Pala de manipulación de obleas de carburo de silicio duradeira

Imaxe destacada da paleta de manipulación de obleas de carburo de silicio duradeira

Descrición curta:

vet-china ofrece unha excelente e duradeira paleta de manipulación de obleas de carburo de silicio, que combina un alto rendemento e un deseño innovador para garantir unha manipulación eficiente e segura das obleas. Coa súa durabilidade e precisión, a paleta de manipulación de obleas de carburo de silicio de vet-china é unha ferramenta indispensable no proceso de fabricación de semicondutores, mellorando a eficiencia da produción e reducindo o risco de residuos.

Envíanos un correo electrónico Descargar como PDF

Detalle do produto

Etiquetas do produto

vet-china garante que cada DurablePala de manipulación de obleas de carburo de silicioTen un rendemento e unha durabilidade excelentes. Esta pala de manipulación de obleas de carburo de silicio emprega procesos de fabricación avanzados para garantir que a súa estabilidade estrutural e funcionalidade se manteñan en ambientes de alta temperatura e corrosión química. Este deseño innovador proporciona un soporte excelente para a manipulación de obleas de semicondutores, especialmente para operacións automatizadas de alta precisión.

Pala en voladizo de SiCé un compoñente especializado empregado en equipos de fabricación de semicondutores, como fornos de oxidación, fornos de difusión e fornos de recocido. O seu uso principal é para a carga e descarga de obleas, así como para soportar e transportar obleas durante procesos de alta temperatura.

Estruturas comúnsdeSiCcantiapalancamientopadelgazar: Unha estrutura en voladizo, fixa nun extremo e libre no outro, normalmente ten un deseño plano e semellante a unha paleta.

TraballandopprincipiodeSiCcantiapalancamientopadelgazar:

A pala en voladizo pode moverse cara arriba e cara abaixo ou cara adiante e cara atrás dentro da cámara do forno, pódese usar para mover obleas desde as zonas de carga ás zonas de procesamento ou fóra das zonas de procesamento, soportando e estabilizando as obleas durante o procesamento a alta temperatura.

Propiedades físicas do carburo de silicio recristalizado
Propiedade	Valor típico
Temperatura de traballo (°C)	1600 °C (con osíxeno), 1700 °C (ambiente redutor)
contido de SiC	> 99,96%
Contido gratuíto de Si	< 0,1%
densidade aparente	2,60-2,70 g/cm³³
Porosidade aparente	< 16%
Resistencia á compresión	> 600 MPa
Resistencia á flexión en frío	80-90 MPa (20 °C)
Resistencia á flexión en quente	90-100 MPa (1400 °C)
Expansión térmica a 1500 °C	4,70 10^-6/°C
Condutividade térmica a 1200 °C	23 W/m•K
Módulo elástico	240 GPa
Resistencia ao choque térmico	Moi bo