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Herramientas bien administradas, equipo de expertos en ganancias y mejores productos y servicios posventa; También hemos sido una familia principal unificada, todos nos adherimos al beneficio de la empresa "unificación, dedicación, tolerancia" paraHorno de cerámica y cerámica refractaria de ChinaPara satisfacer las necesidades de nuestros clientes, ofrecemos un servicio cada vez más completo y productos de calidad estable. Invitamos cordialmente a clientes de todo el mundo a visitarnos. Gracias a nuestra amplia cooperación, desarrollaremos nuevos mercados y crearemos un futuro brillante.
Recubrimiento de SiC/recubrimiento de sustrato de grafito para semiconductores Los susceptores sujetan y calientan las obleas semiconductoras durante el procesamiento térmico. Un susceptor está hecho de un material que absorbe energía por inducción, conducción o radiación y calienta la oblea. Su resistencia al choque térmico, conductividad térmica y pureza son cruciales para el procesamiento térmico rápido (RTP). El grafito recubierto de carburo de silicio, el carburo de silicio (SiC) y el silicio (Si) se utilizan comúnmente para susceptores, dependiendo del entorno térmico y químico específico. PureSiC® CVD SiC y ClearCarbon™ son materiales ultrapuros que ofrecen estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y durabilidad superiores. Descripción del Producto
El recubrimiento de SiC del sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y resistencia a la atmósfera oxidante.
El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.
Las cerámicas técnicas son la opción ideal para aplicaciones de procesamiento térmico de semiconductores, como RTP (Procesamiento Térmico Rápido), Epi (Epitaxial), difusión, oxidación y recocido. CoorsTek ofrece componentes de materiales avanzados, diseñados específicamente para resistir choques térmicos con alta pureza, robustez y rendimiento repetible para altas temperaturas.
Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante
solicitud:
Una oblea debe pasar por varias etapas antes de estar lista para su uso en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio, en la que las obleas se alojan en susceptores de grafito. Las propiedades y la calidad de los susceptores influyen decisivamente en la calidad de la capa epitaxial de la oblea.
Propiedades típicas del material base de grafito:
| Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistividad eléctrica: | 11 μΩm |
| Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza Shore: | 58 |
| Ceniza: | <5 ppm |
| Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
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