vòng lấy nét phủ CVD

Mô tả ngắn gọn:

Vòng hội tụ phủ CVD cho khắc plasma được thiết kế để tối ưu hóa sự phân bố plasma và cải thiện độ đồng nhất của quá trình khắc trong các hệ thống khắc tiên tiến. Với chất nền Si hoặc SiC chắc chắn kết hợp với lớp phủ SiC CVD có độ tinh khiết cao, nó mang lại khả năng chống plasma vượt trội, lượng hạt sinh ra cực thấp và tuổi thọ sử dụng kéo dài. Được sử dụng rộng rãi trong các quy trình khắc plasma ICP và CCP, vòng hội tụ này giúp giảm thiểu hiệu ứng rìa, ổn định hành vi ion và bảo vệ các thành phần buồng khỏi bị ăn mòn và nhiễm bẩn. Đây là một vật tư tiêu hao thiết yếu để đạt được năng suất cao và tính nhất quán trong quy trình sản xuất chất bán dẫn tiên tiến.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Vòng hội tụ lớp phủ CVD dùng cho khắc plasma là một linh kiện tiêu hao quan trọng được sử dụng trong các hệ thống khắc bán dẫn tiên tiến. Được thiết kế với cấu trúc phức hợp gồm chất nền + lớp phủ CVD, sản phẩm này nhằm tối ưu hóa sự phân bố plasma, cải thiện độ đồng đều của quá trình khắc và kéo dài tuổi thọ của các linh kiện trong buồng khắc.

Tại Vet Energy, chúng tôi tận dụng chuyên môn sâu rộng về công nghệ lắng đọng hơi hóa học (CVD) và vật liệu gốm tiên tiến để cung cấp các vòng hội tụ đáp ứng các yêu cầu khắt khe của các công nghệ bán dẫn hiện đại, bao gồm cả quy trình FinFET và 3D NAND.

Vai trò của vòng hội tụ trong khắc plasma

Trong các hệ thống khắc plasma (như lò phản ứng ICP và CCP), vòng hội tụ được đặt xung quanh mép wafer và đóng vai trò quan trọng trong sự ổn định của quy trình và hiệu suất sản lượng.

1. Kiểm soát độ đồng nhất của plasma

Vòng hội tụ đóng vai trò như một ranh giới điện và vật lý giúp điều chỉnh sự phân bố mật độ plasma trên bề mặt tấm bán dẫn.

Lợi ích chính:

● Cải thiện tính đồng nhất của tốc độ khắc
● Giảm sự biến thiên từ tâm ra rìa
● Tăng cường khả năng lặp lại quy trình

2. Bù trừ hiệu ứng rìa

Nếu không có vòng hội tụ, sự biến dạng lớp vỏ plasma ở rìa tấm bán dẫn có thể dẫn đến quá trình khắc không đồng đều.

Vòng lấy nét hoạt động hiệu quả như một "phần mở rộng ảo của tấm wafer", giảm thiểu các bất thường liên quan đến cạnh như:

● Khắc quá mức ở các cạnh của tấm wafer
● Sai lệch kích thước tới hạn (CD)
● Biến dạng hình dạng

3. Điều khiển quỹ đạo và năng lượng ion

Bằng cách tác động đến điện trường cục bộ, vòng hội tụ giúp ổn định góc tới của ion và sự phân bố năng lượng, điều này rất quan trọng đối với:

● Khắc axit có tỷ lệ khung hình cao (HAR)
● Kiểm soát cấu hình dị hướng
● Giảm thiểu hư hại thành lốp

4. Bảo vệ buồng và giảm thiểu ô nhiễm

Là một bộ phận chịu mài mòn, vòng hội tụ hấp thụ sự tiếp xúc trực tiếp với plasma và các sản phẩm phụ lắng đọng.

Những lợi ích thu được:

● Giảm sự xói mòn thành buồng
● Giảm thiểu ô nhiễm hạt
● Chu kỳ bảo trì kéo dài (khoảng thời gian bảo trì định kỳ)


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến qua WhatsApp!