Pala a sbalzo in carburo di siliciu RBSIC/SISIC di bona qualità aduprata in l'industria fotovoltaica solare

Descrizzione corta:

I vantaghji particulari di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un rivestimentu omogeneu è una eccellente durata di vita. Anu ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.

Mantenemu tolleranze assai strette quandu applichemu u rivestimentu SiC, aduprendu una machinazione d'alta precisione per assicurà un prufilu di suscettore uniforme. Pruducemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi riscaldati induttivamente. Tutti i cumpunenti finiti sò furniti cù un certificatu di purezza è di cunfurmità dimensionale..

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Dettagli di u produttu

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Strumenti ben gestiti, squadra di prufitti esperta, è assai megliu prudutti è servizii post-vendita; Simu stati ancu un coniuge maiò unificatu, ognunu s'attacca à u vantaghju di l'impresa "unificazione, dedizione, tolleranza" per a Pala a sbalzo in carburo di siliciu RBSIC / SISIC di bona qualità aduprata in l'industria fotovoltaica solare, Accolgimu sinceramente i dui partenarii d'imprese stranieri è naziunali, è speremu di travaglià cun voi in un cortu è longu andà!
Strumenti ben gestiti, squadra di prufitti esperta, è assai megliu prudutti è servizii post-vendita; Simu stati ancu un coniuge maiò unificatu, ognunu si attacca à u vantaghju di l'impresa "unificazione, dedizione, tolleranza" perFornu di ceramica è ceramica refrattaria in Cina, Per risponde à i bisogni di i clienti individuali per un serviziu più perfettu è articuli di qualità stabile. Accolgimu calorosamente i clienti di u mondu sanu à visità ci, cù a nostra cuuperazione multiforme, è sviluppà inseme novi mercati, creà un avvene brillanti!

Rivestimentu di SiC / rivestitu di substratu di grafite per semiconduttori

I suscettori tenenu è riscaldanu i wafer semiconduttori durante u trattamentu termicu. Un suscettore hè fattu di un materiale chì assorbe l'energia per induzione, conduzione è/o radiazione è riscalda u wafer. A so resistenza à i shock termichi, a cunduttività termica è a purità sò critiche per un trattamentu termicu rapidu (RTP). A grafite rivestita di carburo di siliciu, u carburo di siliciu (SiC) è u siliciu (Si) sò cumunemente usati per i suscettori secondu l'ambiente termicu è chimicu specificu. PureSiC® CVD SiC è u materiale ultrapuru ClearCarbon™ chì offrenu una stabilità termica superiore, resistenza à a corrosione è durabilità.

Descrizzione di u produttu

U rivestimentu di SiC di u substratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante.
U CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplice o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.

Rivestimentu di SiC / rivestitu di substratu di grafite per semiconduttori

A ceramica tecnica hè una scelta naturale per l'applicazioni di trasfurmazione termica di semiconduttori, cumprese RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), diffusione, ossidazione è ricottura. CoorsTek furnisce cumpunenti di materiale avanzati specificamente cuncepiti per resiste à i shock termichi cù prestazioni di alta purezza, robuste è ripetibili per alte temperature.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza à i shock termichi
· Eccellente resistenza à i scossa fisica
· Eccellente resistenza chimica
· Super Alta Purezza
· Disponibilità in forma cumplessa
· Adupràbile sottu atmosfera ossidante

applicazione:

Una cialda hà bisognu di passà per parechje tappe prima di esse pronta per esse aduprata in i dispusitivi elettronichi. Un prucessu impurtante hè l'epitassia di siliciu, in a quale e cialde sò purtate nantu à suscettori di grafite. E proprietà è a qualità di i suscettori anu un effettu cruciale nantu à a qualità di u stratu epitassiale di a cialda.

Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

Densità apparente:	1,85 g/cm³
Resistività elettrica:	11 μΩm
Resistenza à a flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cendra:	<5 ppm
Cunduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)