oniwosan ẹranko China rii daju pe gbogbo Awọn ohun ti o le pẹÌwọ̀n Ìmúlò Ohun Èlò Sílíkónì CarbideÓ ní iṣẹ́ tó dára àti agbára tó lágbára. Páàdì ìtọ́jú wafer silicon carbide yìí ń lo àwọn ìlànà ìṣelọ́pọ́ tó ti ní ìlọsíwájú láti rí i dájú pé ìdúróṣinṣin àti iṣẹ́ rẹ̀ wà ní àyíká ìgbóná gíga àti ìbàjẹ́ kẹ́míkà. Apẹẹrẹ tuntun yìí ń pèsè ìrànlọ́wọ́ tó dára fún mímú wafer semiconductor, pàápàá jùlọ fún àwọn iṣẹ́ aládàáṣe tó péye.
SiC Cantilever Paddlejẹ́ ẹ̀ka pàtàkì kan tí a ń lò nínú àwọn ohun èlò ìṣelọ́pọ́ semiconductor bíi oxidation inura, diffusion inura, àti annealing inura, lílò pàtàkì ni fún gbígbé wafer àti ṣíṣàkójọ, ìtìlẹ́yìn àti gbígbé wafers nígbà àwọn iṣẹ́ igbóná gíga.
Àwọn ilé tó wọ́pọ̀tiSiCcantileverpaddle: Ilé ìtọ́jú cantilever kan, tí a so mọ́ ìpẹ̀kun kan tí ó sì wà ní òfo ní ìpẹ̀kun kejì, sábà máa ń ní àwòrán tí ó tẹ́jú tí ó sì dàbí pádì.
Ṣiṣẹ́prinipulutiSiCcantileverpaddle:
Páàdì cantilever le gbe soke ati isalẹ tabi pada ati siwaju ninu yara ileru, o le ṣee lo lati gbe awọn wafer lati awọn agbegbe ti a fi n gbe ẹrù si awọn agbegbe ti a fi n ṣe iṣẹ, tabi lati jade kuro ni awọn agbegbe ti a fi n ṣe iṣẹ, ti o ṣe atilẹyin ati ti o mu awọn wafer duro lakoko iṣẹ-ṣiṣe iwọn otutu giga.
| Àwọn ohun ìní ti ara ti Atunlo Silikoni Carbide | |
| Ohun ìní | Iye deedee |
| Iwọn otutu iṣiṣẹ (°C) | 1600°C (pẹ̀lú atẹ́gùn), 1700°C (àyíká tó ń dínkù) |
| Àkóónú SiC | > 99.96% |
| Akoonu Si ọfẹ | < 0.1% |
| Ìwọ̀n púpọ̀ | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Àwọn ihò tó hàn gbangba | < 16% |
| Agbára ìfúnpọ̀ | > 600 MPa |
| Agbára títẹ̀ tútù | 80-90 MPa (20°C) |
| Agbara titẹ gbigbona | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ìfàsẹ́yìn ooru @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Ìlànà ìgbóná ooru @1200°C | 23 W/m•K |
| Mọ́dúlùsì onírọ̀rùn | 240 GPA |
| Agbara mọnamọna gbona | O dara pupọ |
