Pala Tractationis Crustularum Silicii Carbidi Durabilis

Pala Tractandi Crustulas Silicii Carbidi Durabilis Imago Praecipua

Descriptio Brevis:

Vet-china praebet palam tractandi laminas e carburo silicii praeclaram et durabilem, quae coniungit efficaciam magnam et consilium novum ad tractationem laminarum efficientem et tutam. Propter firmitatem et praecisionem suam, pala tractandi laminas e carburo silicii a Vet-china fabricata instrumentum indispensabile est in processu fabricationis semiconductorum, efficientiam productionis augens et periculum sordium minuens.

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Vet-china efficit ut omne DurabilePala Tractationis Crustularum Silicii CarbidiExcellentem efficaciam et diuturnitatem praebet. Haec pala tractandi laminas e carburo silicii fabricandas processibus fabricationis provectis utitur ut stabilitas structurae et functio eius in temperaturis altis et corrosionis chemicae maneant. Haec forma nova praebet auxilium praeclarum ad tractationem laminarum semiconductorum, praesertim ad operationes automatas altae praecisionis.

Remus Cantilever SiCest pars specialis adhibita in apparatu fabricationis semiconductorum, ut in fornace oxidationis, fornace diffusionis, et fornace recoctionis; usus principalis est ad onerandum et exonerandum laminas, sustentandas et transportandas laminas per processus altae temperaturae.

Structurae communesdeSiCcantilevpconfundere: Structura cantilever, uno extremo fixa et altero libera, typice formam planam et remuli similem habet.

LaboranspprincipiumdeSiCcantilevpconfundere:

Pala cantileveris intra cameram fornacis sursum et deorsum vel huc illuc moveri potest; adhiberi potest ad laminas ex locis onerandi ad areas processus, vel extra areas processus, movendas, laminas sustinens et stabiliens durante processu altae temperaturae.

Proprietates physicae carburi silicii recrystallizati
Possessio	Valor Typicus
Temperatura operandi (°C)	1600°C (cum oxygenio), 1700°C (ambitu reducente)
Contentum SiC	> 99.96%
Contenta gratuita Si	< 0.1%
Densitas massae	2.60-2.70 g/cm³³
Porositas apparens	< 16%
Robur compressionis	> 600 MPa
Robur flexionis frigidae	80-90 MPa (20°C)
Robur flexionis calidae	90-100 MPa (1400°C)
Expansio thermalis @1500°C	4.70 10^-6/°C
Conductivitas thermalis @1200°C	23 W/m•K
Modulus elasticus	240 GPa
Resistentia ad ictum thermalem	Optime