Geros kokybės silicio karbido RBSIC/SISIC konsolinis irklas, naudojamas saulės fotovoltinių elementų pramonėje

Geros kokybės silicio karbido RBSIC/SISIC konsolinis mentelis, naudojamas saulės fotovoltinių elementų pramonėje. Teminis paveikslėlis.

Trumpas aprašymas:

Mūsų SiC dengtų grafitinių susceptorių privalumai yra itin didelis grynumas, homogeninė danga ir puikus tarnavimo laikas. Jie taip pat pasižymi dideliu atsparumu cheminiam poveikiui ir terminiu stabilumu.

Dengdami SiC dangą, išlaikome labai tikslius tolerancijos nuokrypius ir naudojame didelio tikslumo apdirbimą, kad užtikrintume vienodą susceptoriaus profilį. Taip pat gaminame medžiagas, pasižyminčias idealiomis elektrinės varžos savybėmis, skirtas naudoti indukcinio kaitinimo sistemose. Visiems gataviems komponentams suteikiamas grynumo ir matmenų atitikties sertifikatas..

Siųskite mums el. laišką Atsisiųsti kaip PDF

Produkto informacija

Produkto žymės

Gerai valdomi įrankiai, ekspertų komanda ir daug geresni garantinio aptarnavimo produktai bei paslaugos; Mes taip pat esame vieninga pagrindinė įmonė, visi laikomės įmonės privalumų „vienybės, atsidavimo, tolerancijos“ dėl geros kokybės silicio karbido RBSIC/SISIC konsolinių irklų, naudojamų saulės fotovoltinių elementų pramonėje. Nuoširdžiai sveikiname abu užsienio ir vietinius verslo partnerius ir tikimės bendradarbiauti su jumis artimiausiu metu ir ilgalaikėje perspektyvoje!
Gerai valdomi įrankiai, ekspertų pelno komanda ir daug geresni garantinio aptarnavimo produktai bei paslaugos; Mes taip pat esame vieninga pagrindinė sutuoktinė ir vaikai, kiekvienas žmogus laikosi įmonės naudos „suvienijimas, atsidavimas, tolerancija“Kinijos ugniai atspari keramika ir keramikos krosnis, Siekdami patenkinti konkrečių klientų poreikius, susijusius su tobulesniu aptarnavimu ir stabilios kokybės prekėmis. Nuoširdžiai sveikiname klientus visame pasaulyje apsilankyti pas mus, bendradarbiaudami įvairiapusiškai ir kartu kurdami naujas rinkas, kurdami puikią ateitį!

SiC danga / grafito substrato danga puslaidininkiams

Susceptoriai laiko ir kaitina puslaidininkines plokšteles terminio apdorojimo metu. Susceptorius pagamintas iš medžiagos, kuri sugeria energiją indukcijos, laidumo ir (arba) spinduliuotės būdu ir kaitina plokštelę. Jos atsparumas terminiam smūgiui, šilumos laidumas ir grynumas yra labai svarbūs greitam terminiam apdorojimui (RTP). Susceptoriams dažniausiai naudojamas silicio karbidu padengtas grafitas, silicio karbidas (SiC) ir silicis (Si), priklausomai nuo konkrečios terminės ir cheminės aplinkos. „PureSiC® CVD SiC“ ir „ClearCarbon™“ – itin gryna medžiaga, pasižyminti puikiu terminiu stabilumu, atsparumu korozijai ir ilgaamžiškumu.

Produkto aprašymas

Grafito substrato SiC danga puslaidininkių reikmėms sukuria detalę, pasižyminčią aukščiausiu grynumu ir atsparumu oksiduojančiai atmosferai.
CVD SiC arba CVI SiC dengiamas ant paprastų arba sudėtingų konstrukcinių detalių grafito. Danga gali būti dengiama įvairaus storio ir ant labai didelių detalių.

SiC danga / grafito substrato danga puslaidininkiams

Techninė keramika yra natūralus pasirinkimas puslaidininkių terminio apdorojimo taikymams, įskaitant RTP (greitojo terminio apdorojimo), Epi (epitaksinio), difuzijos, oksidacijos ir atkaitinimo procesus. „CoorsTek“ tiekia pažangius medžiagų komponentus, specialiai sukurtus atlaikyti terminius smūgius, pasižyminčius didelio grynumo, tvirtumo ir pakartojamomis savybėmis aukštoje temperatūroje.

Savybės:
· Puikus atsparumas terminiam smūgiui
· Puikus atsparumas fiziniams smūgiams
· Puikus atsparumas cheminėms medžiagoms
· Ypač didelis grynumas
· Prieinamumas sudėtingos formos
· Galima naudoti oksiduojančioje atmosferoje

paraiška:

Plokštelė turi pereiti kelis etapus, kol yra paruošta naudoti elektroniniuose prietaisuose. Vienas svarbus procesas yra silicio epitaksija, kurios metu plokštelės laikomos ant grafito susceptorių. Susceptorių savybės ir kokybė turi lemiamos įtakos plokštelės epitaksinio sluoksnio kokybei.

Tipinės bazinės grafito medžiagos savybės:

Matomas tankis:	1,85 g/cm³
Elektrinė varža:	11 μΩm
Lenkimo stipris:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Kietumas pagal krantą:	58
Pelenai:	<5 ppm
Šilumos laidumas:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)