Peleka Desteserkirina Waferê ya Sîlîkon Karbîdê ya Berxwedêr

Wêneya Taybetmendî ya Desteserkirina Waferê ya Sîlîkon Karbîdê ya Berxwedêr

Danasîna Kurt:

vet-china pedaleke destgirtinê ya waferê ya silîkon karbîdê ya domdar a hêja peyda dike, ku performansa bilind û sêwirana nûjen bi hev re dike yek da ku destgirtina waferê ya bi bandor û ewle misoger bike. Bi domdarî û rastbûna xwe, pedala destgirtinê ya waferê ya silîkon karbonê ya vet-china di pêvajoya çêkirina nîvconductor de amûrek girîng e, karîgeriya hilberînê baştir dike û xetera bermayiyan kêm dike.

Ji me re e-nameyek bişînin Dakêşin wek PDF

Hûrguliyên Berhemê

Etîketên Berheman

vet-china piştrast dike ku her DurablePeleka Desteserkirina Waferê ya Silicon Carbideperformans û domdariya wê pir baş e. Ev pelika destgirtina waferê ya ji silîkon karbîdê pêvajoyên çêkirinê yên pêşketî bikar tîne da ku piştrast bike ku aramiya avahî û fonksiyona wê di germahiya bilind û hawîrdorên korozyona kîmyewî de dimîne. Ev sêwirana nûjen piştgiriyek hêja ji bo destgirtina waferê ya nîvconductor peyda dike, nemaze ji bo operasyonên otomatîkî yên rastbûna bilind.

Pelê Kantîleverê SiCpêkhateyeke taybetî ye ku di alavên çêkirina nîvconductoran de wek firna oksîdasyonê, firna belavbûnê, û firna tamkirinê tê bikaranîn, bikaranîna wê ya sereke ji bo barkirin û daxistina waferan, piştgirîkirin û veguhestina waferan di pêvajoyên germahiya bilind de ye.

Strukturên hevparjiSiCcdijî-herheyîpzêrê: avahiyeke konsolê, ku li aliyekî sabît e û li aliyê din azad e, bi gelemperî xwedî dîzaynek dûz û mîna palikê ye.

Kar dikepprensîbjiSiCcdijî-herheyîpzêrê:

Peleka konsolê dikare di hundirê odeya firnê de jor û jêr an paş û pêş biçe, ew dikare ji bo veguheztina waferan ji deverên barkirinê ber bi deverên hilberandinê ve, an jî ji deverên hilberandinê derveyî, were bikar anîn, di dema hilberandina germahiya bilind de waferan piştgirî û stabîl bike.

Taybetmendiyên fîzîkî yên Sîlîkon Karbîda Ji Nû Ve Kirîstalîzekirî
Mal	Nirxa Tîpîk
Germahiya xebatê (°C)	1600°C (bi oksîjenê), 1700°C (jîngeha kêmker)
Naveroka SiC	> 99.96%
Naveroka Si ya belaş	< 0.1%
Tîrbûna girseyî	2.60-2.70 g/cm³
Porozîteya eşkere	< 16%
Hêza zextê	> 600 MPa
Hêza xwarbûna sar	80-90 MPa (20°C)
Hêza xwarbûna germ	90-100 MPa (1400°C)
Berfirehbûna germî @1500°C	4.70 10^-6/°C
Germahiya zêde @1200°C	23 W/m•K
Modula elastîk	240 GPa
Berxwedana şoka germî	Gelek baş