Paletta di movimentazione wafer in carburo di silicio resistente

Breve descrizione:

vet-china offre un'eccellente e resistente paletta per la movimentazione di wafer in carburo di silicio, che combina elevate prestazioni e design innovativo per garantire una movimentazione efficiente e sicura dei wafer. Grazie alla sua durata e precisione, la paletta per la movimentazione di wafer in carburo di silicio di vet-china è uno strumento indispensabile nel processo di produzione di semiconduttori, migliorando l'efficienza produttiva e riducendo il rischio di detriti.


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vet-china garantisce che ogni DurevolePaletta per la movimentazione di wafer in carburo di silicioOffre prestazioni e durata eccellenti. Questa paletta per la movimentazione di wafer in carburo di silicio utilizza processi di produzione avanzati per garantire che la sua stabilità strutturale e funzionalità rimangano inalterate anche in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. Questo design innovativo fornisce un supporto eccellente per la movimentazione di wafer di semiconduttori, in particolare per operazioni automatizzate ad alta precisione.

Paletta a sbalzo in SiCÈ un componente specializzato utilizzato nelle apparecchiature per la produzione di semiconduttori, come forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura. Il suo utilizzo principale è per il carico e lo scarico dei wafer, supportandoli e trasportandoli durante i processi ad alta temperatura.

Strutture comuniDiSiCcantilevapconfusione: Una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha tipicamente un design piatto e a forma di pagaia.

LavorandopPrincipioDiSiCcantilevapconfusione:

La pala a sbalzo può muoversi verticalmente o orizzontalmente all'interno della camera del forno e può essere utilizzata per spostare i wafer dalle aree di carico a quelle di lavorazione, o viceversa, supportando e stabilizzando i wafer durante i processi ad alta temperatura.

Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato

Proprietà

Valore tipico

Temperatura di esercizio (°C)

1600 °C (con ossigeno), 1700 °C (in ambiente riducente)

Contenuto di SiC

> 99,96%

Contenuto di Si libero

< 0,1%

densità apparente

2,60-2,70 g/cm3

Porosità apparente

< 16%

Resistenza alla compressione

> 600 MPa

resistenza alla flessione a freddo

80-90 MPa (20°C)

resistenza alla piegatura a caldo

90-100 MPa (1400 °C)

Espansione termica a 1500 °C

4,70 10-6/°C

Conduttività termica a 1200 °C

23 W/m•K

Modulo elastico

240 GPa

resistenza agli shock termici

Estremamente buono

Pagaia a sbalzo9
Cantilever Paddle8
生产设备1
公司客户1

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