O wafer de silício monocristalino de 8 polegadas da VET Energy é uma solução líder do setor para a fabricação de semicondutores e dispositivos eletrônicos. Oferecendo pureza e estrutura cristalina superiores, esses wafers são ideais para aplicações de alto desempenho nas indústrias fotovoltaica e de semicondutores. A VET Energy garante que cada wafer seja meticulosamente processado para atender aos mais altos padrões, proporcionando excelente uniformidade e acabamento superficial liso, essenciais para a produção avançada de dispositivos eletrônicos.
Estes wafers de silício monocristalinos de 8 polegadas são compatíveis com uma variedade de materiais, incluindo wafer de Si, substrato de SiC, wafer de SOI e substrato de SiN, e são particularmente adequados para o crescimento de wafers de Epi. Sua condutividade térmica e propriedades elétricas superiores os tornam uma escolha confiável para fabricação de alta eficiência. Além disso, esses wafers são projetados para funcionar perfeitamente com materiais como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN, oferecendo uma ampla gama de aplicações, desde eletrônica de potência até dispositivos de RF. Os wafers também se adaptam perfeitamente a sistemas de cassete para ambientes de produção automatizados de alto volume.
A linha de produtos da VET Energy não se limita a wafers de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato de SiC, wafer SOI, substrato de SiN, wafer Epi, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outras áreas.
A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas em wafers. Podemos personalizar wafers com diferentes resistividades, teores de oxigênio, espessuras, etc., de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, oferecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados durante o processo de produção.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformação(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Borda de Wafer | Chanfradura | ||||
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabamento de superfície | Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosidade da superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chips de Borda | Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm) | ||||
| Recuos | Nenhum permitido | ||||
| Arranhões (Si-Face) | Qtd.≤5,Acumulativo | Qtd.≤5,Acumulativo | Qtd.≤5,Acumulativo | ||
| Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
| Exclusão de Borda | 3 mm | ||||
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