Pá durável para manuseio de wafers de carboneto de silício

Descrição resumida:

A vet-china oferece uma excelente pá de manuseio de wafers de carboneto de silício durável, que combina alto desempenho e design inovador para garantir um manuseio eficiente e seguro dos wafers. Com sua durabilidade e precisão, a pá de manuseio de wafers de carboneto de silício da vet-china é uma ferramenta indispensável no seu processo de fabricação de semicondutores, melhorando a eficiência da produção e reduzindo o risco de detritos.


Detalhes do produto

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A vet-china garante que cada produto seja durável.Pá para manuseio de wafers de carboneto de silícioPossui excelente desempenho e durabilidade. Esta pá para manuseio de wafers de carboneto de silício utiliza processos de fabricação avançados para garantir que sua estabilidade estrutural e funcionalidade permaneçam intactas em ambientes de alta temperatura e corrosão química. Este design inovador oferece excelente suporte para o manuseio de wafers semicondutores, especialmente para operações automatizadas de alta precisão.

Pá cantilever de SiCÉ um componente especializado usado em equipamentos de fabricação de semicondutores, como fornos de oxidação, fornos de difusão e fornos de recozimento. Sua principal função é carregar e descarregar wafers, além de suportá-los e transportá-los durante processos de alta temperatura.

Estruturas comunsdeSiCcantialavancapconfuso: Uma estrutura em balanço, fixa em uma extremidade e livre na outra, normalmente tem um formato plano e semelhante a uma pá.

TrabalhandopprincípiodeSiCcantialavancapconfuso:

A pá em balanço pode se mover para cima e para baixo ou para frente e para trás dentro da câmara do forno, podendo ser usada para mover wafers das áreas de carregamento para as áreas de processamento, ou para fora das áreas de processamento, suportando e estabilizando os wafers durante o processamento em alta temperatura.

Propriedades físicas do carbeto de silício recristalizado

Propriedade

Valor típico

Temperatura de trabalho (°C)

1600°C (com oxigênio), 1700°C (ambiente redutor)

teor de SiC

> 99,96%

Conteúdo Si gratuito

< 0,1%

densidade aparente

2,60-2,70 g/cm3

Porosidade aparente

< 16%

resistência à compressão

> 600 MPa

resistência à flexão a frio

80-90 MPa (20°C)

resistência à flexão a quente

90-100 MPa (1400°C)

Expansão térmica a 1500°C

4,70 10-6/°C

Condutividade térmica a 1200°C

23 W/m•K

Módulo de elasticidade

240 GPa

Resistência ao choque térmico

Extremamente bom

Pá de balanço 9
Pá de balanço 8
生产设备1
公司客户1

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