vet-china garantisce che ogni DurevolePaletta per la movimentazione di wafer in carburo di silicioOffre prestazioni e durata eccellenti. Questa paletta per la movimentazione di wafer in carburo di silicio utilizza processi di produzione avanzati per garantire che la sua stabilità strutturale e funzionalità rimangano inalterate anche in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. Questo design innovativo fornisce un supporto eccellente per la movimentazione di wafer di semiconduttori, in particolare per operazioni automatizzate ad alta precisione.
Paletta a sbalzo in SiCÈ un componente specializzato utilizzato nelle apparecchiature per la produzione di semiconduttori, come forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura. Il suo utilizzo principale è per il carico e lo scarico dei wafer, supportandoli e trasportandoli durante i processi ad alta temperatura.
Strutture comuniDiSiCcantilevapconfusione: Una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha tipicamente un design piatto e a forma di pagaia.
LavorandopPrincipioDiSiCcantilevapconfusione:
La pala a sbalzo può muoversi verticalmente o orizzontalmente all'interno della camera del forno e può essere utilizzata per spostare i wafer dalle aree di carico a quelle di lavorazione, o viceversa, supportando e stabilizzando i wafer durante i processi ad alta temperatura.
| Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Temperatura di esercizio (°C) | 1600 °C (con ossigeno), 1700 °C (in ambiente riducente) |
| Contenuto di SiC | > 99,96% |
| Contenuto di Si libero | < 0,1% |
| densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosità apparente | < 16% |
| Resistenza alla compressione | > 600 MPa |
| resistenza alla flessione a freddo | 80-90 MPa (20°C) |
| resistenza alla piegatura a caldo | 90-100 MPa (1400 °C) |
| Espansione termica a 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
| Conduttività termica a 1200 °C | 23 W/m•K |
| Modulo elastico | 240 GPa |
| resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
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