Suscettore di cannahè un cumpunente core in i prucessi di crescita epitassiale di semiconduttori cum'è MOCVD, MBE, CVD. Hè principalmente adupratu per purtà wafers in camere di reazione à alta temperatura è furnisce un ambiente di campu termicu uniforme è stabile per assicurà una deposizione precisa di strati epitassiali (cum'è GaN, SiC, ecc.). A so funzione principale hè di ottene una alta uniformità di a temperatura di a superficia di u wafer attraversu un cuntrollu precisu di u campu termicu, assicurendu cusì u spessore, a cuncentrazione di doping è l'uniformità di a struttura cristallina di i film sottili epitassiali.
Adupremu a nostra tecnulugia brevettata per fà ususcettore di cannacun una purezza estremamente alta, una bona uniformità di u rivestimentu è una eccellente durata di serviziu, è ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.
VET Energy usa grafite d'alta purezza cù rivestimentu CVD-SiC per migliurà a stabilità chimica:
1. Materiale di grafite d'alta purezza
Alta conducibilità termica: a conducibilità termica di a grafite hè trè volte quella di u siliciu, chì pò trasferisce rapidamente u calore da a fonte di riscaldamentu à a cialda è accurtà u tempu di riscaldamentu.
Resistenza meccanica: Densità di grafite à pressione isostatica ≥ 1,85 g/cm³, capace di resiste à temperature elevate sopra à 1200 ℃ senza deformazione.
2. Rivestimentu CVD SiC
Un stratu di β-SiC hè furmatu nantu à a superficia di a grafite per deposizione chimica di vapore (CVD), cù una purezza di ≥ 99,99995%, l'errore di uniformità di u spessore di u rivestimentu hè menu di ± 5%, è a rugosità di a superficia hè menu di Ra0,5um.
3. Migliuramentu di e prestazioni:
Resistenza à a corrosione: pò suppurtà gas altamente corrosivi cum'è Cl2, HCl, ecc., pò allargà a durata di vita di l'epitassia di GaN di trè volte in l'ambiente NH3.
Stabilità termica: U coefficientu di dilatazione termica (4,5 × 10-6/℃) currisponde à a grafite per evità a frattura di u rivestimentu causata da e fluttuazioni di temperatura.
Durezza è resistenza à l'usura: A durezza Vickers righjunghje 28 GPa, chì hè 10 volte più alta chè a grafite è pò riduce u risicu di graffi di u wafer.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu | |
| 性质 / Pruprietà | 典型数值 / Valore Tipicu |
| 晶体结构 / Struttura Cristallina | Fase β di a FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 维氏硬度(500g di carica) |
| 晶粒大小 / Grana | 2~10μm |
| 纯度 / Purità chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza à a flessione | 415 MPa RT à 4 punti |
| 杨氏模量 Modulu di Young | Curvatura 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalCunduttività | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatazione Termica (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd hè una impresa high-tech chì si cuncentra nantu à u sviluppu è a pruduzzione di materiali avanzati di alta gamma, i materiali è a tecnulugia cumpresi grafite, carburo di siliciu, ceramica, trattamentu di superfici cum'è rivestimentu SiC, rivestimentu TaC, rivestimentu di carbone vetroso, rivestimentu di carbone piroliticu, ecc., Sti prudutti sò largamente usati in fotovoltaicu, semiconduttori, nova energia, metallurgia, ecc.
A nostra squadra tecnica vene da i migliori istituzioni di ricerca naziunali, è hà sviluppatu parechje tecnulugie brevettate per assicurà e prestazioni è a qualità di u produttu, pò ancu furnisce à i clienti suluzioni di materiali prufessiunali.
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