孔構造の最適化-Ⅰ
2027年8月24日 adminより
製品情報やご相談は、当社のウェブサイトをご覧ください。ウェブサイト：https://www.vet-china.com/ 本稿では、現在の活性炭市場を分析し、活性炭の原材料を詳細に分析し、活性炭の細孔構造についてご紹介します。
続きを読む
半導体プロセスフロー-Ⅱ
管理者による 24-08-23
製品情報やご相談は、当社のウェブサイトをご覧ください。ウェブサイト：https://www.vet-china.com/ ポリとSiO2のエッチング：この後、余分なポリとSiO2をエッチングで除去します。この際、方向性エッチングを使用します。分類では…
続きを読む
半導体プロセスフロー
管理者による 24-08-23
物理学や数学を学んだことがなくても理解できますが、少し単純すぎるので初心者向けです。CMOSについてもっと詳しく知りたい方は、ぜひこの記事の内容を読んでください。プロセスフロー（つまり…）を理解した上で初めて、理解できるからです。
続きを読む